|
钻瓜专利网为您找到相关结果 8个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体结构分析方法-CN202110105536.X有效
-
尹圣楠;袁安东;高金德
-
上海华力微电子有限公司
-
2021-01-26
-
2023-06-02
-
G01N27/62
- 本发明提供一种半导体结构分析方法,包括:提供一绝缘体上的基底,基底包括上半导体层、下半导体层,以及位于上半导体层和下半导体层之间的氧化层;上半导体层的表面形成测试区块;刻蚀测试区块形成刻蚀槽,刻蚀槽贯穿上半导体层和氧化层;向刻蚀槽填充导电介质形成导电通路;以及利用二次离子质谱分析方法对测试区块进行分析。如此配置,在形成的刻蚀槽中填充导电介质形成导电通路,以连接上半导体层和下半导体层,从而消除测试区块富集大量正电荷形成的电场,在进行二次离子质谱分析时,使二次离子可正常偏向接收器。进一步,通过研究所述测试区块和基底的二次离子信号频谱图,可大致确定氧化层于基底中的位置和氧化层的厚度。
- 半导体结构分析方法
- [发明专利]FIB样品座-CN201811396491.0有效
-
尹圣楠;史燕萍
-
上海华力集成电路制造有限公司
-
2018-11-22
-
2021-06-15
-
G01N23/2204
- 本发明公开了一种FIB样品座,包括样品座本体和底座,其中样品座本体与底座为一体结构,所述样品座采用防磁导电金属制成,所述样品座本体为六面体结构,该六面体的底面与顶面平行,四个侧面中至少一个侧面垂直于底面且至少一个侧面与底面的夹角α为40°~55°。本发明的样品座可以同时放置平面TEM样品、截面TEM样品以及FIB标记样品,从而可以提高物性失效分析的效率,延长螺纹连接的使用寿命,保持FIB真空值以提高FIB电子束的分辨率;同时与底面形成夹角的侧面上可同时放置FIB标记样品,从而减少进行共聚焦点高度Eucentric Height的时间。
- fib样品
|