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[发明专利]晶体硅提纯集成系统-CN201710377733.0有效
发明人：刘应宽;温卫东;冯全义;周雪梅;杨麒;卢赞东;严刚;李洋;姜丽华;锁晓峰 -专利权人： 宁夏东梦能源股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种晶体硅提纯集成系统包括：第一破碎装置、酸洗装置、原料硅矿热炉、第二破碎装置、除碳装置、电子束熔炼装置；通过第一破碎装置将粗硅料破碎，酸洗装置酸洗破碎料后利用原料硅矿热炉进行渣洗熔炼以获得原料硅。第二破碎装置对原料硅破碎后，除碳装置煅烧以降低第二破碎装置生产出的破碎料中的碳含量，电子束熔炼装置对煅烧后的破碎料进行熔炼除磷及以面积变化的面扫描方式及按照第一预定功率对除磷后的原料进行扫描升温，利用熔池与结晶的物料之间的固液界面来使杂质不断的向熔池内汇集、挥发；控制电子束枪以面积不变的面扫描方式且功率逐渐缩小而获得多晶硅半成品，将多晶硅半成品的底部和顶部杂质富集区锯切以获得多晶硅。
晶体提纯集成系统

[发明专利]利用矿热炉制备低硼硅的方法-CN201710377892.0有效
发明人：刘应宽;温卫东;李洋;高瑞祥;霍峰山;白建军;王泉锋 -专利权人： 宁夏东梦能源股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种利用矿热炉制备低硼硅的方法，包括以下步骤：在炉体的内壁上设置白刚玉浇注料耐火层、电极糊层，采用电极糊制成炉底，以缩小炉体内部的温度梯度及保证耐温性能；在炉底上设置便于引弧的电极桩，电极桩的数量与矿热炉的电极的数量相对应，在炉体的中部开设流渣通道及在炉体的下部开设硅液流出通道；将硅料、渣料混合以后的混合料；在每个电极下方先填预定量的硅料，预定量的硅料将与电极相正对的电极桩覆盖，起弧熔化后，定量投加混合料，采用“埋弧冶炼”方式进行熔炼；待混合料熔化完全，确保在高温状态下从炉体的流渣通道放出渣液后，再加渣料熔炼，再放出渣液，直至硅液中的硼含量满足产品要求后停止渣洗以获得低硼硅。
利用矿热炉制备低硼硅方法

[发明专利]利用中频炉冶炼工业硅的方法-CN201710377874.2有效
发明人：温卫东;冯全义;冯岩;卢赞东;严刚;锁晓峰;陈建军 -专利权人： 宁夏东梦能源股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种利用中频炉冶炼工业硅的方法，包括以下步骤：筑炉：配置刚玉浇注料，使用耐高温云母纸将涂有绝缘胶泥的感应线圈铺设在中频炉的炉体内的底部，完成铺设后，浇筑刚玉浇注料并使用振动棒对炉底进行打结，将缠有瓦楞纸的模具安装在炉膛中，将刚玉浇注料浇注在炉壁与瓦楞纸的模具之间的间隙中并进行打结，阴干后取出模具，中频炉的炉体内的刚玉浇注料形成熔炼坩埚，按照烘烤工艺对熔炼坩埚进行烘烤后，向炉内投入硅料进行熔化后，将炉内石墨电极取出；当投入的预定量硅料完全熔化后，进行渣洗熔炼，将硅液导入浇包后导出冷却后获得工业硅。
利用中频冶炼工业方法

[发明专利]利用电子束熔炼炉提纯多晶硅的方法-CN201710377606.0有效
发明人：刘应宽;温卫东;冯全义;杨麒;窦鹏 -专利权人： 宁夏东梦能源股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种利用电子束熔炼炉提纯多晶硅的方法，包括如下步骤：每个熔炼坩埚中每次加入单位量的硅料，控制电子束枪按照第一预定功率对单位量的硅料熔炼第一预定时间段，重复上述步骤，直至加入熔炼坩埚中的硅料的量与预定量相对应后，再熔炼第二预定时间段后，两个熔炼坩埚将熔融的原料先后交替流入水冷铜坩埚，利用水冷铜坩埚上方的电子束枪以面积变化的面扫描方式对流入的原料进行扫描，保证水冷铜坩埚内有熔池，来使杂质不断的向熔池内汇集、挥发；在水冷铜坩埚内的原料流满后，控制水冷铜坩埚上方的电子束枪以面积不变的面扫描方式且功率逐渐缩小，来降低功率及将硅锭中的杂质集中至硅锭顶部中心；冷却后出锭并锯切杂质富集区以获得多晶硅。
利用电子束熔炼炉提纯多晶方法

[实用新型]晶体硅提纯集成系统-CN201720591098.1有效
发明人：刘应宽;温卫东;冯全义;周雪梅;杨麒;卢赞东;严刚;李洋;姜丽华;锁晓峰 -专利权人： 宁夏东梦能源股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种晶体硅提纯集成系统包括：第一破碎装置、酸洗装置、原料硅矿热炉、第二破碎装置、除碳装置、电子束熔炼装置；通过第一破碎装置将粗硅料破碎，酸洗装置酸洗破碎料后利用原料硅矿热炉进行渣洗熔炼以获得原料硅。第二破碎装置对原料硅破碎后，除碳装置煅烧以降低第二破碎装置生产出的破碎料中的碳含量，电子束熔炼装置对煅烧后的破碎料进行熔炼除磷及以面积变化的面扫描方式及按照第一预定功率对除磷后的原料进行扫描升温，利用熔池与结晶的物料之间的固液界面来使杂质不断的向熔池内汇集、挥发；控制电子束枪以面积不变的面扫描方式且功率逐渐缩小而获得多晶硅半成品，将多晶硅半成品的底部和顶部杂质富集区锯切以获得多晶硅。
破碎装置原料硅多晶硅破碎料电子束熔炼装置除碳装置集成系统酸洗装置晶体硅矿热炉面扫描熔炼提纯除磷熔池煅烧半成品破碎电子束枪固液界面面积变化预定功率杂质富集逐渐缩小粗硅挥发锯切酸洗渣洗扫描生产

[发明专利]利用金刚线切割废硅粉生产2N级低硼硅技术及工艺集成-CN201810238913.5在审
发明人：刘应宽;温卫东;马晓林;李洋;王波;邓发;郑德;苏静 -专利权人： 宁夏东梦能源股份有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种利用金刚线切割废硅粉生产2N级低硼硅技术及工艺集成，包括以下步骤，气流分级：将金刚线切割产生的废硅粉烘干后作为原料，利用气流分级机将粒径为0.1～10um的硅粉收集，所收集的硅粉即为低硼硅粉；制坯并真空烘干：将低硼硅粉与纯水混合，得到泥料，将泥料制坯后放入烘箱中真空烘干，得到干燥坯料；真空烧结：将得到的干燥坯料在烧结炉内进行高温烧结，得到2N级低硼硅。采用的工艺彻底告别以往的酸液清洗工艺，物理法分离能有效的保证硅粉的纯度及后期提纯产出率，采用烧结法对硅粉进行固化，工艺路线紧凑，杜绝了二次污染。
低硼硅硅粉线切割废硅工艺集成真空烘干泥料坯料制坯烘箱气流分级机二次污染高温烧结工艺路线气流分级酸液清洗真空烧结产出率烧结法烧结炉物理法提纯烘干放入粒径固化紧凑生产保证

[实用新型]高效制备高纯气相沉积硅的装置-CN201721290329.1有效
发明人：刘应宽;罗学涛;温卫东;甘传海;杨麒;窦鹏 -专利权人： 宁夏东梦能源股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：一种高效制备高纯气相沉积硅的装置，电子束熔炼系统将硅融化，高温高真空使得液态硅变成饱和蒸汽硅，之后通过水冷收集装置，驱动气相硅快速沉积并形核，同时充足的过冷抑制晶粒长大，从而得到纳米晶粒，得到纳米级晶粒的高纯气相沉积硅；熔炼室是一个密封空间结构，收集室是一个密封空间结构，封闭舱门设置在熔炼室侧壁上，收集室在封闭舱门的一侧，封闭舱门打开后熔炼室和收集室连通，固定在收集室内的驱动装置与冷却板相匹配，封闭舱门打开状态时，驱动装置驱动冷却板转移至熔炼室或者收集室，设置在收集室的刮板装置与冷却板相匹配，冷却板移动至收集室时，刮除冷却板上沉积的硅。刮除的硅落入收集坩埚。
高效制备高纯沉积装置

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