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[发明专利]太阳能单电池集合体和太阳能单电池的制造方法-CN202010222948.7在审
发明人：佐久间俊行;村田和哉;片桐雅之;大钟章义;北原明直 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/046 文献下载
摘要：太阳能单电池集合体(1)包括：多个太阳能单电池(10)和设置在多个太阳能单电池(10)中的相邻的太阳能单电池(10)之间的单电池间区域(50)。它们各自包括：具有彼此背对的一个主面(20a)和另一个主面(20b)的第1导电型的半导体基片(20)；设置在半导体基片(20)的一个主面(20a)侧的第2导电型的第1非晶半导体层(21p)；设置在第1非晶半导体层(21p)上的一部分区域的绝缘层(51)；和以覆盖绝缘层(51)的方式设置在第1非晶半导体层(21p)上的第1透明导电膜(22)。绝缘层(51)设置成在俯视太阳能单电池集合体1时沿着单电池间区域(50)并且一部分与单电池间区域(50)重叠。
太阳能电池集合体制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510125400.6无效
发明人： 北原明直 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的半导体装置在与在三阱上形成的第三N型阱(18)的外围连接的区域上，将与第三阱的导电型相反的杂质导入形成第四P型阱(20)。此时，使导入的杂质浓度，比在形成第三N型阱(18)时所导入的杂质浓度低。这样通过形成第四P型阱(20)，由于提高了第三N型阱(18)和第四P型阱(20)之间的接点耐压，因此能够降低给半导体基板施加的基准电位。并且通过控制使基准电位变低从而能够抑制闩锁现象的产生。从而提供一种具有抑制闩锁现象产生的三阱构造的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200410047681.3有效
发明人： 北原明直 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-05-26 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种减小电容元件的电压依存性且提高PN结耐压的半导体装置。在P型硅基板(1)的表面上配置第一N井(2)，在该第一N井(2)内，与此重叠地配置有第二N井(3)。在栅极绝缘膜(4)上的全面及场绝缘模(5)的一部分上配置栅电极(8)。而且，在第二N井(3)的表面上形成具有高P型杂质浓度的P+型扩散层(6)。P+型扩散层(6)的端部与电场集中的场绝缘膜(5)的端部{连接栅极绝缘膜(4)与场绝缘模(5)的部位}分隔开。即，P+型扩散层(6)的端部，从场绝缘膜(5)的端部，朝栅极绝缘膜(4)的方向，离开内侧地配置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410004852.4无效
发明人： 北原明直 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供能够一边希望维持晶体管的性能，一边适当地抑制其电阻增大的半导体装置及其制造方法。在P阱30中，在P沟道的高耐压晶体管UNT的源极区域31和沟道33之间，或在漏极区域32和沟道33之间形成槽34、35，在该槽34、35内填充绝缘物34z、35z。而且，在P阱30中，从沟道33一侧向源极区域31一侧沿着槽34形成其杂质浓度比源极区域31小的LDD区域36。另外，在P阱30中，从沟道33一侧向漏极区域32一侧沿着槽35形成其杂质浓度比漏极区域32小的的LDD区域37。
半导体装置及其制造方法