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[发明专利]用于臭氧气体传感器的气敏传感器件以及制备方法-CN201811172620.8有效
发明人：隋妍心;崔书娟;霍文星;梅增霞;梁会力;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于臭氧气体传感器的气敏传感器件，所述气敏传感器件包括氧化物半导体薄膜和分散在该氧化物半导体薄膜表面上的纳米颗粒，所述纳米颗粒对臭氧气体具有响应能力并且其电导率高于所述氧化物半导体薄膜的电导率。本发明还提供了一种制备用于臭氧气体传感器的气敏传感器件的方法，所述方法包括如下步骤：1)制备氧化物半导体薄膜；2)在室温条件下，在所述氧化物半导体薄膜的表面上生长分散的纳米颗粒。本发明提供的臭氧气体传感器通过调控纳米颗粒的尺寸、密度和分布，改善臭氧浓度传感器的各项响应性能，操作简单，易实现产业化。
用于臭氧气体传感器传感器件以及制备方法

[发明专利]一种非晶Ga2-CN201710360774.9有效
发明人： 崔书娟;梅增霞;张永晖;梁会力;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法和应用，所述日盲紫外探测器包括衬底、沉积在所述衬底表面的非晶Ga2O3有源层以及设置在所述非晶Ga2O3有源层表面的电极，其特征在于，所述日盲紫外探测器的响应速度小于1秒。其制备方法包括在沉积过程中向真空腔内通入氧气。本发明通过微氧流量调控的方法，在薄膜生长时引入微量的高纯氧气，意外地使得器件的响应速度得到了大幅的提升，最快可达19.1μs，这是至今为止报道的Ga2O3日盲探测器最快的响应速度。
一种 ga base sub

[发明专利]一种直接型X射线探测器及其制备方法-CN201711078675.8有效
发明人：梁会力;崔书娟;张永晖;霍文星;王涛;梅增霞;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种直接型X射线探测器及其制备方法，属于X射线探测技术领域。其包括基片，宽带隙氧化物薄膜活性层，所述宽带隙氧化物薄膜活性层设置于所述基片的一侧表面，且用于将来自辐射源的入射辐射直接转换成电子和空穴对；电极，所述电极包括安装在所述宽带隙氧化物薄膜活性层同侧的第一电极和第二电极；其中，所述宽带隙氧化物薄膜活性层中含有浓度可调控的氧空位。本发明提供的直接型X射线探测器具有暗电流低、信噪比高、制备工艺简单、成本低廉等优点，与柔性印刷电子工艺兼容，有望实现柔性X射线探测器的大规模产业化生产。
一种直接射线探测器及其制备方法

[发明专利]表面等离激元增强的氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用-CN201711005864.2在审
发明人： 崔书娟;梅增霞;梁会力;张永晖;霍文星;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种基于表面等离激元的氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，所述紫外探测器包括衬底、位于所述衬底表面的氧化镓‑金属纳米球复合有源层以及设置在所述有源层表面的电极，其中，所述氧化镓‑金属纳米球复合有源层包括氧化镓膜层和嵌入所述氧化镓膜层中的金属纳米球，其中所述金属为Ga、Al、Mg和Pt中的一种或多种。本发明的基于氧化镓‑金属纳米球复合薄膜的光电探测器在日盲紫外光的照射下，金属纳米球产生等离激元共振效应，使得金属纳米球表面电场增强，散射截面增大，与Ga₂O₃材料之间发生能量及热电子转移，因而大幅增强了氧化镓基探测器对日盲光的探测能力，提升了探测器的响应灵敏度。
金属纳米球氧化镓紫外探测器源层制备方法和应用表面等离激元氧化镓膜探测器等离激元共振效应光电探测器响应灵敏度复合表面电场衬底表面复合薄膜散射截面紫外光电极热电子衬底日盲嵌入照射探测金属

[发明专利]一种柔性金属衬底及其制备方法和应用-CN201810087594.2在审
发明人：霍文星;梅增霞;梁会力;张永晖;崔书娟;隋妍心;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制作柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管的柔性金属衬底及其制备方法和应用，该柔性金属衬底附着在母体上，通过原子力显微镜在10×10μm的扫描范围下观察时，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度<10nm。本发明采用金属作为衬底制备柔性薄膜晶体管或薄膜二极管，有效地解决了现有的有机柔性衬底不能承受高温处理的问题。结合高温热退火工艺，薄膜晶体管和二极管的电学性能和稳定性可以大幅提高。金属衬底的高热导率还可以将晶体管和二极管工作时散发的热量及时地传导出去，消除了热效应对器件的影响，进一步提高了其性能和稳定性。
衬底柔性金属二极管柔性薄膜晶体管制备方法和应用热效应均方根粗糙度有机柔性衬底原子力显微镜薄膜二极管薄膜晶体管高温热退火电学性能高热导率高温处理柔性薄膜金属衬有效地晶体管附着制备传导母体扫描金属散发观察制作

[发明专利]一种柔性金属衬底及其制备方法和应用-CN201810087557.1在审
发明人：霍文星;梅增霞;梁会力;张永晖;崔书娟;隋妍心;杜小龙;贾海强 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制作柔性薄膜晶体管或薄膜二极管的柔性金属衬底，该柔性金属衬底包括金属箔片和附着在所述金属箔片表面上的金属镀层，其中，通过原子力显微镜在10×10μm的扫描范围下观察时，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度<10nm。本发明采用金属作为衬底制备柔性薄膜晶体管或薄膜二极管，有效地解决了现有的有机柔性衬底不能承受高温处理的问题。结合高温热退火工艺，薄膜晶体管和二极管的电学性能和稳定性可以大幅提高。金属衬底的高热导率还可以将晶体管和二极管工作时散发的热量及时地传导出去，消除了热效应对器件的影响，进一步提高了其性能和稳定性。
衬底柔性金属柔性薄膜晶体管薄膜二极管二极管金属箔片热效应制备方法和应用均方根粗糙度有机柔性衬底原子力显微镜薄膜晶体管高温热退火电学性能高热导率高温处理金属镀层金属衬有效地晶体管附着制备传导扫描金属散发观察制作