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[发明专利]具有低阈值电压和高击穿电压的二极管-CN201980002366.3有效
发明人：张孟文;哈山·奥萨马·埃尔温 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：描述了实现具有低阈值电压和高击穿电压的二极管(200，300，400)的技术。一些实施例还实现了具有可编程阈值电压的二极管器件(200，400)。例如，实施例可以将本征器件(230)与一个或多个低阈值、二极管连接的器件(220)耦合。该耦合使得低阈值器件(220)提供低阈值电压，同时被本征器件(230)保护免于击穿，有效地表现为高击穿电压。一些实现包括可选分支，通过该可选分支，本征器件(230)与多个低阈值、二极管连接的器件(220)中的任何一个可编程地耦合。
具有阈值电压击穿二极管

[发明专利]低压参考电流电路-CN201880003287.X有效
发明人：穆罕默德·阿布迪娜;艾哈迈德·埃米拉;哈山·奥萨马·埃尔温 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种电流参考电路，包括：电流源，第一p沟道金属氧化物半导体(p‑channel metal oxide semiconductor，PMOS)晶体管，其具有耦合到第一电源电压的源极、栅极和耦合到电流源的漏极，以及n沟道金属氧化物半导体(n‑channel metal oxide semiconductor，NMOS)晶体管，其具有耦合到第二电源电压的漏极、耦合到所述第一PMOS晶体管的所述漏极的栅极。所述电流参考电路还包括第一电阻元件，其具有耦合到所述NMOS晶体管的源极和所述第一PMOS晶体管的所述栅极的第一端子以及耦合到地电位的第二端子，第二PMOS晶体管，其具有耦合到所述第一电源电压的源极，以及第二电阻元件，其具有耦合到所述第一电阻元件的所述第一端子的第一端子和耦合到所述第二PMOS晶体管的所述栅极的第二端子。
低压参考电流电路