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[发明专利]可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器-CN02126225.X无效
发明人：赖良维;金雅琴 -专利权人： 双汉科技股份有限公司
申请日： 2002-07-16 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种可消除内在像素固定噪声的对数极式的互补式金氧半导体影像传感器，具有第一至第四晶体管、光二极管以及电流源。其中第一晶体管栅极端与第一连接端耦接于第一节点，第一节点耦接最高电压。第二晶体管栅极端与第一晶体管第二连接端耦接于第二节点，且第二晶体管的第一连接端耦接最高电压。第三晶体管栅极端耦接列选择信号，且第三晶体管第一连接端耦接第二晶体管第二连接端，而第三晶体管第二连接端为电压输出端。第四晶体管栅极端耦接控制信号，且第四晶体管第一连接端耦接第二节点。光二极管第一连接端耦接第四晶体管第二连接端，且光二极管第二连接端耦接地。电流源第一连接端耦接第三晶体管第二连接端，且电流源第二连接端耦接地。
消除像素噪声对数互补式金氧半导体影像传感器

[发明专利]电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器-CN02126226.8无效
发明人：赖良维;金雅琴 -专利权人： 双汉科技股份有限公司
申请日： 2002-07-16 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器具有第一至第三晶体管以及感测装置。其中第一晶体管栅极端以及第一连接端耦接于最高电压。第二晶体管栅极端与第一晶体管第二连接端耦接于一节点，且第二晶体管第一连接端耦接最高电压。第三晶体管栅极端耦接列选择信号，且第三晶体管第一连接端耦接第二晶体管第二连接端，此外，第三晶体管第二连接端为一电压输出端。感测装置中PMOS晶体管第一连接端耦接此节点，且此PMOS晶体管第二连接端耦接地，其栅极端耦接电压控制信号，而其中的横向PNP双载子接面晶体管发射极连接端耦接此节点，且此横向PNP双载子接面晶体管集电极连接端耦接地，此横向PNP双载子接面晶体管的基极浮置。
电流放大对数互补半导体影像传感器

[发明专利]混合照光区的互补式金氧半影像传感器结构及其电位读取方法-CN02103420.6无效
发明人：郑秀渝;金雅琴 -专利权人： 双汉科技股份有限公司
申请日： 2002-02-05 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种混合照光区的互补式金氧半影像传感器结构及其电位读取方法，其运用由光二极管及光栅极体所组成的照光区来接收光源的照射，并经过控制光栅极体的栅极电压操作来改变其灵敏度，再多次读取其电位变化，并利用不同时间读取的不同运作条件的电位具有相同的暗电流与固定噪声的特性，求取其差值以消除其暗电流及固定噪声，求取其和以提供于低照度时，拥有较高的灵敏度，而于高照度时，拥有较低的灵敏度，以增加其动态范围。
混合照光区互补式金氧半影传感器结构及其电位读取方法

[发明专利]可降低暗电流的互补式金氧半图像传感器结构及其布局方法-CN02103421.4无效
发明人：郑秀渝;金雅琴 -专利权人： 双汉科技股份有限公司
申请日： 2002-02-05 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种可降低暗电流的互补式金氧半图像传感器结构及其布局方法，其运用重置晶体管栅极的Poly将照光二极管的照光区与场效氧化层转角隔开，以降低因照光区周围与场效氧化层转角的接口所产生的漏电流，并将此Poly的两侧延伸至与相邻像素的Poly连接共享，以扩大照光区的面积，并提高其填满系数。
降低电流互补式金氧半图像传感器结构及其布局方法

[发明专利]可增加填满系数的互补式金氧半影像传感器结构-CN02103506.7无效
发明人：张贤钧;金雅琴 -专利权人： 双汉科技股份有限公司
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种可增加填满系数的互补式金氧半影像传感器结构，是将一光二极管与三个N型晶体管所组成的影像传感器，因工艺规则造成的填满系数限制加以改善，以增加其填满系数。其中的一例是将两个N型晶体管改为P型晶体管，并直接制作于光二极管的N型井上，再一例则将另一N型重置晶体管改为重置二极管，且也直接制作于光二极管的N型井上，另一例还将其中的重置二极管与源极随藕器晶体管共享，此三例均可将其中的输出选择晶体管省略，以进一步提高其填满系数。
可增加填满系数互补式金氧半影传感器结构

[发明专利]光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法-CN00107096.7无效
发明人：郭东政;廖崇维;金雅琴;徐清祥 -专利权人： 双汉科技股份有限公司
申请日： 2000-04-29 - 公布日： 2001-11-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法,在基体上形成介电层与导体层,以光刻与蚀刻技术构成导体层与介电层,使导体层形成晶体管栅极导体层及数个位于二极管感光区的虚拟栅极。在基体中形成源极/漏极的轻掺杂区及二极管感光区的掺杂区。在栅极导体层及虚拟栅极侧壁形成间隙壁,以使间隙壁相连。再在基体中形成源极/漏极的重掺杂区。再进行自动对准金属硅化物制作工艺,以在栅极导体层及源极/漏极上形成金属硅化物。
二极管互补金属氧化物半导体图像传感器制造方法