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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包含亚磷酸的金属膜用蚀刻液组合物-CN201510111813.2有效
发明人： 刘仁浩;鞠仁说 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及包含亚磷酸的金属膜用蚀刻液组合物。本发明的金属膜用蚀刻液组合物通过包含亚磷酸而即使不包含环境管理物质，也能在无需延迟蚀刻速度的情况下，调节蚀刻斜面的倾斜，并能提供经时稳定的蚀刻液。
包含磷酸金属膜蚀刻组合

[发明专利]蚀刻液组合物-CN201710196022.3在审
发明人：郑钟铉;朴弘植;梁熙星;刘仁浩;鞠仁说;金宝衡;南基龙 -专利权人：三星显示有限公司;东友精细化工有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物包含过硫酸盐、氟化合物、无机酸、环状胺化合物、有机酸和有机酸盐中的一种以上、磺酸化合物、氨基磺酸和水，并且，该蚀刻液组合物不包含环境管制物质。
蚀刻组合

[发明专利]用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物-CN201710033540.3在审
发明人：林玟基;权五柄;李喻珍;刘仁浩;李俊雨;朴英哲;张尚勋 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C23F1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总重量，包含5wt％～20wt％的过硫酸盐，0.01wt％～2wt％的氟化合物，1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种，0.3wt％～5wt％的环状胺化合物，0.01wt％～5wt％的氯化合物，及其余为水。
用于金属蚀刻组合

[发明专利]蚀刻剂组合物、形成金属线图案方法和制造阵列基板方法-CN201510142674.X在审
发明人： 刘仁浩;鞠仁说;南基龙;尹暎晋 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铜层和钛层的蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物制造液晶显示器的阵列基板的方法。本发明的蚀刻剂组合物包括：0.5wt.％至20wt.％的过硫酸盐；0.01wt.％至2wt.％的氟化合物；1wt.％至10wt.％的无机酸(盐)；5wt.％至20wt.％的有机酸(盐)；0.1wt.％至5wt.％的包括烷基(具有1个至5个碳原子)四唑的环胺化合物；0.1wt.％至10wt.％的磺酸化合物；以及余量的水，因此，可以以高的蚀刻速度均匀地分批蚀刻铜层和钛层，即使所处理的片材的数量增加，蚀刻图案的倾斜角也具有减小的变化。
蚀刻组合形成金属线图案方法制造阵列

[发明专利]蚀刻剂组合物和制造用于液晶显示器的阵列基板的方法-CN201610137538.6在审
发明人： 刘仁浩;南基龙;李承洙 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：公开了蚀刻剂组合物和制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，所述蚀刻剂组合物能将非晶硅薄层(n+a‑Si:H)或金属氧化物层、以及包括铜层和铜合金层中的至少一个和钛层和钛合金层中的至少一个的多层一步湿法蚀刻，因此减少总加工时间和制造成本。
蚀刻组合制造用于液晶显示器阵列方法

[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其形成透明电极的方法-CN201610079608.7在审
发明人：权玟廷;金宝衡;刘仁浩 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物以及使用其形成透明电极的方法，所述蚀刻剂组合物包括5‑10wt％的硝酸，0.5‑5wt％的磺酰氯类化合物，0.1‑5wt％的环胺化合物，和剩余部分的水。当蚀刻厚的氧化铟层(或更多)以形成具有低电阻的透明电极层时，蚀刻剂组合物能够充分增大蚀刻速率而不产生残渣，因此提高加工效率。
蚀刻组合使用形成透明电极方法

[实用新型]双电源自动切换与充电电路-CN201520241516.5有效
发明人： 刘仁浩;刘志华;梁婕;郭城 -专利权人：北京航天自动控制研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：针对常用双电源自动切换电路的不足，本实用新型提出一种基于P沟道功率MOSFET(简称PMOS管)和电压比较器的外部电源和电池供电的双电源自动切换与充电电路。该电路利用分压电阻将外部电源电压和电池电压调整至电压比较器的阀值范围内，通过电压比较器分别比较外部电源电压和电池电压与参考电压的大小，根据比较结果控制PMOS管开关电路的通断，从而既能够完成双电源供电自动无缝切换，又能够利用外部电源向电池自动充电，同时具备供电过压、欠压保护和防电池过充电的功能。可用于火箭测发控系统、医疗急救系统、安保系统等对设备持续不间断供电要求较高的领域。
双电源自动切换充电电路

[发明专利]用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物-CN201210350451.9在审
发明人：尹暎晋;刘仁浩;金童基 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物和使用该蚀刻溶液组合物制造薄膜晶体管的方法。该蚀刻溶液组合物按重量百分比包括：5%到20%的过硫酸盐；0.01%到2%的氟化合物；0.001%到3%的氯化合物；1%到10%的无机酸、该无机酸的盐或其混合物；0.3%到5%的环胺化合物；1%到10%的有机酸、该有机酸的盐或其混合物；0.1%到5%的对甲苯磺酸；以及形成该组合物的余量的水。该蚀刻溶液组合物显示出优异的储存稳定性并且可以以较高的蚀刻速率均匀地且完全地蚀刻由铜层和钛层组成的多层金属膜，以便简化蚀刻过程，提高产量并且确保优异的蚀刻性能。
用于蚀刻溶液组合

[发明专利]蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法-CN201210359316.0在审
发明人：李昔准;权五柄;刘仁浩;张尚勋;朴英哲;李喻珍;李俊雨;金相泰;秦荣晙 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法。一种根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂包括：重量百分比含量为约0.5%至约20%的过硫酸盐；重量百分比含量为约0.01%至约2%的氟化合物；重量百分比含量为约1%至约10%的无机酸；重量百分比含量为约0.5%至约5%的环胺化合物；重量百分比含量为约0.1%至约5%的氯化合物；重量百分比含量为约0.05%至约3%的铜盐；重量百分比含量为约0.1%至约10%的有机酸或有机酸盐和水。
蚀刻使用制造显示设备方法

[发明专利]含镓的金属氧化物层的蚀刻溶液组合物-CN201210322644.3无效
发明人：张尚勋;权五柄;沈庆辅;李智娟;刘仁浩 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种含镓的金属氧化物层的蚀刻溶液组合物。所述组合物包括：重量百分比为5%~20%的过硫酸盐、重量百分比为1%~15%的无机酸或无机酸的盐以及形成所述组合物的余量的水，以高的蚀刻速度均匀地进行金属氧化物层的湿蚀刻，该金属氧化物层包含氧化铟、氧化锌或其混合物以及镓或氧化镓，从而简化蚀刻过程且提高生产效率。
金属氧化物蚀刻溶液组合

[发明专利]蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法-CN201210102583.X在审
发明人：郑钟铉;金善一;朴智荣;金湘甲;宋溱镐;崔新逸;权五柄;朴英哲;刘仁浩;李昔准;林玟基;张尚勋;秦荣晙 -专利权人：三星电子株式会社;东友精细化工有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、以及有机酸及其盐中的一种。
蚀刻以及制造金属线使用薄膜晶体管方法

[发明专利]用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物-CN201180016129.6有效
发明人：林玟基;权五柄;李喻珍;刘仁浩;李俊雨;朴英哲;张尚勋 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：公开了一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总重量，包含：5wt％～20wt％的过硫酸盐，0.01wt％～2wt％的氟化合物，1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种，0.3wt％～5wt％的环状胺化合物，0.01wt％～8wt％的选自氯化合物和铜盐中的一种或多种，及其余为水。
用于金属蚀刻组合

[发明专利]用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物-CN201180016453.8有效
发明人：林玟基;权五柄;李喻珍;刘仁浩 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总量，包含：5wt％～20wt％的过硫酸盐；0.01wt％～2wt％的氟化合物；1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种；0.3wt％～5wt％的环状胺化合物；0.1wt％～5wt％的氯化合物；0.1wt％～5wt％的对甲苯磺酸；及其余为水。
用于金属蚀刻组合

[发明专利]非卤化蚀刻剂和使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法-CN201210034420.2有效
发明人：金善一;崔新逸;朴智荣;金湘甲;权五柄;金童基;金相泰;朴英哲;刘仁浩;尹暎晋;李昔准;李俊雨;林玟基;张*勋;秦荣晙 -专利权人：三星电子株式会社;东友精细化工有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。
卤化蚀刻使用制造显示基底方法

[发明专利]用于单层钼膜的蚀刻剂组合物-CN201080040535.1有效
发明人：林玟基;张尚勋;慎蕙赢;刘仁浩 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单层钼膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重，包括：5～25wt％的过氧化氢(H2O2)；0.5～3wt％的环胺化合物；0.5～5wt％的添加剂，所述添加剂包括选自由柠檬酸二氢钠、柠檬酸氢二钠、磷酸氢二钠、柠檬酸三钠，和醋酸盐组成的组中的至少一种；和余量水。
用于单层蚀刻组合

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