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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻液组合物-CN201710086307.1有效
发明人： 尹景湖;申孝燮;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂和pH调节剂的蚀刻液组合物，其通过不包含氟类化合物并且pH为4以上，防止氧化物半导体在含铜和钼膜的蚀刻工艺中被蚀刻，从而使可能在蚀刻工艺中发生的不良最小化。此外，由于不需要以往为了确保氧化物半导体的稳定电气特性而应用的绝缘性保护层(蚀刻终止层)工艺，能够降低氧化物半导体TFT制造时的成本。
蚀刻组合

[发明专利]蚀刻液组合物-CN201811083417.3有效
发明人：朴相㴍;吴陈㙓;金益俊;金希泰;尹景湖;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂及双氧水稳定剂的蚀刻液组合物，通过不包含氟系化合物，且即使不使用pH值调节剂，也形成4以上的高pH值，从而在铜膜及含钼膜的蚀刻工序中，防止玻璃基板及半导体结构物被蚀刻，使在蚀刻工序中可能产生的不良达到最小。
蚀刻组合

1
共 2 条

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