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[发明专利]一种MEMS应力隔离封装结构及其制造方法-CN201911000389.9有效
发明人：陈李;宋凤民;贾青青;张志强;徐溢 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种MEMS应力隔离封装结构及制造方法，包括MEMS芯片、应力隔离结构、封装管壳及引线。所述应力隔离结构包括MEMS芯片基座、平面波纹结构、连接结构和支撑框架结构；MEMS芯片基座位于应力隔离结构中心位置；平面波纹结构上下表面均具有连续的V形槽，分布在MEMS芯片基座边缘到连接结构之间，其正面的V形槽和背面的V形槽呈嵌套式分布，构成平面波纹形状。所述连接结构与支撑框架连接；所述支撑框架与管壳之间通过粘胶粘接；所述MEMS芯片粘接在MEMS芯片基座上，MEMS芯片焊盘通过引线实现与管针的电气连接。本发明的应力隔离结构通用性好，可以适合多种MEMS芯片的应力隔离封装，其平面波纹结构，对热应力的吸收效果好，并且加工工艺简单，易于实现批量制造。
一种 mems 应力隔离封装结构及其制造方法

[发明专利]一种MEMS应变式差分式压力传感器及制作方法-CN201910839863.0在审
发明人：陈李;宋凤民;贾青青;张志强;徐溢;李顺波 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明保护一种MEMS应变式差分式压力传感器及制作方法，包括金属应变电阻、绝缘层、应变硅片、硅岛结构和支撑框架结构，在硅片背面中间位置形成硅岛结构，在四周形成支撑框架结构，硅岛结构和支撑框架结构之间形成应变硅膜。所述硅岛结构沿Y轴方向的长度是沿X轴方向长度的2倍以上。所述金属应变电阻布置在应变硅片正面，并沿Y轴对称布置在应变硅膜与支撑框架连接应力集中区域、应变硅膜与硅岛结构的连接应力集中区域。本发明采用岛‑膜结构,形成对称的拉应力和压应力集中区域,解决现有应变式压力传感器难以形成对称差分测量布局的难题,抑制非线性误差和温度漂移，提高传感器的灵敏度和稳定性。
硅岛结构支撑框架结构应变硅膜应力集中区域应变电阻对称绝缘层应变式压力传感器金属非线性误差压力传感器差分测量硅片背面硅片正面温度漂移支撑框架差分式拉应力灵敏度膜结构压应力应变式传感器硅片制作

[发明专利]一种基于光栅共振的SERS基底及其制备方法-CN201810048528.4在审
发明人：陈李;郑亮;毛明健;宋凤民;徐溢 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光栅共振的SERS基底及其制备方法，包括衬底，所述衬底表面设有金属纳米光栅，在光栅条的侧壁上附着金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒通过金属盐溶液与光栅条侧壁的置换反应制得，在金属纳米光栅表面及栅槽底部均覆盖有隔离层。其具有较高的增强系数，一致性和重现性好，制备工艺简单。
光栅金属纳米颗粒金属纳米光栅条共振侧壁基底制备金属盐溶液衬底表面光栅表面置换反应制备工艺隔离层重现性衬底附着栅槽覆盖