专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种应用于中压载波通信的峰均比抑制方法-CN202011150926.0有效
  • 徐剑英;李亮;王亚梁;于洋;孙朝杰;王磊;郭怀林;林李平 - 青岛鼎信通讯股份有限公司
  • 2020-10-24 - 2022-09-06 - H04L27/26
  • 本发明提供一种应用于中压载波通信的峰均比抑制方法,首先通过子载波筛选进行预留位置的选择,预留位置可以选择信道中子载波选择性衰落比较大的子载波位置,若各子载波通信能力都较好,可进行IFFT(快速傅里叶逆变换)后直接发送;然后根据预留子载波位置进行各种相位组合下的填充,填充位置即被预留的位置;对填充后的序列进行自相关函数计算,自相关函数求和结果可以近似等价于当前码元的峰均比;第一级比较器选择自相关系数最小模块对应的频域序列组合进行后续处理发射,第二级比较器进行预留与不预留分配到各子载波的能量比较,保证落实到实际使用的各子载波能量最大。本发明大大降低计算复杂度,为子载波预留法抑制峰均比提供了可能性。
  • 一种应用于载波通信抑制方法
  • [发明专利]一种嵌入碳洋葱的超滑超薄碳涂层制备方法-CN201910560502.2有效
  • 王永富;张俊彦;张激扬;杨兴;孙朝杰 - 中国科学院兰州化学物理研究所
  • 2019-06-26 - 2021-06-22 - C23C16/26
  • 本发明涉及一种嵌入碳洋葱的超滑超薄碳涂层制备方法,包括以下步骤:⑴Si衬底放入由30%H2O2和98%H2SO4配成的溶液中,于100℃煮30~50min,得到活化的Si衬底;⑵将溶质N’‑[3‑(三甲氧基硅基)‑丙基]三乙烯三胺通过机械搅拌混入丙酮‑水的混合溶液中,得到TA溶液;⑶活化的Si衬底放入TA溶液中浸泡,得到浸泡后的Si衬底;⑷碳洋葱颗粒分散到有机溶剂内,随后放入浸泡后的Si衬底浸泡,得到二次浸泡的Si衬底;⑸将二次浸泡的Si衬底取出,经脱水后真空加热,得到带有碳洋葱颗粒的Si衬底;⑹带有碳洋葱颗粒的Si衬底利用PECVD设备在碳洋葱颗粒表面沉积类金刚石薄膜即得。本发明方法简单,易于实现,所制备的超滑超薄碳涂层在机械运动系统减磨抗磨的环境中具有潜在的应用前景。
  • 一种嵌入洋葱超薄涂层制备方法

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