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[发明专利]功率MOS管-CN202210385702.0在审
发明人：刘剑;白玉芳;初丹红 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种功率MOS管，属于半导体制造技术领域。功率MOS管包括：半导体衬底；有源区包括第一有源区与第二有源区，均位于半导体衬底上方；电极，位于有源区的上方，包括交替排列且位于同一金属层的第一电极和第二电极，第一电极与第一有源区连接，第二电极与第二有源区连接，第一电极与第二电极均为三段式结构，均包括依次连接且宽度逐渐递增的第一段、中间段与第二段，在第一段上设置有通孔；以及引脚电极，位于第一电极与第二电极之上，包括第一引脚电极和第二引脚电极，第一引脚电极通过位于第一电极上的通孔与第一电极的第一段连接，第二引脚电极通过位于第二电极上的通孔与第二电极的第一段连接。
功率 mos

[发明专利]一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图-CN202110795563.4在审
发明人： 初丹红;白玉芳 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：所述芯片版图中包括多排低压功率管、多排背栅管；其中，所述多排低压功率管与所述多排背栅管之间依次交替设置；所述多排背栅管中包括一排或多排第一背栅管和一排或多排第二背栅管，且第一背栅管和第二背栅管之间间隔的依次交替设置。本发明中的芯片版图，实现方式简单、代价小、效果好。
一种维持大功率 mos 衬底电位均匀芯片版图