专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片载放台-CN202310005571.3在审
  • 井上靖也;久野达也 - 日本碍子株式会社
  • 2023-01-04 - 2023-10-27 - H01J37/20
  • 本发明提供一种晶片载放台,能够使陶瓷基材的正上方区域的等离子体密度提高。晶片载放台(10)具备:陶瓷基材(20),其上表面具有晶片载放面(22a),且内置有电极(26);导电性基材(30),其设置于陶瓷基材(20)的下表面侧,兼用作等离子体发生电极,直径与陶瓷基材(20)的直径相同;支撑基材(40),其设置于导电性基材(30)的下表面侧,直径大于导电性基材(30)的直径,且与导电性基材(30)电绝缘;以及安装用凸缘(42),其为支撑基材(40)的比导电性基材(30)向半径方向外侧突出的部分。
  • 晶片载放台
  • [发明专利]晶片载放台-CN202310005560.5在审
  • 久野达也;井上靖也 - 日本碍子株式会社
  • 2023-01-04 - 2023-10-27 - H01J37/20
  • 本发明提供一种晶片载放台,其能够将具备脆性的冷却基材的晶片载放台无障碍地紧固于设置板,且能够防止晶片产生温度特异点。晶片载放台(10)具备:氧化铝基材(20)、脆性的冷却基材(30)、以及延展性的内螺纹部件(38)。氧化铝基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a),且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于氧化铝基材(20)的下表面,且形成有制冷剂流路(32)。内螺纹部件(38)以被限制了轴旋转的状态且是以与在冷却基材(30)的下表面呈开口的收纳孔(36)的卡合部卡合的状态收纳于收纳孔(36)内。内螺纹部件(38)能够与从冷却基材(30)的下表面侧插入的螺栓(98)的外螺纹旋合。收纳孔(36)设置于制冷剂流路(32)的内部。
  • 晶片载放台
  • [发明专利]晶片载放台-CN202310007250.7在审
  • 久野达也;井上靖也 - 日本碍子株式会社
  • 2023-01-04 - 2023-10-27 - H01L21/683
  • 本发明提供一种晶片载放台,其能够抑制晶片的端子孔的正上方附近成为温度特异点。晶片载放台(10)具备:陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、供电端子(54)、以及供电端子孔(36)。陶瓷基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a),且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于陶瓷基材(20)的下表面,且形成有制冷剂流路(32)。供电端子(54)与电极(26)连接。供电端子孔(36)沿着上下方向贯穿冷却基材(30),且对供电端子(54)进行收纳。供电端子孔(36)与制冷剂流路(32)交叉。
  • 晶片载放台
  • [发明专利]晶片载放台-CN202310005569.6在审
  • 久野达也;井上靖也 - 日本碍子株式会社
  • 2023-01-04 - 2023-10-17 - H01J37/32
  • 本发明提供一种晶片载放台,能够进一步改善晶片的均热性。晶片载放台(10)构成为:在内置有电极(22)的陶瓷板(20)的下表面侧设置有具有制冷剂流路(32)的冷却板(30)。作为水平空间的气体中间通路(50)与晶片载放面(21)平行地设置于晶片载放台(10)的内部的比制冷剂流路(32)靠近晶片载放面(21)的位置,且具有俯视时沿着制冷剂流路(32)与制冷剂流路重复的重复部。
  • 晶片载放台
  • [发明专利]晶片载放台-CN202310127913.9在审
  • 森冈育久;竹林央史;久野达也;井上靖也 - 日本碍子株式会社
  • 2023-02-17 - 2023-10-17 - H01J37/32
  • 本发明提供一种晶片载放台,其在不会妨碍对象物的吸附的状态下提高等离子体的产生效率。晶片载放台(10)具备陶瓷板(20)和导电性基材(30)。陶瓷板(20)在具有晶片载放面(21a)的板中央部(21)的外周具备具有聚焦环载放面(25a)的板环状部(25)。导电性基材(30)设置于陶瓷板(20)的下表面,用作高频源电极。在板环状部(25)以自聚焦环载放面(25a)起算为相同高度植入有聚焦环吸附用电极(26)和被供给偏置用高频的聚焦环侧高频偏置电极(27)。
  • 晶片载放台
  • [发明专利]晶片载放台-CN202211703797.2在审
  • 井上靖也;久野达也;森冈育久 - 日本碍子株式会社
  • 2022-12-29 - 2023-10-17 - H01L21/683
  • 本发明涉及晶片载放台,课题在于:改善晶片的均热性、并且防止气体中间通路内的放电。晶片载放台(10)具备:陶瓷板(20),内置有电极(22);导电性板(30),设置于陶瓷板(20)的下表面侧;导电性接合层(40),将陶瓷板(20)与导电性板(30)接合;气体中间通路(50),设置于导电性接合层(40)与导电性板(30)的界面;多个气体供给通路(52),它们从气体中间通路(50)贯通导电性接合层(40)及陶瓷板(20)而到达晶片载放面(21);气体导入通路(54),它们设置为在上下方向贯通导电性板(30)而与气体中间通路(50)连通,数量比与气体中间通路(50)连通的气体供给通路(52)的数量少。
  • 晶片载放台
  • [发明专利]半导体制造装置用部件-CN202310115342.7在审
  • 竹林央史;久野达也;井上靖也 - 日本碍子株式会社
  • 2023-02-15 - 2023-09-12 - H01L21/683
  • 本发明提供半导体制造装置用部件,能够抑制发生开裂,并且,从外部控制内部空间。半导体制造装置用部件(10)具备:基底基材(20)、聚焦环(FR)载放台(30)、晶片载放台(40)、以及内部空间(50)。基底基材(20)具有晶片载放台支撑部(21)和FR载放台支撑部(22)。FR载放台(30)借助环状接合层(26)而接合于FR载放台支撑面(22a)。晶片载放台(40)与FR载放台(30)分体,且俯视与FR载放面(30a)的内周部重复,借助圆形接合层(27)而接合于晶片载放台支撑面(21a)及FR载放面(30a)的内周部。内部空间(50)为由晶片载放台支撑部(21)的侧面、FR载放台(30)的内周面及圆形接合层(27)包围的环状空间,借助连通路(25)而与外部连通。
  • 半导体制造装置部件
  • [发明专利]半导体制造装置用部件-CN202211197255.2在审
  • 井上靖也;久野达也;长江智毅;小木曾裕佑;要藤拓也 - 日本碍子株式会社
  • 2022-09-27 - 2023-07-28 - H01L21/683
  • 本发明提供半导体制造装置用部件,在具备容许气体流通的多孔质插塞的半导体制造装置用部件的基础上,抑制杂质混入于晶片,并且,抑制气体的流通阻力增大。半导体制造装置用部件(10)具备:在上表面具有晶片载放面(21)的陶瓷板(20)、以及容许气体流通的多孔质插塞(50)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)。多孔质插塞(50)具有:在晶片载放面(21)露出的第一多孔质部(51)、以及上表面由第一多孔质部51覆盖的第二多孔质部(52)。第一多孔质部(51)与第二多孔质部(52)相比,纯度高且厚度薄。第二多孔质部(52)与第一多孔质部(51)相比,气孔率高。
  • 半导体制造装置部件
  • [发明专利]半导体制造装置用部件-CN202211327527.6在审
  • 井上靖也;久野达也 - 日本碍子株式会社
  • 2022-10-26 - 2023-06-30 - H01L21/683
  • 本发明提供半导体制造装置用部件,使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。半导体制造装置用部件(10)具备:陶瓷板(20);金属接合层(40)及冷却板(30)(导电性基材),它们设置于陶瓷板(20)的下表面;第一孔(24),其沿着上下方向贯穿陶瓷板(20);以及贯通孔(42)及气体孔(34)(第二孔),它们沿着上下方向贯穿导电性部件,且与第一孔(24)连通。致密质的绝缘壳体(60)具有在下表面呈开口的有底孔(64),且配置于第一孔(24)及第二孔。多个细孔沿着上下方向贯穿有底孔(64)的底部。多孔质插塞(50)配置于有底孔(64)而与底部接触。
  • 半导体制造装置部件
  • [发明专利]半导体制造装置用部件-CN202211023886.2在审
  • 井上靖也;久野达也;宫本宽大 - 日本碍子株式会社
  • 2022-08-24 - 2023-06-27 - H01L21/683
  • 本发明提供一种半导体制造装置用部件,能够抑制在晶片与导电性基材之间发生放电。半导体制造装置用部件(10)具备:陶瓷板(20);金属接合层(40)及冷却板(30)(导电性基材),它们设置于陶瓷板(20)的下表面;第一孔(24),其沿着上下方向贯穿陶瓷板(20);以及贯通孔(42)及气体孔(34)(第二孔),它们沿着上下方向贯穿导电性部件,且与第一孔(24)连通。多孔质插塞(50)的上表面在第一孔(24)的上部开口露出,下表面位于导电性基材的上表面以下。绝缘管(60)的上表面位于比晶片载放面(21)更靠下方的位置,下表面位于比多孔质插塞(50)的下表面更靠下方的位置。一体化部件(As)是通过多孔质插塞(50)和绝缘管(60)被一体化而得到的,其外周面通过从第一孔(24)的上表面至第二孔的内部的粘接层(70)而被固定于第一孔(24)及第二孔。
  • 半导体制造装置部件
  • [发明专利]晶片载放台-CN202210852241.3在审
  • 井上靖也;久野达也;森冈育久 - 日本碍子株式会社
  • 2022-07-20 - 2023-05-30 - H01J37/20
  • 本发明提供晶片载放台,提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备:陶瓷基材(20),其上表面具有能够载放晶片的晶片载放面,且内置有电极(26);冷却基材(30),其具有冷媒流路(32);金属接合层(40),其将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合;以及多个小突起(22c),它们在晶片载放面(22a)的基准面(22d)以顶面支撑晶片(W)的下表面。小突起(22c)的顶面在同一平面上。在晶片载放面(22a)的俯视与冷媒流路(32)重复的流路重复范围(R10)内,俯视冷媒流路(32)时与晶片载放面(22a)重复的范围内的与最上游部(32U)对置的小区域(A1)中,小突起(22c)的面积率最低。
  • 晶片载放台
  • [发明专利]晶片载放台-CN202210953556.7在审
  • 久野达也;井上靖也 - 日本碍子株式会社
  • 2022-08-10 - 2023-05-16 - H01J37/20
  • 本发明提供一种晶片载放台。晶片载放台(10)具备:氧化铝基材(20)、冷却基材(30)、以及展延性的内螺纹部件(38)。氧化铝基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a),且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于氧化铝基材(20)的下表面,且在内部形成有冷媒流路(32)。内螺纹部件(38)以被限制了轴旋转的状态且卡合于收纳孔(36)的卡合部的状态收纳于在冷却基材(30)的下表面呈开口的收纳孔(36)内。内螺纹部件(38)能够与从冷却基材(30)的下表面侧插入的螺栓(98)的外螺纹进行旋合。
  • 晶片载放台

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