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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

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2023-10-10 公布专利

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2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]整流二极管管芯结构-CN201120403711.5有效
发明人：李治刿;张剑;俞建;李驰明 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件，特别涉及一种整流二极管管芯结构。本实用新型公开了一种整流二极管管芯结构。本实用的技术方案是，整流二极管管芯结构，所述管芯由自上而下的N+层、N-层、P-层和P+层构成，所述N+层上表面和P+层下表面有欧姆接触层。本实用新型的管芯制作工序中，在进行P区质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，N-层和P-层交界处为管芯的PN结。这种结构提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量和可焊性，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本实用新型可用于制造高压整流二极管。
整流二极管管芯结构

[实用新型]整流二极管-CN201120403734.6有效
发明人：李治刿;张剑;俞建;李驰明 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件，特别涉及一种整流二极管。本实用新型公开了一种整流二极管。本实用新型的技术方案是，整流二极管，包括管芯和引线，所述管芯由自上而下的N+层、N-层、P-层和P+层构成，所述N+层上表面和P+层下表面有欧姆接触层，所述引线与欧姆接触层连接，所述管芯涂覆有保护层。本实用新型的管芯，在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的管芯，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本实用新型主要用于制造高耐压整流二极管。
整流二极管

[发明专利]整流二极管制造方法-CN201110322164.2无效
发明人：李治刿;张剑;俞建;李驰明 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流二极管制造方法，改进现有技术的生产工艺，提高器件性能。本发明的整流二极管制造方法在管芯制作的扩散工序中，在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的管芯，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本发明调整了工序流程，在焊接引线之前进行管芯腐蚀，有利于得到合适的晶粒形状，在焊接引线前先形成PN结台面，减少化学药剂使用量，大大的降低了二极管行业的污染。
整流二极管制造方法

[发明专利]整流二极管管芯制造方法-CN201110322315.4无效
发明人：李治刿;张剑;俞建;李驰明 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种整流二极管管芯制造方法。本发明公开了一种整流二极管管芯制造方法，改进了现有技术的生产工艺。本发明的整流二极管管芯制造方法，在管芯制作的扩散工序中，在P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的晶粒，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本发明调整了工序流程，在焊接引线之前进行管芯腐蚀，有利于得到合适的晶粒形状，简化二极管制造工序。本发明的整流二极管管芯特别适合用于制造高压整流二极管。
整流二极管管芯制造方法

[实用新型]金属化平面整流器-CN201020522037.8无效
发明人：俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体整流器。本实用新型针对现有技术整流器厚度大不利于小型化及散热效果差的缺点，公开了一种采用金属化封装的整流器。本实用新型的技术方案是，金属化平面整流器，包括塑封层、芯片、绝缘隔离层、电极、引线框架，所述芯片背面置于绝缘隔离层正面，所述电极从芯片正面引出并与引线框架连接，所述绝缘隔离层背面连接有散热片，所述散热片与所述塑封层共同构成所述整流器的封装结构。本实用新型的整流器，芯片背面没有电极和引线框架，方便进行绝缘和金属化处理实现金属化封装，并降低整流器的厚度。由于芯片几乎可以直接与金属化封装结构接触，降低了芯片散热的热阻，可以提高整流器散热效果，非常适合制造表面贴装器件。
金属化平面整流器

[实用新型]单层引线框架整流器-CN201020522079.1无效
发明人：俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体整流器。本实用新型针对现有技术整流器厚度大不利于小型化的缺点，公开了一种采用平面PN结结构的整流器，降低整流器管芯厚度，提高器件的小型化水平并改善芯片散热效果。本实用新型的技术方案是，单层引线框架整流器，包括引线框架，电极、4只芯片和基片，每只芯片包括相交的P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和N型半导体分别通过电极与引线框架连接，4只芯片连接成桥式整流电路，其特征在于，每只芯片中P型半导体和N型半导体均位于芯片正面，4只芯片正面朝上，所有电极位于芯片正面并与引线框架连接，4只芯片背面位于同一平面并直接与基片相连。本实用新型特别适合制造表面贴装器件。
单层引线框架整流器

[实用新型]一种整流二极管-CN201020522061.1无效
发明人：俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种整流二极管。本实用新型针对现有技术整流二极管芯片厚度大，不利于产品小型化的缺点，公开了一种平面结构的整流二极管。本实用新型的技术方案是，一种整流二极管，包括芯片和引出电极，所述芯片具有P区、N区及其形成的PN结，所述引出电极分别与P区和N区相连，所述P区和N区并排于所述芯片同一面，所述P区和N区横向相交形成PN结，所述引出电极位于所述芯片同一面。本实用新型降低了整流二极管厚度，有利于产品的小型化，引出电极位于芯片同一面，降低了芯片焊接工艺的复杂性。本实用新型特别适合制造表面贴装器件。
一种整流二极管

[发明专利]一种平面整流器-CN201010271563.6无效
发明人：俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 -专利权人： 四川太晶微电子有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体整流器。本发明针对现有技术整流器厚度大，不利于产品小型化及散热效果差的缺点，公开了一种平面整流器。本发明的技术方案是，一种平面整流器，包括引线框架、芯片层和散热片，其特征在于，所述芯片层上分布4只半导体芯片，每只半导体芯片构成一只二极管，所有二极管电极从芯片层正面引出，并与引线框架连接成桥式整流电路；所述引线框架位于芯片层正面，所述芯片层背面经过绝缘处理和金属化处理后与散热片连接在一起。本发明的整流器厚度低，有利于产品的小型化。产品结构紧凑，散热效果好，成本低，非常适合制造表面贴装器件。
一种平面整流器

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