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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体电路和半导体电路系统-CN201780068590.3有效
发明人：周藤悠介;平贺启三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：根据本发明的半导体电路包括：第一电路，产生在第一节点的电压的反相电压并且能够将该反相电压施加于第二节点；第二电路，产生在第二节点的电压的反相电压并且能够将该反相电压施加于第一节点；第一晶体管，当接通时将第一节点连接到第三节点；第一存储元件，具有连接到第三节点的第一端子和被施加控制电压的第二端子，并且能够处于第一阻态或第二阻态；第一电压设置电路，连接到第三节点，并且能够将在第三节点的电压设置为与在第一节点和第二节点之中的规定节点的电压对应的电压；和驱动部分，控制第一晶体管的操作，同时设置控制电压。
半导体电路系统

[发明专利]半导体电路-CN202180075778.7在审
发明人：阪井垒;神田泰夫;濑上雅博;平贺启三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：根据本公开的一方面的半导体电路包括存储k位数据和针对k位数据的m位纠错数据的非易失性的锁存电路。
半导体电路

[发明专利]非易失性存储电路-CN202080071161.3在审
发明人： 平贺启三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：根据本发明的非易失性存储电路(10)提供有：存储信息的易失性存储单元(11)；非易失性存储单元(20)，通过存储操作将易失性存储单元中的信息写入到非易失性存储单元中，并通过恢复操作经由与存储操作时的存储路径不同的恢复路径将信息从非易失性存储单元读出到易失性存储单元(11)；接收电源供应并执行存储操作的驱动器单元(12，15)；以及在恢复操作期间切断对驱动器单元(12，15)的电源供应的开关单元(13，14，16，17)。
非易失性存储电路

[发明专利]非易失性存储电路-CN201980015138.X在审
发明人： 平贺启三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：本技术涉及一种非易失性存储电路，该非易失性存储电路在维持稳定写入的同时允许小型化和降低的功耗。该非易失性存储电路设置有：存储信息的易失性存储部；以及非易失性存储部，通过存储操作将所述易失性存储部中的信息写入所述非易失性存储部中，并且通过恢复操作经由与用于所述存储操作的存储路径不同的恢复路径，将信息从所述非易失性存储部读出到所述易失性存储部中，其中沿着所述存储路径配置的所有晶体管使其漏极连接在一起。本技术可以应用于NVDFF电路。
非易失性存储电路

[发明专利]半导体电路及其控制方法-CN201880064733.8在审
发明人： 平贺启三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：根据本公开的半导体电路设有：易失性的第一存储部；易失性的第二存储部，基于第一控制信号存储已经存储在第一存储部中的数据；非易失性的第三存储部，基于第二控制信号存储与已经存储在第二存储部中的数据相应的数据，并且基于第三控制信号使得已经存储在第三存储部中的数据存储于第一存储部；和控制部，生成第一控制信号和第三控制信号，将存储在第一存储部中的数据和存储在第二存储部中的数据进行比较，并且基于比较结果生成第二控制信号。
半导体电路及其控制方法

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共 5 条

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