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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种5-（3-（磺酰胺基）苯基）-1H-吡咯-2-羧酸衍生物及其制备方法和应用-CN202310009723.7有效
发明人：石英;智书梦;庄春林;吴嫣然;曲卓;唐家琴;姜瑞齐 -专利权人：宁夏医科大学
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C07D207/34 文献下载
摘要：本发明涉及药物化学技术领域，尤其涉及一种5‑(3‑(磺酰胺基)苯基)‑1H‑吡咯‑2‑羧酸衍生物及其制备方法和应用。本发明提供了一种5‑(3‑(磺酰氨基)苯基)‑1H‑吡咯‑2‑羧酸衍生物，本发明所述5‑(3‑(磺酰氨基)苯基)‑1H‑吡咯‑2‑羧酸衍生物可以干扰Keap1‑Nrf2相互作用，激活Nrf2及下游因子，降低炎症损伤，具有潜在的抗炎活性，可用于制备成抗炎药物用于众多炎症疾病的炎症损伤。
一种胺基苯基吡咯羧酸衍生物及其制备方法应用

[发明专利]基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路、模块-CN202310410709.8有效
发明人：朱童;姜瑞齐;王慧 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，结构简洁明了，方便实现。本发明采用下交叉耦合部与输入电路部并联的结构，避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题，同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化，自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接，断开非目标位线对输出节点的影响，从而降低失调电压和放大延时。
基于交叉耦合自适应关断型 sram 灵敏放大器电路模块

[发明专利]一种基于FPGA的图书管理机器人-CN202310337642.X有效
发明人：朱童;姜瑞齐;王慧 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B25J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及图书馆配套设备技术领域，特别是涉及一种基于FPGA的图书管理机器人。本发明基于FPGA设计，预先将图书存放信息进行数字化，通过选定图书操作生成信号，以确定出移动路径，然后通过读取RFID信息确定正确的存放书架、通过对标识图处理来核对出正确的图书信息以及图书坐标，进而通过控制机械臂进行图书抓取，实现了对图书的自动化、主动化、准确率高地找寻。
一种基于 fpga 图书管理机器人

[发明专利]苯并七元氮氧杂环吲哚-2-甲酰胺衍生物及其制备方法和用途-CN202310323234.9在审
发明人：石英;吴嫣然;智书梦;曲卓;唐家琴;姜瑞齐 -专利权人：宁夏医科大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C07D413/12 文献下载
摘要：本发明的苯并七元氮氧杂环吲哚‑2‑甲酰胺衍生物，其结构如下式(I)所示：其中，R选自‑H，‑F，‑CH3，‑CF3，‑OCH3，‑Ph基团中的一种。本发明还提供一种苯并七元氮氧杂环吲哚‑2‑甲酰胺衍生物的制备方法。本发明还提供一苯并七元氮氧杂环吲哚‑2‑甲酰胺衍生物作为RIPK1抑制剂的应用。本发明还提供了一类苯并七元氮氧杂环吲哚‑2‑甲酰胺衍生物在制备治疗多发性硬化症药物中的应用。本发明的苯并七元氮氧杂环吲哚‑2‑甲酰胺衍生物可以抑制RIPK1的活性，降低炎症损伤，可用于治疗多发性硬化症的药物。
七元氮氧杂环吲哚甲酰胺衍生物及其制备方法用途

[发明专利]基于边沿传输延迟的存算单元电路及乘累加计算电路-CN202310126689.1在审
发明人：郭嘉琦;柏苏;朱童;姜瑞齐 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F7/527 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及基于边沿传输延迟的存算单元电路，和采用该种单元电路构建的多比特时域的乘累加计算电路。本发明的存算单元电路包括两个SRAM存储部、延迟计算单元、位线联通开关。其中，两个SRAM存储部用于存储计算时需要的权重，并提供2bit权重作为乘数。延迟计算单元采用了由四个局部延时单元，每个局部延时单元可以计算2bit权重乘2bit输入，使延迟计算单元可以计算2bit权重乘8bit输入，以提高计算效率。此外，在局部延时单元中添加用于规范边沿信号的反相器，提高单元延迟和时域累加的准确性。
基于边沿传输延迟单元电路累加计算

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