专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于抽样的误码分析方法、误码分析架构及误码分析仪-CN202310883310.1在审
  • 高传海;倪熔华;黄天 - 复旦大学
  • 2023-07-18 - 2023-09-29 - H04L1/20
  • 本发明提供了基于抽样的误码分析方法、误码分析架构及误码分析仪,该方法包括:获取传输数据的传输速率;根据所获得的传输速率选择相应的工作模式对所述传输数据进行抽样,得到抽样数据;且传输速率越快,其对应的工作模式的抽样比特间隔越大;其中,所述工作模式包括N种工作模式,从第一工作模式至第N工作模式下对所述传输数据的抽样比特间隔依次增大2i倍;其中,N为正整数,且N>1;i为正整数,且i≥1;根据离散序列的可抽样性,所得到的抽样数据也可以还原所述传输数据,以实现低分析速率对高传输速率的传输数据进行误码分析。
  • 基于抽样分析方法架构
  • [发明专利]运放电路及LDO电路-CN202211039172.0在审
  • 刘彦超;倪熔华 - 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
  • 2022-08-29 - 2022-11-11 - G05F1/56
  • 本发明提供了一种运放电路及LDO电路,该运放电路包括:动态偏压运放,其包括:上拉PMOS电路、下拉NMOS电路;上拉PMOS电路包括:第一PMOS管、第二PMOS管;下拉NMOS电路包括:第一NMOS管、第二NMOS管;第一NMOS管的栅极为输入端;第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极相连;第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连;第一PMOS管的漏极、栅极相连;第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极相连;第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极相连;第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极之间的节点为输出端。本发明,通过动态偏压运放,改善了运放电路的PSRR。
  • 电路ldo

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