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[发明专利]交叉点型非易失性存储装置及其成形方法-CN201280007370.7有效
发明人： 岛川一彦;川原昭文;东亮太郎;河合贤 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：读出放大器电路(7)具有潜行电流补偿用负载电流供给部(8)，对由列选择电路(6)所选择的位线(4)选择性地切换电流量不同的负载电流并供给，在流入列选择电路(6)所选择的位线(4)的电流量比标准电流量多的情况下，输出‘L’电平，在比标准电流量少的情况下，输出‘H’电平。控制电路(18)在选择了规定的存储器单元(2)的状态下，在对规定的存储器单元(2)施加成形之前，按照如下方式控制写入电路(15)：将负载电流的电流量调整为使读出放大器电路(7)的输出为‘H’电平的规定的电流量之后，供给规定的电流量的负载电流，并且对规定的存储器单元(2)施加成形脉冲直到读出放大器电路(7)的输出变为‘L’电平为止。
交叉点型非易失性存储装置及其成形方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的访问方法-CN201280004338.3有效
发明人：池田雄一郎;岛川一彦;东亮太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻变化型非易失性存储装置，具有：多层位线（BL）；在多层位线（BL）的层间分别形成的多层字线（WL）；存储单元阵列，具有在多层位线（BL）与多层字线（WL）的交点上分别形成的多个存储单元（MC），由多个基本阵列面构成；与多个基本阵列面分别对应设置的全局位线（GBL）；与多个基本阵列面分别对应设置的第1选择开关元件以及第2选择开关元件的组；在不同的基本阵列面间，连续访问与相同字线连接的存储单元，不改变向字线以及位线施加的电压，以使流过存储单元的电流的朝向相同的方式选择存储单元。
电阻变化型非易失性存储装置以及访问方法

[发明专利]交叉点型电阻变化非易失性存储装置-CN201280003871.8有效
发明人：东亮太郎;岛川一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元（51）形成于形成多层的X方向的位线（53a和53b）与Y方向的字线（52a）的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线（53b）通过偶数层位线选择开关元件（1002）、共同连接的奇数层的位线（53a）通过奇数层位线选择开关元件（1001）来切换控制与全局位线（56）的连接/不连接。偶数层位线选择开关（1002）以及奇数层位线选择开关元件（1001）具有位线的选择功能和低电阻化写入时的电流限制功能。
交叉点电阻变化非易失性存储装置

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置及其写入方法-CN201280003856.3有效
发明人：川原昭文;东亮太郎;岛川一彦;田边浩平 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在用于写入速度改善的多比特同时写入中，实现减少存储单元的位置的偏差的写入的电阻变化型非易失性存储装置。该电阻变化型非易失性存储装置具有：多个位线、多个字线、多个存储单元、第一写入电路（例如，写入电路（60-0））、第二写入电路（例如，写入电路（60-k-1））、第一选择电路（例如，选择电路（S0_0））、第二选择电路（例如，选择电路（S0_k-1））、以及第一字线驱动电路（字线驱动电路（40-1））；其中，构成第一选择电路（例如，构成选择电路（S0_0）的NMOS晶体管（TS0_0_0～TS0_0_m-1））导通电阻值比第二选择电路（例如，构成选择电路（S0_k-1）的NMOS晶体管（TS0_k-1_0～TS0_k-1_m-1））的导通电阻值大。
电阻变化型非易失性存储装置及其写入方法

[发明专利]交叉点型电阻变化非易失性存储装置及其写入方法-CN201280003594.0有效
发明人：东亮太郎;岛川一彦;加藤佳一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的一部分）、和第二存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的其他的一部分、或补偿单元部（252））所构成的存储单元阵列中，在对第一存储单元组的规定的存储单元进行写入第一电阻状态的情况下，字线用写入电路（1502）对选择字线供给第一电压或第一电流，并且第一位线用写入电路（1503）对第一存储单元组的一个位线供给第三电压或第三电流的同时，第二位线用写入电路（1504）对第二存储单元组的A个位线供给第三电压或第三电流。
交叉点电阻变化非易失性存储装置及其写入方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置及其驱动方法-CN201280001208.4有效
发明人：友谷裕司;岛川一彦;池田雄一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：提供一种能够稳定动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），读取电路（206），若在所选择的存储单元中流过规定值以上的电流，则判定为所选择的存储单元是具有短路故障的故障存储单元，写入电路（205），对在与故障存储单元相同的位线上及字线上的至少某个上配置的故障存储单元以外的其它存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使得将其它存储单元的电阻变化元件设置为表示出第1高电阻状态的电阻值以上的电阻值的第2高电阻状态。
电阻变化型非易失性存储装置及其驱动方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的写入方法-CN201280001689.9有效
发明人：河合贤;岛川一彦;加藤佳一;村冈俊作 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，恢复电阻变化故障，确保动作窗口，使电阻变化动作能够稳定地持续。在电阻变化型非易失性存储元件中，发生了电阻变化故障的情况下，对所述电阻变化型非易失性存储元件至少施加1次由第1恢复电压脉冲（14）和第2恢复电压脉冲（15）这两个脉冲构成的恢复电压脉冲，所述第1恢复电压脉冲（14）是振幅比通常的高电阻化电压脉冲及低电阻化电压脉冲大的高电阻化电压脉冲，所述第2恢复电压脉冲（15）后续于第1恢复电压脉冲（14），是低电阻化电压脉冲。
电阻变化型非易失性存储元件写入方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置及其驱动方法-CN201280001342.4有效
发明人：友谷裕司;岛川一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供一种能够进行稳定的动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），写入电路（205）对配置在与不良存储单元相同的位线及字线上的至少某个上的不良存储单元以外的其他存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使其他存储单元的电阻变化元件（30）成为第2高电阻状态，该第2高电阻状态表现出比第1低电阻状态的电阻值大的电阻值。
电阻变化型非易失性存储装置及其驱动方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读出方法-CN201280001452.0有效
发明人： 岛川一彦;辻清孝;东亮太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种交叉点型非易失性存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。交叉点型非易失性存储装置具有：多个位线，与多个字线垂直；由存储单元构成的交叉点单元阵列（1），根据在其立体交差点配置的电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化；偏移检测单元阵列（2E），构成为包括偏移检测单元，该偏移检测单元的字线共通，具有比存储单元的高电阻状态下的电阻值高的电阻值；读出电路（读出放大器（7）等），利用在交叉点单元阵列（1）的选择位线中流过的电流判别选择存储单元的电阻状态；以及电流源（6），在读出动作的期间内，对偏移检测单元阵列供给电流。
非易失性半导体存储装置及其读出方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读出方法-CN201280001450.1有效
发明人：辻清孝;岛川一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种交叉点型的非易失性半导体存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。该非易失性半导体存储装置具有多个字线（2）、以与多个字线（2）立体交差的方式形成的多个位线（3）、以及由针对多个字线（2）与多个位线（3）的各个立体交差点设置的单元的集合体构成的交叉点单元阵列（1），单元的集合体包括：存储单元（4），该存储单元（4）包括存储元件，该存储元件进行根据电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化的存储动作；以及偏移检测单元（5），具有比存储元件进行存储动作时的高电阻状态下的存储元件的电阻值高的固定的电阻值。
非易失性半导体存储装置及其读出方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置-CN201280001064.2有效
发明人：池田雄一郎;岛川一彦;东亮太郎;河合贤 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。
电阻变化型非易失性存储装置

[发明专利]交叉点型电阻变化非易失性存储装置及其读取方法-CN201280001056.8有效
发明人：东亮太郎;岛川一彦;加藤佳一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，具备：在多个位线与多个字线的交点位置上形成的交叉点型的存储单元阵列（200）、从存储单元阵列（200）选择至少一个存储单元（51）的字线解码器电路（103）、从所选择的存储单元读取数据的读取电路（106）、供给第1定电流的非选择字线用电流源（199）、以及对来自所选择的存储单元的数据的读取进行控制的控制电路（109），控制电路（109）在读取电路（106）进行数据读取时，以向非选择字线供给第1定电流的方式，对字线解码器电路（103）、读取电路（106）及非选择字线用电流源（199）进行控制。
交叉点电阻变化非易失性存储装置及其读取方法

[发明专利]参考单元电路及使用该电路的可变电阻型非易失性存储装置-CN201280000914.7有效
发明人： 岛川一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：包括：参考单元(201a、b)，具有可变电阻元件，该可变电阻元件根据电信号的施加而在规定的低电阻状态LR与高电阻状态HR之间可逆地发生变化；比较器(204)，比较参考单元(201a、b)的电阻值；脉冲生成电路(202)，生成用于将参考单元(201a、b)设定为LR及HR中的任一方的电信号；以及控制电路(206)，控制以下动作，即将所生成的电信号施加给参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的比较结果对应的一方，之后反复进行向参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的新的比较结果对应的一方施加通过脉冲生成电路(202)生成的新的电信号的动作，之后将参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的最终比较结果对应的一方连接到输出端子(208)上。
参考单元电路使用可变电阻型非易失性存储装置

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置-CN201180017639.5有效
发明人：友谷裕司;岛川一彦;东亮太郎;加藤佳一;池田雄一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。
电阻变化型非易失性存储装置检查方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的塑造方法及电阻变化型非易失性存储装置-CN201180014829.1有效
发明人：河合贤;岛川一彦;片山幸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻变化型非易失性存储元件的塑造方法及电阻变化型非易失性存储装置，与以往相比能够降低塑造电压且能够回避塑造电压在每个电阻变化元件中的偏差。该塑造方法是电阻变化元件(100)初始化的塑造方法，包括：判断1T1R型存储器单元电流是否大于基准电流的步骤(S24)；在判断为并不大的情况下(S24中“否”)，施加脉冲宽度(Tp(n))上升的塑造用正电压脉冲的步骤(S22)；以及施加具有脉冲宽度(Tp(n))以下的脉冲宽度(Tn)的负电压脉冲的步骤(S23)，重复步骤(S24)、施加步骤(S22)及施加步骤(S23)，直到塑造完成为止。
电阻变化型非易失性存储元件塑造方法装置

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