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[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202010206400.3有效
发明人：江长明;黄宣榕;许哲睿;刘鍊尘 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。一些实施例的存储器结构包括衬底、位于衬底上的穿隧介电层以及位于穿隧介电层上的浮置栅极，其中衬底包含的源极区域和漏极区域分别位于浮置栅极的相对两侧。一些实施例的存储器结构还包括位于浮置栅极上的栅间介电层，以及位于栅间介电层上的控制栅极。一些实施例的存储器结构还包括埋置于浮置栅极内的一掺杂区，且此掺杂区的侧壁暴露于浮置栅极的侧壁，其中掺杂区与栅间介电层彼此相隔开。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201410152836.3有效
发明人： 刘鍊尘;何佳哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。在基底中形成多个隔离结构，其中每一隔离结构的顶表面高过于基底的顶表面，而相邻的隔离结构和位于其间的基底定义出第一沟渠。在基底上形成覆盖所述多个隔离结构且部分填满每一第一沟渠的第一导电层。在每一第一沟渠中的第一导电层上形成保护层。使第一导电层表面的一部分氧化，以形成牺牲层。移除牺牲层以及所述多个保护层。形成覆盖第一导电层且填满所述多个第一沟渠的第二导电层。本发明避免元件效能恶化。
半导体元件制造方法