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[发明专利]一种高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法-CN202110569439.6在审
发明人：董绍明;蔡飞燕;倪德伟;高乐;何平;张翔宇;丁玉生 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，具体涉及一种Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。所述Cf/(TiaZrbHfcNbdTae)C‑SiC高熵超高温陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体，以及依次形成在碳纤维预制体中(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体和SiC陶瓷基体组成，其中a=18～22%、b=18～22%、c=18～22%、d=18～22%、e=18～22%，且a+b+c+d+e=1；所述(TiaZrbHfcNbdTae)C高熵超高温陶瓷基体的含量为40～60wt%。
一种超高温陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法-CN202110323660.3有效
发明人：廖春景;董绍明;靳喜海;倪德伟;章龙龙;林玲;顾炎 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。
一种通量制备 sibcn 沉积装置方法

[发明专利]一种宏观结构有序化石墨烯气凝胶及其制备方法-CN202011340538.9有效
发明人：杨金山;董绍明;游潇;倪德伟;陈小武 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种宏观结构有序化石墨烯气凝胶及其制备方法。所述制备方法包括：将还原剂加入氧化石墨烯分散液中获得氧化石墨烯打印浆料，其中所述还原剂与氧化石墨烯的质量比为1:4～4:1；采用所述氧化石墨烯打印浆料通过3D打印，获得有序的三维氧化石墨烯基多孔支架；将所述三维氧化石墨烯基多孔支架置于水蒸气氛围中保温10～25小时以使氧化石墨烯还原并自组装，得到石墨烯水凝胶；对所得的石墨烯水凝胶进行冷冻干燥处理，获得石墨烯气凝胶。
一种宏观结构有序化石墨烯气凝胶及其制备方法

[发明专利]一种Cf-CN202110125659.X有效
发明人： 倪德伟;邹雪刚;董绍明;周海军;张翔宇;丁玉生 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体、填充在碳纤维预制体中的SiC基体，以及分布在SiC基体和碳纤维预制体之间的Ta4HfC5基体。
一种 base sub

[发明专利]一种致密Cf-CN201710980481.0有效
发明人：董绍明;丁奇;倪德伟;王震;靳喜海;何平;周海军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）利用真空作用将含有聚硼硅氮烷和自由基引发剂的前驱体混合溶液引入到碳纤维预制体中，然后在密封状态下交联固化，并在惰性气氛下裂解，得到Cf/SiBCN陶瓷基复合材料，所述自由基引发剂为过氧类引发剂或/和偶氮类引发剂；（2）重复浸渍‑交联固化‑裂解6～8次，得到所述致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料。
一种致密 base sub

[发明专利]一种自由基引发剂改性聚硼硅氮烷高效制备致密SiBCN陶瓷的方法-CN201710682197.5有效
发明人：董绍明;丁奇;倪德伟;王震;阚艳梅;周海军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种自由基引发剂改性聚硼硅氮烷高效制备致密SiBCN陶瓷的方法，包括：在惰性气氛的保护下，将含有乙烯基官能团的液态聚硼硅氮烷和自由基引发剂混合后并在50～150℃交联固化0.5～2小时，得到透明固体，所述自由基引发剂为过氧类引发剂或/和偶氮类引发剂；将所得透明固体于惰性气氛中、900～1400℃下热处理2～4小时，得到所述致密SiBCN陶瓷。本发明利用自由基引发剂改性聚硼硅氮烷，陶瓷产率从17%左右提高到74%左右。
一种自由基引发改性聚硼硅氮烷高效制备致密 sibcn 陶瓷方法

[发明专利]一种抗强烧蚀的稀土改性超高温陶瓷基复合材料及其制备方法-CN202110856783.3在审
发明人：董绍明;陈博文;倪德伟;丁玉生;张翔宇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗强烧蚀的稀土改性超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。所述稀土改性超高温陶瓷基复合材料包括：纤维预制体、依次形成在纤维预制体表面的超高温陶瓷和稀土氧化物的混合相及碳化物基体；所述纤维预制体的含量为15vol%～50vol%，所述超高温陶瓷和稀土氧化物的混合相的体积含量为16vol%～50vol%，碳化物基体的含量为10vol%～40vol%。
一种抗强烧蚀稀土改性超高温陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种短碳纤维增强Csf-CN202010543816.4有效
发明人： 倪德伟;卢俊;董绍明;廖春景;杨金山;阚艳梅;丁玉生;张翔宇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将短碳纤维、分散剂、粘结剂和溶剂混合，得到短碳纤维浆料；（2）将所得短碳纤维浆料通过3D打印成型制备得到短碳纤维定向排列的增强体；（3）将所得增强体经过干燥和排胶后，再制备界面相和部分SiC基体，最后经过致密化工艺，得到所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料。
一种碳纤维增强 base sub sf

[发明专利]一种Cf-CN201710266135.6有效
发明人：董绍明;曹艳鹏;倪德伟;周海军;高乐;阚艳梅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cf/SiC‑HfC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：利用真空浸渍法在碳纤维预制体内引入HfO2粉体和碳源，得到Cf/HfO2‑C预成型体；将所得Cf/HfO2‑C预成型体置于惰性气氛中，在1300～1800℃下经过碳热还原1～2小时，得到Cf/HfC‑C预成型体；将所得Cf/HfC‑C预成型体在1400～1700℃下进行Si熔渗，使Cf/HfC‑C预成型体中C与Si原位反应生成SiC基体相，得到所述Cf/SiC‑HfC超高温陶瓷基复合材料。本发明制备温度低，降低了材料制备过程中高温对碳纤维的损伤；工艺简单，易于实现Cf/SiC‑HfC复合材料的快速制备。
一种 base sub

[发明专利]一种建材用高强度ASA树脂的制备方法-CN201910274253.0有效
发明人：黄林宁;庄猛;王芳;倪德伟;李贵;于旭东;陈伟;朱晓强;陈胜;艾纯金;陈辉 -专利权人：淮安市博彦土木工程科学研究院有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C08F265/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种ASA树脂的制备方法，具体是一种特定结构的附聚剂制备技术，并通过该附聚剂调控丙烯酸酯橡胶的粒径，进而制备高强度ASA树脂的方法。本发明技术原理是在附聚剂制备过程中实现如下两大功能，第一是尽量保证羧酸基团在附聚剂粒子的表面，这样有助于附聚剂粒子和被附聚粒子之间界面间的融合；二是向附聚剂中引入有机硅氧烷单体，使附聚剂乳胶粒子在后续融合后具有较高的强度。本发明所述的附聚剂乳液用于丙烯酸丁酯乳液的附聚，并将附聚后的胶乳接枝苯乙烯和丙烯腈得到ASA树脂，测试本技术方案的ASA树脂力学性能较常规附聚方式制得的ASA树脂强度高。
一种建材强度 asa 树脂制备方法

[实用新型]一种连接结构以及电子产品-CN202021441078.4有效
发明人： 倪德伟;杜军红;葛振纲 -专利权人：上海龙旗科技股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G04G17/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种连接结构以及电子产品，该连接结构包括：主板，安装有多个馈电点以及多个馈地点；金属中框，内壁上设置上多个金属件结构位；LDS天线，通过天线弹片与主板连接，且与金属中框连接；功能元器件组，与金属中框连接；以及陶瓷后盖，覆盖在金属中框上，且与LDS天线接触。在连接结构中，通过在金属中框的内侧壁设置的金属件结构位，充分而有效的利用环境摆放更多的功能元器件，让空间得到最大化的利用。功能元器件组与金属中框连接，这样不仅能够降低金属框对无线信号的屏蔽，而且能同时满足电子产品的各种功能。而设置有该连接结构的电子产品中，天线为LDS天线和天线弹片且与金属中框连接，进一步地提升电子产品的通讯效果。
一种连接结构以及电子产品

[发明专利]一种Cf-CN201810368778.6有效
发明人： 倪德伟;王敬晓;董绍明;阚艳梅;张翔宇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供一种Cf/ZrC‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述方法包括：（1）将造孔剂、碳源和ZrC陶瓷前驱体混合，得到改性后的ZrC‑C陶瓷前驱体；（2）将改性后的ZrC‑C陶瓷前驱体引入碳纤维预制体中，再经固化‑裂解‑碳热还原后，得到纳米多孔Cf/ZrC‑C预成型体；（3）将熔融硅或熔融硅锆合金渗入Cf/ZrC‑C多孔预成型体中进行熔渗反应，得到所述Cf/ZrC‑SiC超高温陶瓷基复合材料。
一种 base sub

[发明专利]一种高导热、强结合、耐烧蚀的超高温陶瓷基复合材料及其制备方法-CN202010326441.6在审
发明人： 倪德伟;陈博文;董绍明;陈小武;何平;王震;丁玉生;张翔宇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种高导热、强结合、耐烧蚀的超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述超高温陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）选取碳纤维编织成碳纤维预制体，所述碳纤维的热导率＞40W/m·K；（2）采用化学气相渗透法在碳纤维预制体中碳纤维表面沉积界面层；（3）通过溶胶凝胶法、浆料浸渍法、前驱体浸渍裂解法向碳纤维预制体中引入碳源和陶瓷相，再结合反应熔渗法实现致密化，得到所述高导热、强结合、耐烧蚀的超高温陶瓷基复合材料。
一种导热结合耐烧蚀超高温陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种层状结构Cf/ZrB₂-SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201910395305.X在审
发明人： 倪德伟;陈博文;董绍明;靳喜海;周海军;高乐 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种层状结构Cf/ZrB₂‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，该制备方法包括：（1）将ZrB₂粉体、SiC粉体、分散剂和粘结剂加入溶剂中并混合，得到ZrB₂‑SiC浆料；（2）采用流延成型方法将所得ZrB₂‑SiC浆料制成ZrB₂‑SiC素坯；（3）将碳纤维编织体浸渍于所得ZrB₂‑SiC浆料中，得到碳纤维预制体；（4）将所得ZrB₂‑SiC素坯和碳纤维预制体交替叠层至少1次，再经排胶和烧结，得到所述层状结构C_f/ZrB₂‑SiC超高温陶瓷基复合材料。
超高温陶瓷层状结构复合材料制备碳纤维预制体粉体素坯浸渍碳纤维编织体交替叠层流延成型烧结分散剂粘结剂溶剂排胶

[发明专利]一种C_f/HfC-SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201910314137.7在审
发明人： 倪德伟;姜佑霖;董绍明;阚艳梅;高乐 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种C_f/HfC‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，该制备方法包括：（1）将铪源化合物、碳源化合物和稳定剂溶解在溶剂中，得到HfC‑C前驱体溶液，所述铪源化合物为热分解可得到氧化铪的铪盐；（2）采用真空浸渍法，将所得HfC‑C前驱体溶液引入到碳纤维预制体中，再经固化、裂解和碳热还原处理，得到C_f/HfC‑C多孔预成型体；（3）将所得碳纤维预制体重复步骤（2）至少1次，然后采用Si或HfSi₂对所得C_f/HfC‑C多孔预成型体进行反应熔渗处理，得到所述C_f/HfC‑SiC超高温陶瓷基复合材料。
超高温陶瓷复合材料制备碳纤维预制体前驱体溶液预成型体铪源碳源化合物真空浸渍法碳热还原热分解稳定剂氧化铪溶剂裂解熔渗铪盐固化溶解引入重复

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