专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于水路净化的深紫外线灭菌设备-CN202320537990.7有效
  • 汤磊;王玺;徐丽琼;周江;吴叶楠 - 嘉兴鼎镓半导体有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-08-25 - C02F1/32
  • 本实用新型提供一种用于水路净化的深紫外线灭菌设备,包括内胆组件,其包括中空的内胆体、若干个灭菌模组、以及两匚型内壳体,其中内胆体沿长度方向的侧面依次设有与各灭菌模组一一对应的贯穿式安装孔,每一灭菌模组容置在对应的安装孔内,且每一灭菌模组两端均延伸出对应的安装孔,每一灭菌模组两端均套设有密封垫圈,两匚型内壳体开口相向卡住内胆体,且每一灭菌模组两端分别与两匚型内壳体底面相抵,每一密封垫圈的一面与内胆体相抵、另一面与对应的匚型内壳体底面相抵;以及外壳组件,其用以包裹所述内胆组件。本设备结构简单,可以对水管内的水体进行灭菌,成本低,适合普及。
  • 一种用于水路净化深紫外线灭菌设备
  • [实用新型]一种可调节光照面积的消毒内胆-CN202223360954.2有效
  • 汤磊;王玺;吴叶楠;刘继军;周江;裘伟栋;徐丽琼 - 嘉兴鼎镓半导体有限公司
  • 2022-12-12 - 2023-07-25 - A61L2/10
  • 本实用新型公开了一种可调节光照面积的消毒内胆。消毒内胆包括箱体和消毒装置;箱体的侧壁上设有一个开口和一个透光槽,消毒装置包括深紫外灭菌芯片和驱动组件,深紫外灭菌芯片设置在箱体外,且与透光槽相对应,驱动组件与深紫外灭菌芯片传动连接,以驱动深紫外灭菌芯片相对透光槽上下运动。本实用新型的一种可调节光照面积的消毒内胆,通过驱动组件驱动深紫外灭菌芯片相对透光槽上下运动,深紫外灭菌芯片的照射面积为S=πR2,因此,调节深紫外灭菌芯片的移动可使目标物受照射面积增大,受消毒面积变大,提高消毒效果。
  • 一种调节光照面积消毒内胆
  • [实用新型]一种基于锂电池供电的深紫外LED恒流驱动电路-CN202222692074.9有效
  • 汤磊;刘继军;吴叶楠;徐丽琼 - 嘉兴鼎镓半导体有限公司
  • 2022-10-10 - 2023-04-07 - H05B45/345
  • 本实用新型提供了一种基于锂电池供电的深紫外LED恒流驱动电路,由锂电池充放电电路、工作指示灯电路、升压电路、童锁/开关电路和深紫外LED电流驱动电路组成。升压电路输入端连接锂电池充放电电路输出端一,升压电路输出端一、输出端二分别连接童锁/开关电路输入端和工作指示灯电路,童锁/开关电路输出端和锂电池充放电电路输出端二分别连接深紫外LED电流驱动电路输入端一及其输入端二,锂电池充放电电路输出端三和深紫外LED电流驱动电路输出端一均连接工作指示灯电路,深紫外LED电流驱动电路输出端二连接深紫外LED。本实用新型的有益效果是:实现高效、稳定地驱动深紫外LED灯和功耗低,电路占地面积小,适用于轻小型消毒电器,成本低。
  • 一种基于锂电池供电深紫led驱动电路
  • [实用新型]一种基于深紫外电弧故障检测的防雷插座-CN202220270532.7有效
  • 汤磊;刘继军;吴叶楠;姜栋裕;徐丽琼 - 嘉兴鼎镓半导体有限公司
  • 2022-02-10 - 2022-12-13 - H01R13/66
  • 本实用新型提供了一种基于深紫外电弧故障检测的防雷插座,电弧故障检测电路和电涌防护电路,所述电弧故障检测电路的输入端接交流电的火线L,输出端接交流电的零线N,所述电涌防护电路的输入端接交流电的火线L,两个输出端分别接交流电零线N和地线E;所述电弧故障检测电路包括钳位二极管D2、分流电阻R2~R4、发光二极管LED2和深紫外电弧检测芯片UVC1,所述电涌防护电路包括保险丝F1、工作指示电路、温度保险丝TF2~TF3、压敏电阻RV1~RV3和气体放电管GDT1。本实用新型的有益效果是:本发明公开的插座,通过设备或雷电产生的240nm~320nm弧光照射插座,蓝色LED灯会点亮,没有照射时蓝色灯熄灭,检测操作简单,节约成本,且提高了插座的检测准确率和灵敏度。
  • 一种基于深紫外电故障检测防雷插座
  • [发明专利]一种UVC-LED芯片及其制作方法-CN202210330341.X在审
  • 汤磊;徐丽琼;吴叶楠;姜栋裕 - 嘉兴鼎镓半导体有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-08-23 - H01L33/32
  • 本发明公开了一种UVC‑LED芯片及其制作方法。本发明提供的UVC‑LED芯片,通过在LED外延层生长过程中插入蚀刻速率差异相对较大的蚀刻停止层,只让p‑GaN层可选择性地进行蚀刻,选择性地留下p‑GaN层,剩下其他的全部覆盖上P电极层。因P电极层内部保留了一部分的p‑GaN层,通过它很容易形成和P电极层的欧姆接触,可以降低驱动电压,而且大部分的P电极层中并不存在p‑GaN或存在p‑GaN的可忽略不计,通过最小化在活性层发生的光吸收导致的光损失,提高了通过P电极层的反射率,从而有效提高UVC‑LED的光效率。而且本发明提供的UVC‑LED芯片制作方法,工艺稳定,操作简单,适用工厂放大生产。
  • 一种uvcled芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种紫外线发光二极管结构-CN202210253152.7在审
  • 汤磊;李尚俊;吴叶楠;姜栋裕;徐丽琼 - 嘉兴鼎镓半导体有限公司
  • 2022-03-15 - 2022-08-05 - H01L33/40
  • 本发明提供了一种紫外线发光二极管结构,紫外线发光二极管结构包括基板、生长于基板上的外延层;外延层自基板起包括依次层叠的缓冲层、AlGaN层、nAlGaN层、第一金属电极层、多量子阱发光层、Al组分比为预设比值的pAlGaN层、第二金属电极层和PGaN层;多量子阱发光层的面积与pAlGaN层的相同,且小于nAlGaN层的面积;PGaN层的面积小于pAlGaN层的面积;第一金属电极层与nAlGaN层形成欧姆接触;第二金属电极层包括第一P电极和第二P电极,第一P电极和第二P电极连接,或者不连接;第二P电极与PGaN层形成欧姆接触;第一P电极与pAlGaN层未被PGaN层覆盖的部分形成欧姆接触。本发明能够分别实现pAlGaN层与其上的金属电极层和pGaN层与其上的金属电极层的欧姆接触,从而进一步提高出光效率。
  • 一种紫外线发光二极管结构
  • [发明专利]一种基于深紫外电弧故障检测的防雷插座-CN202210124529.9在审
  • 汤磊;刘继军;吴叶楠;姜栋裕;徐丽琼 - 嘉兴鼎镓半导体有限公司
  • 2022-02-10 - 2022-06-28 - H01R13/66
  • 本发明提供了一种基于深紫外电弧故障检测的防雷插座,电弧故障检测电路和电涌防护电路,所述电弧故障检测电路的输入端接交流电的火线L,输出端接交流电的零线N,所述电涌防护电路的输入端接交流电的火线L,两个输出端分别接交流电零线N和地线E;所述电弧故障检测电路包括钳位二级管D2、分流电阻R2~R4、发光二级管LED2和深紫外电弧检测芯片UVC1,所述电涌防护电路包括保险丝F1、工作指示电路、温度保险丝TF2~TF3、压敏电阻RV1~RV3和气体放电管GDT1。本发明的有益效果是:本发明公开的插座,通过设备或雷电产生的240nm~320nm弧光照射插座,蓝色LED灯会点亮,没有照射时蓝色灯熄灭,检测操作简单,节约成本,且提高了插座的检测准确率和灵敏度。
  • 一种基于深紫外电故障检测防雷插座

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