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[发明专利]一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器-CN201911221830.6有效
发明人：刘波;唐慧丽;徐军;陈佳文;朱智超;何诺天;张浩 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于掺镁氧化镓单晶的X射线和伽玛射线探测器，包括：掺镁氧化镓双面抛光晶片(2)，设置在掺镁氧化镓双面抛光晶片(2)一侧表面的Au电极(1)，设置在掺镁氧化镓双面抛光晶片(2)另一侧表面的Au复合电极，Au电极(1)与Au复合电极经外接电路(5)连通。与现有技术相比，本发明具有低的本征载流子浓度和高的电阻值，获得了高的灵敏度。
一种基于氧化镓单晶射线探测器

[发明专利]一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法-CN201980032816.3在审
发明人：唐慧丽;徐军;赵衡煜;何诺天;李东振;王东海 -专利权人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法，包括以下步骤：放置β‑Ga2O3籽晶，堆积高纯Ga2O3形成原料堆；启动高频感应发生器电源，将两根石墨棒插入原料堆中；升高石墨棒的加热功率至石墨棒之间产生电火花，石墨棒起燃使周围的高纯Ga2O3圆球状原料熔融，形成熔体；熔体在高频感应线圈的作用下持续发热，向熔体中投入高纯Ga2O3圆球状原料，使充分熔化，熔体体积进一步扩大，直至籽晶与熔体充分熔接；将水冷铜管坩埚逐渐下降，晶体自籽晶处逐步向上结晶生长；降温退火。该方法工艺简单，大幅降低长晶成本；采用常压空气气氛生长晶体，有效解决了生长过程中的分解挥发问题，同时降低了对设备的耐压要求。
一种氧化晶体坩埚生长方法

[发明专利]一种快衰减高光输出氧化镓闪烁晶体及其制备方法-CN202010558842.4在审
发明人：唐慧丽;刘波;徐军;罗平;王庆国;何诺天;吴锋 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种快衰减高光输出氧化镓闪烁晶体及其制备方法，该氧化镓闪烁晶体的化学式为β‑Ga2O3:M，M为掺杂的Ge4+或Al3+离子中的一种或两种。与现有技术相比，本发明所提供的β‑Ga2O3:M氧化镓闪烁晶体的衰减时间更快，同时光输出并未减弱，晶体的综合闪烁性能得到提升。
一种衰减输出氧化闪烁晶体及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓单晶闪烁体的制备方法-CN201710311112.2有效
发明人：唐慧丽;刘波;徐军;罗平;何诺天;李秋;郭超 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镓单晶闪烁体的制备方法，其为中高压导模法，具体包括以下步骤：(1)取β‑Ga₂O₃粉末等静压压制成型，烧结，再放入导模炉铂铑合金坩埚内，同时，取β‑Ga₂O₃籽晶放入籽晶夹具内；(2)导模炉内抽真空后，通入高纯空气至7～12bar，缓慢感应加热铂铑合金发热装置至原料完全熔化，恒温；(3)继续升温，下降籽晶并进行烤籽晶，然后将籽晶充分接触模具刃口处熔体，依次开始高温引晶、缩颈、放肩生长、等径生长；(4)晶体生长结束后，脱模，冷却，即得到目的产物氧化镓单晶闪烁体。与现有技术相比，本发明消除了氧化镓晶体中的多晶、挛晶、开裂、氧空位缺陷，有效抑制了慢衰减成分的发光，能够获得高光输出、快衰减氧化镓单晶闪烁体等。
一种氧化镓单晶闪烁制备方法