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[发明专利]一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法-CN200810223906.4无效
发明人：康晋锋;印海友;刘力锋;王漪;刘晓彦;张天舒;王旭;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法，该方法包括：利用阳极氧化的方法首先在透明导电基底上制备TiO₂纳米管阵列；然后在TiO₂纳米管阵列表面涂布一层TiO₂纳米颗粒的分散溶液；最后通过加热的方式使TiO₂纳米颗粒与TiO₂纳米管结合在一起，并且使分散溶液的溶剂挥发，得到染料敏化太阳能电池的半导体复合电极结构。由于在制备有序纳米管阵列结构的基础上，将TiO₂纳米颗粒与TiO₂纳米管结合，使相对于单一的纳米管阵列电极的表面积增加，可以吸附更多的染料，从而增加太阳能电池的光电效率；同时，纳米颗粒层可以作为透射过纳米管阵列光线的漫反射层，使得光线在管中传播时间更长，增大了激发染料的概率。
一种染料太阳能电池纳米复合电极制备方法

[发明专利]对网络通信加密的方法、服务设备及网络系统-CN200810096955.6有效
发明人： 刘晓彦;崔军堂;张书兵;李艺锋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2008-05-12 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种对网络通信加密的方法，该方法包括：被叫网络侧接收来自主叫网络侧的加密指示信息，其中，所述加密指示信息是主叫网络侧接收到主叫终端对被叫终端的呼叫请求，并确定对所述主叫终端进行通信加密后所发送的用于指示对被叫终端进行通信加密的信息；根据所述加密指示信息，确定对被叫终端的通信加密。使用本发明提供的技术方案，能够保证对网络通信的主叫侧和被叫侧都进行加密。
网络通信加密方法服务设备系统

[发明专利]一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器-CN200810105175.3无效
发明人：康晋锋;杨竞峰;刘力锋;孙兵;刘晓彦;王漪;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该材料为掺入+3价金属元素离子的HfO₂、ZrO₂或CeO₂薄膜。阻变材料中HfO₂、ZrO₂和CeO₂是晶格结构稳定，缺陷态较少的材料，Hf、Zr、Ce离子均呈+4价。在HfO₂、ZrO₂或CeO₂中掺入+3价的金属元素离子，可以人为地引入缺陷。因此，通过使用掺入+3价金属元素离子的HfO₂、ZrO₂或CeO₂薄膜作阻变层，人为地控制缺陷产生的浓度，可有效地提高阻变存储的稳定性和可控性。
一种具有稳定特性材料存储器

[发明专利]一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器-CN200810105176.8无效
发明人：康晋锋;杨竞峰;刘力锋;孙兵;刘晓彦;王漪;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ag粒子会朝着电极的方向运动并在电极处堆积。只要外加电压不撤销，堆积的银粒子将越来越多并向另一端的电极延伸。当堆积的银粒子将两端电极连通的时候，阻变层就由高阻态转向了低阻态。因此，本发明阻变材料以Ag粒子运动组合的方式形成导电通道，使阻变材料的电阻转变的稳定性大幅提升。
一种具有稳定特性材料存储器

[发明专利]验证非挥发存储器电路功能的方法-CN200810089413.6无效
发明人： 刘晓彦;刘福东;康晋锋;金锐 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种验证非挥发存储器电路功能的方法。该方法从非挥发存储器的存储单元的存储特性和物理方程出发，推导出存储器的存储单元的I－V特性；基于上述存储器的存储单元的I－V特性，设计出与该存储器的存储单元相同电学特性的成熟工艺可制造的替代单元电路；并根据非挥发存储器的读写工作模式，设计出相应的成熟工艺可制造的外围电路；用成熟工艺将上述已设计的替代单元电路嵌入到所设计的外围电路中，对非挥发存储器电路功能进行验证。本发明可进一步对存储器外围电路进行性能验证，据此可以应用成功的外围电路设计对实际制造的器件性能是否满足存储器设计要求进行判断。
验证挥发存储器电路功能方法

[发明专利]一种半导体器件模型自适应参数提取方法-CN200710002980.9无效
发明人：韩汝琦;吴涛;杜刚;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种不依赖于具体的半导体器件模型的自适应参数提取方法，这种方法的输入文件中不仅包含器件测试数据和提取流程控制代码，而且将待提取的模型公式整理为C语言子函数代码，结合待提取的模型参数列表形成一个输入文件，然后按照输入文件中制定的提取流程，采用控制搜索类算法进行参数提取，同时进行进度监控，在整个提取流程结束后，输出模型参数，生成对应的器件模型文件。本发明实现了半导体器件模型自适应性参数提取，不需要对参数提取系统进行重新的组织就可以快速的应用到新的半导体器件解析模型和半解析模型中。
一种半导体器件模型自适应参数提取方法

[发明专利]一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法-CN200610170723.1无效
发明人：刘力锋;康晋锋;唐浩;王漪;刘晓彦;张兴;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括：衬底和金属－绝缘－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器中两金属作为顶电极和底电极，绝缘体为掺杂金属元素的二氧化钛氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等方法结合退火工艺，在金属/二氧化硅/硅上制备掺杂金属元素的二氧化钛氧化物薄膜，再在氧化物薄膜上制作顶金属电极，形成了一具有优异双稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存取存储器的存储单元。
一种电阻随机存取存储器存储单元及其制备方法

[发明专利]实现一卡多号用户号码匹配的方法及装置-CN200710177953.5无效
发明人： 刘晓彦;李世前 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H04Q7/38 文献下载
摘要：本发明实施方式提供了一种实现一卡多号用户号码匹配的方法及装置，具体来说就是当一卡多号用户发起呼叫时，根据所呼叫的被叫号码确定与所述被叫号码相匹配的一卡多号用户的号码，并在呼叫过程中使用所匹配出的号码标识主叫方。通过以上技术方案的实施，不但方便了用户的灵活使用，而且减少了不同类型的网络之间高额的结算费用，降低了运营商的运营成本。
实现一卡多号用户号码匹配方法装置

[发明专利]一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法-CN200710177249.X有效
发明人：康晋锋;许诺;刘晓彦;宋云成;刘力锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该器件包括：源区、漏区和控制栅，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层—隧穿氧化层；中间层—阻变材料层，以及顶层—导电电极层。该场效应晶体管获得电可编程的多阈值功能，在栅极加相同的读电压时，源、漏电流不同，实现两个不同状态的信息存储或其他功能。利用本发明可构成多种新功能、高性能、高可靠性器件和电路，满足不同的电路功能应用；同时，既可以采用与传统的PN结源/漏结构的CMOS工艺兼容，也可与采用新型的肖特基结源/漏结构的CMOS工艺兼容，具有较大的工艺选择的灵活性。
一种实现存储器功能场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]氮化钛/氧化锌电阻式随机存储器的存储单元及制备方法-CN200710176750.4无效
发明人：康晋锋;许诺;刘力锋;孙啸;刘晓彦;韩德栋;王漪;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属于微电子半导体技术领域。该存储单元包括衬底和金属－绝缘体－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器的顶电极为氮化钛，绝缘体为氧化锌薄膜。本发明由于采用了氮化钛/氧化锌组合结构，在直流电压连续扫描激励下表现出优异的高低电阻态之间的转变和记忆特性。本发明还进一步提供了上述存储单元的制备方法，该方法包括：选择二氧化硅或硅为衬底材料，利用溅射法在衬底上制备底电极；在底电极上制备氧化锌薄膜；利用溅射法在氧化锌薄膜上制备氮化钛薄膜，利用光刻、刻蚀方法将所述氮化钛薄膜制备出电极图形；最后再利用湿法腐蚀或者干法刻蚀方法在上一步已获得的结构基础上制得器件结构。
氮化氧化锌电阻随机存储器存储单元制备方法

[发明专利]一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法-CN200710176547.7无效
发明人：康晋锋;孙啸;刘力锋;许诺;王漪;刘晓彦;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括衬底和位于衬底之上的电阻器，该电阻器由底电极、顶电极和二者之间的绝缘体构成，所述绝缘体为纯的或掺杂其它金属元素的二氧化铈氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等各种薄膜制备方法结合退火工艺，首先在衬底上制备导电薄膜作为底电极，再在其上制备纯的或掺杂的二氧化铈氧化物薄膜，最后在氧化物薄膜上制作导电的顶电极，形成了一具有优异稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存储器的存储单元。
一种电阻随机存储器存储单元及其制备方法

[发明专利]一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法-CN200710003498.7无效
发明人：王漪;孙雷;韩德东;刘力锋;康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C01G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ZnO中掺入Co杂质，即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料长时间湿法球磨，球磨料经烘干、研磨，反应烧结，再特殊退火处理，即使用一定比例的惰性气体和氢气混合气体，对掺杂的氧化锌稀磁半导体材料进行退火处理。退火后的Co_xZn_1－xO材料具有室温铁磁性，采用本发明可制得具有室温铁磁性的掺钴氧化锌稀磁半导体材料。
一种氧化锌室温半导体材料制备方法

[发明专利]一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法-CN200710001132.6无效
发明人：王漪;孙雷;韩德东;刘力锋;康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将Ti氧化物和Co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Co_xTi_1－xO₂材料，然后将Co_xTi_1－xO₂材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的Co_xTi_1－xO₂材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁性的掺钴氧化钛稀磁半导体材料，可用于脉冲激光沉积以及反应溅射等方法制备室温铁磁性Co_xTi_1－xO₂薄膜时的靶材，具有十分重要的研究价值和广阔的应用前景。
一种氧化钛掺钴室温半导体材料制备方法

[发明专利]一种个性回铃音复制使用的方法、系统及装置-CN200610157681.8有效
发明人： 刘晓彦;李世前 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H04M3/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种个性回铃音复制使用的方法、系统和装置，其核心技术在于：发送个性回铃音源号码和复制命令到服务器；服务器将所述源号码和复制命令发送给个性回铃音复制中心，所述个性回铃音复制中心向个性回铃音源号码所在个性回铃音服务器取得个性回铃音编号后，向请求复制终端设备所在个性回铃音服务器发送个性回铃音修改消息，请求复制源号码的个性回铃音；个性回铃音复制中心根据将所述源号码使用的个性回铃音复制到所述发送复制命令编号的设备。
一种个性回铃音复制使用方法系统装置

[发明专利]一种MOS晶体管及其制作方法-CN200610140391.2无效
发明人：孙雷;李定宇;张盛东;吴涛;韩汝琦;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种新结构的MOS晶体管，其特征在于所述MOS晶体管具有不对称的源漏结构，源端采用金属或金属和半导体形成的化合物与沟道形成肖特基接触，漏端采用抬高的高掺杂漏。本发明的MOS晶体管的源漏寄生电阻比传统的MOSFET器件小得多，而关态漏电流也减小了许多，使器件的开关态电流比有了很大的提高。本发明提出的肖特基势垒接触源端和抬高的掺杂漏端的MOS晶体管(SSRDMOSFET)的工艺制备方法和传统的肖特基势垒源漏MOS晶体管制作工艺相兼容，同时由于离子注入工艺步骤在栅结构形成之前，因此有着较低的热预算，使得高K栅介质和金属栅材料的应用有着较大的空间。
一种 mos 晶体管及其制作方法

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