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- [发明专利]使用酰基卤的原子层蚀刻-CN201880003680.9有效
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加藤惟人;深江功也;高桥至直
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关东电化工业株式会社
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2018-09-14
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2023-02-28
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H01L21/3065
- 提供一种对硅氧化膜、硅氮化膜进行原子层蚀刻的方法。通过重复进行以下3个步骤而进行原子层蚀刻(ALE)，所述3个步骤为：氢化步骤(1)，对硅氧化膜、硅氮化膜等照射包含H的等离子体而对表面进行氢化；酰基卤吸附步骤(2)，进行式Rf‑COX(式中，Rf为H或F或包含C及F的取代基或包含C、H及F的取代基或‑COX，各X独立地为F、Cl、Br、I中任意卤素原子)所示的酰基卤暴露，使酰基卤与氢化后的表面反应而使Rf‑COX化学吸附于表面；蚀刻步骤(3)，照射包含稀有气体(至少为He、Ar、Ne、Kr、Xe中的任一种)的等离子体，引起吸附有酰基卤的硅氧化膜、硅氮化膜表面的化学反应、进行一原子层厚的蚀刻。
- 使用酰基卤原子蚀刻
- [发明专利]罐容器及其制造方法-CN202180026389.5在审
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南条博;泷川刚
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株式会社日陆;关东电化工业株式会社
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2021-04-05
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2022-11-04
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B65D88/70
- 提供一种罐容器及其制造方法，该罐容器能够抑制由危险物粉体等组成的粉体与空气中的水分接触或温度上升至预定温度以上并同时进行容纳和输送，还能够容易地进行粉体的排出。具备：罐主体部，其在内部容纳有粉体，以沿着长度方向的两端被闭塞的气密的圆筒形状形成；多个容纳部兼排出部，其以在前述罐主体部内的下部沿着长度方向相互邻接的方式配置，以基端部与前述罐主体的内壁和邻接部彼此气密地接合并且顶端部从设置于前述罐主体部的外周面的开口朝向外部突出的方式以反向的锥形状形成；绝热部，其设置于前述罐主体部的外周面；以及容器框架部，其固定有前述罐主体部。
- 容器及其制造方法
- [发明专利]含氟硫化物的制造方法-CN201980021962.6有效
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柏仓亘;池谷庆彦;佐藤湧贵
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关东电化工业株式会社
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2019-03-29
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2022-10-25
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C07C319/20
- 本发明的目的在于，提供简便地以低成本且工业上制造含氟硫化物、尤其是含有氢和氟的硫化物的方法。一种下述式(2)：(F)n‑A3‑S‑A4‑(F)m(2)(式中，A3和A4独立地为碳原子数1～3的任选被取代的烃基，n和m表示与A3和A4键合的氟原子的数量，满足n+m＝1～13)所示的含氟硫化物的制造方法，其包括：使下述式(1)：(Cl)n‑A1‑S‑A2‑(Cl)m(1)(式中，A1和A2独立地为碳原子数1～3的任选被取代的烃基，n和m表示与A1和A2键合的氯原子的数量，满足n+m＝1～13)所示的含氯硫化物与氟化剂发生反应。
- 硫化物制造方法
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