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[发明专利]制备卤代硅烷的方法-CN201480060354.3有效
发明人：克里什纳·詹姆曼奇;凯瑟琳·霍纳;亚伦·科珀诺尔 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备反应产物的方法，所述方法包括：步骤(1)和(2)。步骤(1)为：在200℃至1400℃的温度下使如下两者接触：包含式HaRbSiX(4‑a‑b)的硅烷的第一成分，其中下标a为0至4的整数，下标b为0或1，量(a+b)<4，每个R独立地为单价有机基团，并且每个X独立地为卤素原子，前提条件是在量(a+b)<4时，则所述成分还包含H2；与包含铜的尖晶石催化剂；从而形成反应物。步骤(2)为：在100℃至600℃的温度下使所述反应物与包含有机卤化物的第二成分接触；从而形成所述反应产物和废反应物。所述反应产物不同于步骤(1)中所用的所述硅烷。所述方法可用于由四卤化硅制备二有机二卤代硅烷。
制备硅烷方法

[发明专利]通过使氢、卤硅烷和有机卤化物在铜催化剂上以两步法反应制备有机卤硅烷的方法-CN201380040263.9无效
发明人：亚伦·科珀诺尔;凯瑟琳·霍纳;克里什纳·詹姆曼奇;D·卡佐利斯;罗伯特·拉森 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本发明申请涉及按以下两步法制备有机卤硅烷的方法：步骤(i)，将铜催化剂与氢气和卤化硅烷接触，从而形成含硅的铜催化剂；以及步骤(ii)，将所述含硅的铜催化剂与有机卤化物接触以形成所述有机卤硅烷。
通过硅烷有机卤化物催化剂步法反应制备方法