专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于光栅条纹投影的相位映射高精度投影仪标定方法-CN202311167828.1在审
  • 洪汉玉;陈凌;朱映;周铭昊;习文毅 - 武汉工程大学
  • 2023-09-12 - 2023-10-20 - G06T7/80
  • 本发明公开了一种基于光栅条纹投影的相位映射高精度投影仪标定方法,包括以下步骤:搭建基于光栅条纹投影的相位映射标定系统;通过相机对标定板进行采样,得到带标记点的相机图像;投影仪对标定板连续投射带编码信息的横、竖相移条纹以及互补格雷码图案,通过相机采集图像,并进行相位解算,得到标记点附近局部区域的相位信息;进行相位平面拟合得到最佳拟合相位平面,并完成相位去噪;计算去噪后的标记点附近的局部区域中各点的高斯径向基函数值,并计算该标记点附近的局部区域对应的相位插值,映射到投影仪中对其进行参数标定。本发明提高了光栅条纹投影系统中投影仪标定的精度,进而提高光栅条纹投影三维测量的精度。
  • 基于光栅条纹投影相位映射高精度投影仪标定方法
  • [发明专利]射频开关电路及形成方法-CN202310139906.0在审
  • 周铭昊;刘张李 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-05-09 - H01L27/088
  • 本发明提供了一种射频开关电路及形成方法,包括:M个MOS管栅结构,从信号输入端开始第一级到第M级MOS管栅结构的偏压依次减小,将所有MOS管栅结构按照偏压的不同分为第一类到第N类MOS管栅结构;第一氧化层,位于所有MOS管栅结构上;第一金属层,位于第一氧化层上,第一金属层包括多个间隔的金属线,相邻两根金属线之间的第一氧化层中具有凹槽;介质层,介质层覆盖第一金属层、第一氧化层及填充凹槽,介质层在相邻金属线之间形成有空气间隙;第二至第N金属层,第一类MOS管栅结构上具有第一至第N金属层,第二类MOS管上具有第一至第N‑1金属层,第N‑1类MOS管上具有第一金属层和第二金属层。
  • 射频开关电路形成方法
  • [发明专利]射频开关电路及形成方法-CN202211514542.1在审
  • 周铭昊;刘张李 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-03-28 - H01L27/088
  • 本发明提供了一种射频开关电路及形成方法,包括:形成多个MOS管栅结构,分为第一类MOS管栅结构和第二类MOS管栅结构;形成第一氧化层;形成第一金属层,包括多个间隔的金属线,每个MOS管栅结构的源极和漏极均分别和一个金属线连通,其中,第二类MOS管栅结构中,在相邻两根金属线之间的第一氧化层中均形成凹槽;形成介质层,介质层在相邻金属线之间均形成有空气间隙,形成在第一类MOS管栅结构上方的空气间隙的体积小于形成在第二类MOS管栅结构上方的空气间隙的体积。使得第一类MOS管中金属线产生的寄生电容比第二类MOS管中金属线产生的寄生电容更大,降低了第一类MOS管的偏压,减小了第一类MOS管击穿的风险。
  • 射频开关电路形成方法

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