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[发明专利]一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器-CN202210138282.6有效
发明人：王丽;任茂仁;蒋豪;罗攀达 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：该发明公开了一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器，涉及微波射频电路技术领域。采用两极HEMT电路放大，两级的偏置电路都采用了电阻分压，两级偏置电路都引入了扼流电感和旁路电容，可以防止射频信号进入直流通路，具有更好的抗干扰性能，并且加入了两级HEMT栅极的稳定电路，使得整体放大器电路的稳定系数Stabfact远大于1，电路的稳定性较好，输入匹配部分遵循最小噪声系数匹配原则，输出部分遵循最大传输功率匹配原则进行匹配，使得整体两级低噪声放大器电路的增益Gain28dB，使得噪声系数NF1.5，输入电压驻波比VSWR12.0，输出电压驻波比VSWR22.0，对信号的增益较大且干扰较小，同时增益平坦稳定性好，匹配性好。
一种基于 hemt 波段低噪声放大器

[发明专利]一种用于高阶工作模式的介质加载回旋行波管高频结构-CN202110584235.X有效
发明人：王丽;蒋豪;任茂仁;罗攀达 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01J23/36 文献下载
摘要：该发明公开了一种用于高阶工作模式的介质加载回旋行波管高频结构，属于毫米波和太赫兹器件技术领域。在220GHz等高频段，相较于具有开放边界的共焦波导回旋行波管，本发明可以降低对工作模式的损耗，从而获得更高的增益及效率。本发明首次采用以高阶模式TE32为回旋行波管的工作模式，解决了以低阶模为工作模式介质加载回旋行波管的结构尺寸过小、功率容量低、电子注易被截获等问题，并实现了较高的功率输出。传统的周期性分布介质加载无法有效地抑制高阶模式带来的多种寄生模式振荡，本发明以非周期分布介质加载的方式灵活地解决了高阶模式带来的多种寄生模式振荡问题，并通过输出渐变段优化匹配非均匀磁场大幅度地提升输出功率，获得稳定的高增益输出。
一种用于工作模式介质加载回旋行波高频结构

[发明专利]一种四腔高功率输出TE01模式的回旋速调管高频结构-CN202210151748.6有效
发明人：罗攀达;王丽;蒋豪;任茂仁 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J23/36 文献下载
摘要：该发明公开了一种四腔高功率输出TE01模式的回旋速调管高频结构，属于毫米波器件技术领域，在Q频段利用TE01模式构建了四个谐振腔工作的回旋速调管高频结构，可以应用于高次谐波下的线性化器件中，同时对TE01模式的功率容量限制进行探索。主要是在回旋速调管中利用TE01模式进行注波互作用，同时四个谐振腔包括输入腔、第一群聚腔、第二群聚腔和输出腔，工作频率为47GHz，该频段研究还较少，可用在直线加速器上，也对于兆瓦级回旋速调管的研究提供参考。
一种四腔高功率输出 te01 模式回旋速调管高频结构