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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]膜处理装置-CN202180070190.2在审
发明人：大川泰弘;奥村洋一;富田浩树;前田润;小林拓之 -专利权人：株式会社久保田
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B01D63/08 文献下载
摘要：一种具有浸渍设置在被处理液中的多个平膜元件(2)的膜处理装置(1)，平膜元件(2)使膜面对置地在第一方向上排列配置有多个，在平膜元件(2)的第二方向的一侧的端部设置有保持平膜元件(2)的支承部件(8)，在平膜元件(2)的下方设置有散气单元(10)，平膜元件(2)的下侧缘形成为从第二方向的一侧朝向另一侧向上方延伸、或者向上方以及水平方向延伸。
处理装置

[发明专利]膜组件以及膜分离设备-CN201880084717.5有效
发明人：森茂之;松崎好男;前田润;大川泰弘 -专利权人：株式会社久保田
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B01D63/00 文献下载
摘要：在过滤膜(22)和流路构件(21)相接合的膜组件(12)中，流路构件(21)是将纱以三维结构配置的构件，并在其内部具有供透过过滤膜(22)的渗透液流动的空隙(32)，在外表面具有与过滤膜(22)接合的接合面(25)，形成接合面(25)的纱(29、30)的至少一部分是具有比构成过滤膜(22)的材料的软化点低的软化点的低熔点纱。
组件以及分离设备

[发明专利]计算方法、计算程序以及计算装置-CN201180075455.4在审
发明人： 前田润 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G06Q50/02 文献下载
摘要：本发明涉及计算方法、计算程序以及计算装置。计算装置(101)取得表示农机(M)的移动轨迹的时间序列上的一系列位置数据。计算装置(101)计算连接所取得的一系列位置数据中的连续的位置数据所表示的二点间的每条线段的斜率。计算装置(101)基于计算出的每条线段的斜率，从一系列位置数据中，提取表示农机(M)的移动轨迹中的线段的斜率连续地成为范围(SR)内的区间的位置数据的集合。计算装置(101)基于提取出的表示区间的位置数据的集合，计算基于农机(M)的农作业的作业区间的距离。
计算方法计算程序以及装置

[发明专利]在有源元件之上具有连接焊盘的半导体集成电路-CN200510004694.7有效
发明人： 前田润 -专利权人：川崎微电子股份有限公司
申请日： 2005-01-21 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种在有源元件之上设置有连接焊盘的半导体集成电路。连接焊盘分成检测区和键合区，且分别在各个区域下面形成加强结构。使用比用于形成键合区下面的加强结构的布线层数少的布线层数来形成检测区下面的加强结构。结果，有效地利用检测区下面的布线层来形成用于实现集成电路的逻辑功能的引线。
有源元件之上具有连接半导体集成电路

[发明专利]形成半导体集成电路布局结构的方法、布局结构及光掩模-CN200410064152.4有效
发明人： 前田润 -专利权人：川崎微电子股份有限公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及在计算机上执行半导体集成电路的布局方法。本发明提出了用于设计半导体集成电路的布局方法，该方法能够抑制构图大小的偏移。分布多个标准胞元(10)以形成具有垂直侧和水平侧的无沟道类型的标准胞元阵列(1)。多个第一临近伪胞元(20)沿着标准胞元阵列的每一个垂直侧而分布，以形成第一临近伪条带(20)，以便第一临近伪胞元的上侧和下侧相互接触，并且以便每一个第一临近伪胞元的左侧或右侧与标准胞元阵列(1)的垂直侧相接触。进而，多个第二临近伪条带沿着标准胞元阵列的每一个水平侧而分布，以形成第二临近伪条带，以便第二临近伪胞元的上侧或下侧与标准胞元阵列(1)的水平侧相接触。
形成半导体集成电路布局结构方法光掩模

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