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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111618331.8在审
发明人： 冯杭彬 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括待刻蚀层；在待刻蚀层上形成水溶性材料层；在水溶性材料层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和显影，以在光刻胶层中形成暴露待刻蚀区域的窗口，在显影的过程，显影液通过窗口溶解水溶性材料层的边缘，以在光刻胶层下方形成底切区；以图案化的光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行干法刻蚀，干法刻蚀的刻蚀气体与待刻蚀层反应形成附着在光刻胶层和待刻蚀层侧壁的聚合物层；使用湿法去胶工艺去除所述光刻胶层、所述水溶性材料层和所述聚合物层。根据本发明所提供的半导体器件的制造方法，能够有效去除干法刻蚀过程中产生的聚合物层。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法-CN202011418595.4有效
发明人：耿慧远;冯杭彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法，涉及一种用于方钴矿热电材料与电极的连接方法。目的是解决现有的方钴矿与铜电极连接存在元素扩散和装夹难度大的问题。方法：在方钴矿表面镀覆含Co元素的防扩散阻隔层，然后在防扩散阻隔层表面涂纳米银焊膏，再在纳米银焊膏表面放置Cu电极，构成焊接件，进行真空钎焊，即完成。本发明采用膏状纳米银焊膏实现低温连接方钴矿与电极，连接后接头未发生元素扩散，接头接触电阻低。连接速度快，效率高，能够实现器件的大规模制备。本发明适用于方钴矿热电材料与Cu电极的连接。
一种用于方钴矿热电材料 cu 电极低温纳米连接方法

[发明专利]一种热电材料和金属材料表面合金化的方法及应用-CN201910417553.X有效
发明人：耿慧远;冯杭彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：一种热电材料和金属材料表面合金化的方法及应用，涉及一种材料表面合金化的方法及应用。为了解决采用电镀方法进行金属材料表面合金化时镀层与基底结合强度低的问题，以及采用热压法进行热电材料表面合金化时反应温度高的问题。方法：对热电材料进行电镀，电镀后进行退火。退火可以使镀层与基底发生冶金结合，使镀层与基底的结合强度提高，结合强度能达到10MPa以上。本发明适用于热电材料和金属材料表面合金化。
一种热电材料金属材料表面合金方法应用

[发明专利]一种用于方钴矿热电材料与电极的快速扩散焊连接方法-CN201911384113.5有效
发明人：耿慧远;冯杭彬;张丽霞;冯吉才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：一种用于方钴矿热电材料与电极的快速扩散焊连接方法，涉及一种扩散焊连接方法。目的是解决现有方钴矿热电材料与电极连接时存在Sb元素挥发和元素扩散的问题。方法：取电极并对待焊面进行清理，在电极待焊面表面电镀合金阻隔层，方钴矿热电材料待焊面清理，进行扩散焊。本发明在电极侧通过电镀法制备阻隔层，再与方钴矿热电材料在相对较低的压力和相对较低的温度下实现扩散焊，过程中不存在焊缝元素与方钴矿的元素扩散，能够防止Sb元素挥发和元素扩散的发生。本发明适用于方钴矿热电材料与电极焊接。
一种用于方钴矿热电材料电极快速扩散连接方法

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