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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]陶瓷金属电路基板以及使用了该陶瓷金属电路基板的半导体装置-CN201680039837.4有效
发明人：那波隆之;加藤宽正;北森升 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种陶瓷金属电路基板，其特征在于，具备陶瓷基板、以及分别介由接合层与该陶瓷基板的两面接合的金属板，其中，在设置于所述陶瓷基板的一面的金属板的表面设置金属被膜，同时在设置于另一面的金属板的表面具有未设置金属被膜的部位。而且，接合层优选形成有从金属板的侧面露出的露出部。根据上述构成，可以提供一种与所接合的部件配合后的使用方便性优良、耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。
陶瓷金属路基以及使用半导体装置

[发明专利]氮化硅电路基板以及使用了该氮化硅电路基板的半导体模块-CN201680011891.8有效
发明人：加藤宽正;北森升 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明的氮化硅电路基板是金属板与三点弯曲强度为500MPa以上的氮化硅基板的两面接合而成的，其特征在于，在将表面侧金属板的厚度设定为t1、将背面侧金属板的厚度设定为t2时，厚度t1或t2中的至少一者为0.6mm以上，并且满足0.10≤|t1‑t2|≤0.30mm，氮化硅基板在长边方向和短边方向上翘曲量均为0.1～0.5mm的范围内。根据上述构成，能够在表背金属板的厚度大的氮化硅电路基板中提高TCT特性。
氮化路基以及使用半导体模块

[发明专利]放电灯用阴极部件-CN201380009347.6有效
发明人：青山齐;馆泽正博;北森升 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2013-02-13 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01J61/067 文献下载
摘要：本发明提供一种耐久性高的放电灯用阴极部件。是具备线径2～35mm的躯干部、前端细的前端部的放电灯用阴极部件，上述阴极部件的特征在于：上述阴极部件由按照氧化物ThO₂换算而含有0.5～3wt％的钍成分的钨合金构成，在上述躯干部的圆周方向截面中，以单位面积300μm×300μm的面积比观察钨的结晶时的、结晶粒径处于1～80μm的范围内的钨结晶为90％以上，并且在上述躯干部的侧面方向截面中，以单位面积300μm×300μm的面积比观察钨的结晶时的、结晶粒径处于10～120μm的范围内的钨结晶为90％以上。
电灯阴极部件

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