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[发明专利]工件切断方法-CN200980120784.9有效
发明人：北川幸司;冨井和弥 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： B24B27/06 文献下载
摘要：本发明是一种工件切断方法，通过将保持在工件固定架上的圆柱状工件按压至由在多个钢线导轨之间卷绕为螺旋状的钢线所形成的钢线列，一边将浆液供给至工件与钢线的接触部，一边使钢线行进，以此将工件切断为晶片状，该切断方法是使工件的轴向相对于由钢线列所形成的平面倾斜而进行切断，以从钢线列平面分离的一侧成为在钢线导轨轴向上伸长的一侧的方式，使工件倾斜后进行切断。以此提供一种能够利用线锯来精度良好地切断工件，形成翘曲形状良好的晶片的切断方法。
工件切断方法

[发明专利]晶片的周面倒角部分的抛光方法及其设备-CN01800519.5无效
发明人：水岛一寿;三浦仲寿;关根靖弘;铃木诚;冨井和弥 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2001-02-21 - 公布日： 2002-08-14 - 主分类号： B24B9/00 文献下载
摘要：在本发明的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中,为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率,采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面(110)相应的部分进行抛光的第一抛光工序,以及对晶片的整个周面倒角部分进行抛光的第二抛光工序。在第二抛光工序中使用的抛光布其硬度低于第一抛光工序的抛光布硬度,并在第二抛光工序中使用的抛光膏其所含颗粒的尺寸,小于第一抛光工序的抛光膏的颗粒尺寸。通过改变抛光布的硬度值和/或抛光膏的颗粒尺寸,使抛光度得以改变。
晶片倒角部分抛光方法及其设备