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[实用新型]一体化双功能NASICON固体电解质气体传感器-CN200820071264.6无效
发明人： 全宝富;梁喜双;钟铁钢 -专利权人：吉林大学
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本实用新型属于气体传感器领域，具体涉及一种同时用于检测或监控两种气体的一体化双功能NASICON固体电解质气体传感器。其由Al₂O₃陶瓷管衬底、陶瓷管衬底内的加热线圈、涂敷在陶瓷管衬底外的NASICON基体材料、在NASICON基体上制作的左、中、右彼此绝缘的三组金网及白金电极结构组成，在左、右两组电极上分别涂敷对不同气体敏感的材料，构成两个辅助电极，中间一组的金网及白金电极用作参考电极。本专利首次在同一固体电解质基体材料上，制作两个气体传感器，它具有同时测试两种毒害气体的功能，而且还具有好的灵敏度和选择性，快速的响应恢复时间，同时可以有效地利用加热器提供的热能，提高热效率的利用率和节约资材。
一体化功能 nasicon 固体电解质气体传感器

[发明专利]溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延-CN86102688.8无效
发明人：刘明登;汤广平;全宝富 -专利权人：吉林大学
申请日： 1986-04-16 - 公布日： 1990-09-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的外延工艺。其目的在于抑制半导体硅外延中自掺杂效应。本发明采用浓硫酸脱水溴强腐蚀迁移背面封闭，硅烷和四氯化硅混合源硅外延。其特点是常压外延、设备简单、操作方便、工艺周期短、生长速率快、无二氧化硅粉尘沾污，抑制自掺杂效果好。
腐蚀混合抑制掺杂外延

[其他]溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延-CN86102688无效
发明人：刘明登;汤广平;全宝富 -专利权人：吉林大学
申请日： 1986-04-16 - 公布日： 1987-10-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的外延工艺。其目的在于抑制半导体硅外延中自掺杂效应。本发明采用浓硫酸脱水溴强腐蚀迁移背面封闭，硅烷和四氯化硅混合源硅外延。其特点是常压外延、设备简单、操作方便、工艺周期短、生长速率快、无二氧化硅粉尘沾污，抑制自掺杂效果好。
腐蚀混合抑制掺杂外延

[其他]绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长-CN86100027无效
发明人：杨树人;汤广平;全宝富 -专利权人：吉林大学
申请日： 1986-01-06 - 公布日： 1987-07-15 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的化学气相硅淀积工艺，其目的在于实现“单晶硅/绝缘材料/单晶硅”的半导体材料结构。其特点是该结构外延一次完成，生长速率快，单晶厚度均匀，质量好，设备简单，操作方便，对绝缘衬底无气相腐蚀，便于生产应用。
绝缘衬底混合双面硅单晶生长