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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310222416.7在审
发明人： 小西纲一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中源极扩散层和基极扩散层形成在半导体衬底的位于沟槽栅极与沟槽发射极之间的区域中，该沟槽栅极和沟槽发射极彼此间隔开。沟槽发射极、基极扩散层和绝缘膜具有从第一主表面朝向第二主表面退后的凹槽。共用接触构件以接触凹槽的方式从第一主表面朝向第二主表面突出。根据半导体器件的上述结构，能够在关断期间有效地将载流子释放到发射极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201010583222.2有效
发明人：盛一正成;小西纲一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件的方法，该方法提供一种含Al金属膜上的抗反射膜和导电栓塞之间的接触性能优异的半导体器件以及导电栓塞，具有良好的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘中间层(101)以及多层结构。绝缘中间层(101)形成在半导体衬底的上部分中。多层结构设置在绝缘中间层(101)上。在多层结构上顺序地形成Ti膜(105)、TiN膜(107)、AlCu膜(109)、Ti膜(111)、TiN膜(113)以及刻蚀调整膜(115)。该半导体器件包括绝缘中间层(103)和导电栓塞。绝缘中间层(103)设置在绝缘中间层(101)和多层结构上。导电栓塞贯穿绝缘中间层(103)和刻蚀调整膜(115)，以及导电栓塞的端面位于TiN膜(113)中。导电栓塞包括Ti膜(117)、TiN膜(119)和W膜(121)。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN200910006383.2有效
发明人： 小西纲一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括的步骤为：在绝缘夹层上方形成下抗蚀剂膜；在下抗蚀剂膜中形成在平面图中具有圆形几何形状的第一开口以及分别布置在所述第一开口的四侧的第二到第五开口；以及利用下抗蚀剂膜作为掩模，刻蚀所述将被刻蚀的膜，其中在所述将被刻蚀的膜的刻蚀步骤中，在处于第一开口和第二到第五开口中的每一个之间的下抗蚀剂膜的区域中形成硬化层，并且利用所述硬化层作为掩模，刻蚀所述将被刻蚀的膜，以便在所述将被刻蚀的膜中，在与下抗蚀剂膜的第一开口对应的位置处形成在平面图中具有矩形几何形状的接触孔。
制造半导体器件方法

[发明专利]电路图形设计支持系统和电路图形设计方法-CN200710199543.0无效
发明人： 小西纲一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种电路图形设计支持系统和电路图形设计方法。在该电路图形设计方法中，提供距离计算数据，其表示通孔束的形状与蚀刻后在通孔底部产生过蚀刻部分的通孔束间距离之间的关系；并提供临时布局数据，其包括用于形成通孔束的通孔布置数据。将临时布局数据中的一个通孔束设置为目标并识别目标通孔束的形状。通过参考距离计算数据来计算与目标通孔束的形状相应的通孔束间距离作为抑制距离；并对于该目标通孔束输出该抑制距离。
电路图形设计支持系统方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510113360.3无效
发明人：盛一正成;小西纲一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：提供一种含Al金属膜上的抗反射膜和导电栓塞之间的接触性能优异的半导体器件以及导电栓塞，具有良好的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘中间层(101)以及多层结构。绝缘中间层(101)形成在半导体衬底的上部分中。多层结构设置在绝缘中间层(101)上。在多层结构上顺序地形成Ti膜(105)、TiN膜(107)、AlCu膜(109)、Ti膜(111)、TiN膜(113)以及刻蚀调整膜(115)。该半导体器件包括绝缘中间层(103)和导电栓塞。绝缘中间层(103)设置在绝缘中间层(101)和多层结构上。导电栓塞贯穿绝缘中间层(103)和刻蚀调整膜(115)，以及导电栓塞的端面位于TiN膜(113)中。导电栓塞包括Ti膜(117)、TiN膜(119)和W膜(121)。
半导体器件及其制造方法