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[发明专利]一种NTC热敏电阻材料及其制备方法-CN202310859294.2在审
发明人：宋毅华;李强;岑权进;陈志华;胡建兵;曹秀华;沓世我;胡春元;李梅;向湘红;邵刚勤 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司;武汉理工大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于热敏电阻材料领域，具体公开一种NTC热敏电阻材料及其制备方法。本发明NTC热敏电阻材料的包括按如下以质量百分比计的组分：aMn3O4bCo3O4cFe2O3dNi2O3eCuO，其中，39％≤a≤48％，37％≤b≤48％，2％≤c≤10％，1％≤d≤12％，0.5％≤e≤4％，且满足a+b+c+d+e＝100％。本发明的NTC热敏电阻材料是一种低阻NTC热敏电阻材料，其相结构为尖晶石纯相，电阻率为143±5％～234±5％Ω·cm，B值为3370±3％～3573±3％K，且抗弯性、耐温性和耐久性均小于3％R25。
一种 ntc 热敏电阻材料及其制备方法

[发明专利]一种NTC热敏电阻材料及其制备方法-CN202310064852.6在审
发明人：陈志华;岑权进;胡建兵;李强;宋毅华;付振晓;曹秀华;胡春元;向湘红;邵刚勤 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司;武汉理工大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于热敏电阻材料领域，具体公开一种NTC热敏电阻材料及其制备方法。本发明NTC热敏电阻材料的制备原料包括如下氧化物原料组分：aMn3O4bCo3O4cFe2O3dNiOeZnOfAl2O3，其中a、b、c、d、e、f为质量百分比，67.0％≤a≤75.0％，3.0％≤b≤7.0％，2.5％≤c≤6.5％，14.0％≤d≤18.0％，0.4％≤e≤1.4％，1.5％≤f≤2.5％，且满足a+b+c+d+e+f＝100％。本发明NTC热敏电阻材料的相结构为尖晶石纯相，电阻率为3793±5％～4453±5％Ω·cm，B值为3918±3％～3958±3％K，是一种可调控的中阻中B值Mn‑Co‑Fe‑Ni‑Zn‑Al系NTC热敏电阻。
一种 ntc 热敏电阻材料及其制备方法

[发明专利]一种NTC热敏材料及其制备方法与应用-CN202110353459.X有效
发明人： 岑权进;陈志华;李强;姚忠伟;胡建兵;宋毅华 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种NTC热敏材料及其制备方法与应用。本发明NTC热敏材料包括以下质量百分含量的组分：Mn3O4 33‑58％、Co3O4 25‑50％、Ni2O3 10‑25％、Al2O3 2‑8％、ZrO2 0.5‑2％、Cr2O3 0.5‑2％、Y2O3 0.1‑1％、Bi2O3 2‑5％、H3BO3 1‑1.5％。本发明NTC热敏材料具有烧结温度低、瓷体强度高、热稳定性好的特点，用于制备片式NTC热敏电阻器时，烧结温度仅需1080℃，并且1080℃烧结所得片式NTC热敏电阻器电阻率为2450Ω·cm以上，B值在4200以上，最大抗弯曲强度在2mm以上，150℃下老化1000h后△R25/R25≤2％。
一种 ntc 热敏材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高可靠性片式NTC热敏电阻材料及其制备方法及用途-CN202210126817.8有效
发明人：陈志华;李强;宋毅华;岑权进;胡建兵;熊灿光;向湘红 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠性片式NTC热敏电阻材料及其制备方法及用途。该热敏电阻材料以Mn3O4、Co3O4、Ni2O3作为主配方材料，以ZnO、La2O3作为掺杂材料；通过将主配方材料和掺杂材料经球磨、烘干、预烧、再球磨砂磨制成。所述片式NTC热敏电阻材料包含以下重量百分含量的组分：40～60％的Mn3O4、20～40％的Co3O4、5～15％的Ni2O3、2～8％的ZnO、0.5～1.5％的La2O3。本发明采用四氧化三锰代替二氧化锰，与之前的配方相比，电阻阻值一致性更好，稳定性更高。本发明通过添加微量的氧化锌和氧化镧，进一步提高材料的稳定性，改善产品老化性能。
一种可靠性 ntc 热敏电阻材料及其制备方法用途

[发明专利]一种高阻值高B值的NTC热敏电阻材料及其制备方法-CN202210020023.3有效
发明人：陈志华;李强;宋毅华;岑权进;胡建兵;熊灿光;向湘红 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种高阻值高B值的NTC热敏电阻材料及其制备方法。本发明所述高阻值高B值的NTC热敏电阻材料的配方中以Mn、Co、Fe金属氧化物为体系，尖晶石晶相结构，结合p型半导体、两性半导体和价控半导体的晶体结构和电学优势，以晶相组成进行片式NTC高阻材料的晶体结构模拟、粉末合成制备试验论证，通过添加微量的Al2O3、SiO2、ZnO等原料，促使晶粒细化，来提升材料电阻率ρ至30000Ω·cm、B值：4150K；再通过添加微量高焓值氧化物如Nb2O5等材料，改善瓷体结构，增强瓷体的致密性，来改善产品的老化特性，提升NTC高阻产品的可靠性。
一种阻值 ntc 热敏电阻材料及其制备方法

[发明专利]一种用于压敏电阻器的包封材料及包封方法-CN202210337462.7在审
发明人：陈松娜;钟明峰;张志杰;胡春元;岑权进;陈志华 -专利权人：华南理工大学;广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01C7/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于压敏电阻器的包封材料及包封方法。本发明的用于压敏电阻器的包封材料的组成包括：Na3PO4、Zn(H2PO4)2、Al(H2PO4)3、FeCl3和H3PO4。本发明的压敏电阻器的包封方法包括以下步骤：1)将Na3PO4、Zn(H2PO4)2、Al(H2PO4)3和水混合，再加入FeCl3和H3PO4，得到包封液；2)将压敏电阻器放入包封液浸泡，烧结，得到含包封层的压敏电阻器。本发明的包封材料组成简单、成本低，能够批量、高效地制备含包封层的压敏电阻器，且包封层具有耐腐蚀性好、均匀、难“爬镀”的优势，压敏电阻器的良品率高。
一种用于压敏电阻材料方法

[发明专利]一种NTC绝缘层材料及其制备方法和应用-CN202210490228.8在审
发明人： 岑权进;陈志华;李强;宋毅华;姚忠伟;向湘红 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种片式NTC绝缘层材料及其制备方法和应用，属于片式NTC用材料技术领域，所述NTC绝缘层材料包括以下质量百分含量的组分：50～75％Mn3O4、5～12％Bi2O3、2～10％SiO2、4～12％Al2O3、2～10％Fe2O3、3～12％ZnO、1～6％MgO。所述的绝缘层材料具有高电阻率，其能够与NTC陶瓷在低温下进行共烧，通过将两种材料采用交替印刷的方法可以制备出不含内电极，多种尺寸，多种阻值，相同B值的片式NTC热敏电阻器。
一种 ntc 绝缘材料及其制备方法应用

[发明专利]片式元器件的包封方法及片式元器件的包封设备-CN201710393591.7有效
发明人： 岑权进;周庆波;李强;徐建平;姚忠伟;熊良裕 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种片式元器件的包封方法及片式元器件的包封设备。一种片式元器件的包封方法，片式元器件包括侧面及位于侧面两端的两个端面，片式元器件的包封方法包括以下步骤：将片式元器件的其中一个端面固定于载板使片式元器件直立；将固定于载板上的片式元器件的表面浸渍玻璃浆料以在侧面及另一个端面表面形成玻璃浆料层；对玻璃浆料层进行固化处理；及进行烧结处理。上述片式元器件的包封方法及片式元器件的包封设备，采用浸渍的方式，浸渍后剩余的玻璃浆料可以重复使用，玻璃浆料的利用率大大提高；且上述片式元器件的包封方法可以同时对多个片式元器件进行包封，且可以同时对片式元器件的多个侧面进行包封，生产效率明显提高。
元器件方法设备

[发明专利]片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品-CN202010391045.1在审
发明人： 岑权进;陈志华;李强;周庆波 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品。所述片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法通过将Bi2O3、Sb2O3、Ni2O3及部分ZnO进行预烧，初步生成焦绿石晶相，以在向混合物中加入预合粉料后，利用焦绿石晶相有效抑制晶粒的过度生长，改善ZnO陶瓷结构的均匀性，实现改善压敏电阻特性，同时提高陶瓷粉料的电压梯度。本发明能够提供一种高电压梯度、高性能的陶瓷粉料，使得可依靠陶瓷粉料生产出兼得小尺寸与高性能的片式压敏电阻器，以适用高压范围的小型电子产品。
压敏电阻陶瓷制备方法产品

[发明专利]氧化锌压敏电阻生料、其制备方法及压敏电阻器-CN201310352051.6有效
发明人：唐斌;陈加旺;李强;岑权进 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锌压敏电阻生料、其制备方法及压敏电阻器。该氧化锌压敏电阻生料按摩尔百分比计，包括氧化锌91.48～98.03%、三氧化二铋0.5～2.0%、二氧化硅0.5～2.5%、四氧化三钴0.35～1.5%、碳酸锰0.5～1.0%、三氧化二铬0.1～0.5%、三氧化二钇0.01～2.0%及硝酸铝0.0001～0.001%。该生料不含锑，且二氧化硅改善压敏电阻特性，增加表面态密度，提高电压梯度、势垒高度和非线性系数，降低泄漏电流和增强抗电流的冲击能力；三氧化二钇提高电导率、抗电流的冲击能力、非线性系数及电压梯度，降低限制电压比和泄漏电流，抑制晶粒生长，使压敏电阻器具有较高电压梯度和优异的电性能。
氧化锌压敏电阻生料制备方法

[发明专利]一种多层压敏电阻器及其制备方法-CN201210188114.4有效
发明人：唐斌;陈加旺;李强;岑权进;陈加增;莫德峰 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层压敏电阻器及其制备方法，多层压敏电阻器包括压敏电阻体，以及瓷体内的内电极，所述的压敏电阻体是由ZnO-Bi2O3-SiO2-SnO2系瓷料体系组成，所述的内电极是纯Ag电极。该压敏电阻器的电性能好，生产成本低。
一种多层压敏电阻及其制备方法

[发明专利]一种多层片式压敏电阻器瓷料及所得的产品-CN200910213815.7有效
发明人：陈加旺;唐斌;李强;岑权进 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种压敏电阻器瓷料及所得的产品，该瓷料按摩尔份计，氧化锌 94～98.4mol％、Bi2O3 0.55～0.65mol％、Sb2O3 0.55～0.65mol％，余量是金属氧化物。所述的金属氧化物是Si、Co、Mn、Cr氧化物中的一种或几种。由上述瓷料所得的压敏电阻器由烘料、配料球磨、流延、成型、干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧银、电镀工艺制得，它包括瓷料介质层以及介质层之间的内电极，所述流延厚度大于或等于14μm，所述的电镀电流是30±2A，内电极的尺寸是0.84×0.2mm。该压敏电阻器具有低电压、低电容、超低泄漏电的特性。
一种多层压敏电阻料及所得产品

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