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- [发明专利]激光照射装置-CN202310179489.2在审
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野村哲平;一宫佑希;陈之文
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株式会社迪思科
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2023-02-27
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2023-09-05
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B23K26/00
- 本发明提供激光照射装置，其以简单的装置结构实现高生产率。激光照射装置的激光照射单元包含：激光光源，其射出激光；空间光调制器，其根据相位图案对从激光光源射出的激光进行调制而射出；以及成像装配体，其将通过空间光调制器进行了调制的激光成像而照射至板状物。控制器具有：相位图案存储部，其存储多个相位图案，当该多个相位图案显示于空间光调制器时，在板状物的面内激光所照射的位置相互不同；以及相位图案控制部，其将显示于空间光调制器的相位图案切换成相位图案存储部所存储的多个相位图案中的规定的相位图案。
- 激光照射装置
- [发明专利]激光回流方法-CN202310118054.7在审
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野村哲平;一宫佑希;陈之文
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株式会社迪思科
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2023-02-10
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2023-08-18
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B23K1/005
- 本发明提供激光回流方法，能够抑制半导体芯片的外周部的连接不良。激光回流方法包含如下的步骤：准备步骤，准备被加工物，该被加工物包含基板以及半导体芯片，该半导体芯片在一个面上具有凸块并经由该凸块而载置于该基板上；以及激光束照射步骤，从位于该一个面的相反侧的另一个面向该半导体芯片照射激光束而对该被加工物的被照射区域所包含的凸块进行回流。在该激光束照射步骤中，从该被照射区域中的包含外周部的区域朝向该被照射区域中的包含中央部的区域，一边阶段性地变更照射范围一边照射激光束。
- 激光回流方法
- [发明专利]激光照射装置-CN202310107252.3在审
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野村哲平;一宫佑希;小林贤史
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株式会社迪思科
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2023-01-19
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2023-08-01
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B23K3/04
- 本发明提供激光照射装置，其能够将从激光振荡器射出的激光高效地照射至对象物。激光照射装置包含：激光振荡器，其射出激光；第一偏振光分束器，其将激光分离成s偏振光的第一激光和p偏振光的第二激光；第一空间光调制器，其将第一激光根据相位图案进行调制而射出；第二空间光调制器，其将第二激光根据相位图案进行调制而射出；第二偏振光分束器，其使从第一空间光调制器射出的第一激光与从第二空间光调制器射出的第二激光合成；以及成像单元，其将所合成的激光成像而照射至对象物。
- 激光照射装置
- [发明专利]非破坏检测方法-CN201910183815.0有效
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筑地修一郎;一宫佑希
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株式会社迪思科
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2019-03-12
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2023-01-17
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B23K26/53
- 提供非破坏检测方法，能够高效地进行通过激光加工而形成于被加工物的改质层的深度位置和长度的确认，并且能够迅速地设定适当的激光加工条件。在与X轴Y轴平面垂直的Z轴方向上隔开规定的间隔(H)而间歇地对被加工物的内部进行拍摄，获取多个X轴Y轴平面图像，针对由这些图像得到的三维图像(101)，计算出通过反卷积而去除了模糊后的清晰的三维清晰图像，将三维清晰图像与Z轴平行地切断，根据改质层的剖面的二维图像，对改质层的Z轴坐标值和改质层的长度进行检测。能够迅速地反复进行激光加工和改质层的状态检测，能够尽快发现最适合改质层形成的激光加工条件。
- 破坏检测方法
- [发明专利]晶片的检查方法-CN202210538403.6在审
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水本由达;一宫佑希
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株式会社迪思科
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2022-05-18
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2022-11-22
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H01L21/66
- 本发明提供晶片的检查方法，能够简化晶片的加工状态的判定。该晶片的检查方法对在内部沿着分割预定线形成有改质层的晶片进行检查，其中，该晶片的检查方法包含如下的步骤：激光束照射步骤，将输出未超过晶片的加工阈值且对于晶片具有透过性的激光束的聚光点定位于晶片的正面或内部，按照使晶片的背面中的被照射激光束的区域的形状以改质层为基准呈非对称的方式从晶片的背面侧照射激光束；拍摄步骤，拍摄激光束的反射光从而获取反射光的图像；以及判定步骤，根据图像而判定晶片的加工状态，在判定步骤中，利用通过机器学习而构成为当输入图像时输出晶片的加工状态的学习模型来判定晶片的加工状态。
- 晶片检查方法
- [发明专利]非破坏检测方法-CN201910090469.1有效
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筑地修一郎;一宫佑希;能丸圭司;小林贤史
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株式会社迪思科
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2019-01-30
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2022-11-08
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B23K26/53
- 提供非破坏检测方法，选定用于形成期望的改质层的最佳激光加工条件。该方法包含如下的工序：准备工序，准备检查装置(1)；图像获取工序，使物镜(52)沿与X轴Y轴平面垂直的Z轴方向以规定的距离(H)间歇地移动而接近第一面(Wa)，将焦点定位在根据被加工物(W)的折射率使焦点距离延伸而得的Z轴坐标值的位置，按照多个Z轴坐标值的每个获取被加工物的内部的X轴Y轴平面图像并记录于记录单元(80)；和改质层检测工序，根据多个Z轴坐标值的各个X轴Y轴平面图像(2a～2g)对改质层(M)的状态进行检测。以非破坏方式针对被加工物检测改质层的状态，能够重复实施改质层的形成和改质层的状态检测，能够迅速地选定用于形成期望的改质层的最佳激光加工条件。
- 破坏检测方法
- [发明专利]激光加工装置的调整方法和激光加工装置-CN202210402123.2在审
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一宫佑希;阿畠润
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株式会社迪思科
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2022-04-18
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2022-10-25
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B23K26/70
- 本发明提供激光加工装置的调整方法和激光加工装置，适当地校正构成激光照射单元的光学系统的聚光器的像差。该调整方法包含如下工序：空间光调制器调整工序，调整空间光调制器而使激光振荡器射出的激光光线成为能够按照成为期望的位置关系的方式照射多个激光光线的状态；加工痕形成工序，使激光振荡器动作而对卡盘工作台所保持的晶片照射激光光线而形成多个加工痕；拍摄工序，停止激光振荡器的动作，利用照相机拍摄形成于晶片的加工痕；和像差校正工序，将成为调整的基准的期望的位置关系与通过拍摄工序而拍摄的多个加工痕的位置关系进行比较，按照使加工痕的位置关系成为期望的位置关系的方式对空间光调制器进行调整而校正聚光器的像差。
- 激光加工装置调整方法
- [发明专利]激光加工装置-CN202110843055.9在审
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寺西俊辅;一宫佑希;茶谷舞
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株式会社迪思科
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2021-07-26
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2022-02-25
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B23K26/02
- 本发明提供激光加工装置，即使激光光线的光路与调整空间光相位调制器的图案的中心存在些许的偏移，也能够使加工力稳定并且能够提高加工力。激光加工装置的激光光线照射单元包含：激光振荡器，其射出激光光线；空间光相位调整器，其对从激光振荡器射出的激光光线的相位进行调整；聚光器，其对借助空间光相位调整器而调整了相位的激光光线进行会聚而将聚光点定位于被加工物的内部；以及控制单元，其对空间光相位调整器进行调整。控制单元包含保存有调整图案表的存储部，该调整图案表与激光光线的聚光点的深度位置对应地具有多个调整空间光相位调整器的调整图案。
- 激光加工装置
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202110187256.8在审
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寺西俊辅;冈田繁史;筑地修一郎;一宫佑希
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株式会社迪思科
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2021-02-18
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2021-08-24
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H01L21/268
- 本发明提供晶片的加工方法，容易地确认晶片是否在适当的条件下被加工。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从该晶片的背面侧照射第一激光束，在该晶片的内部形成改质层；观察用激光束照射步骤，将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面，一边使该聚光点移动一边照射该第二激光束；拍摄步骤，利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄；以及判定步骤，根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像，判定该晶片的加工状态，该第二激光束成形为与该第二激光束的行进方向垂直的面中的截面形状隔着沿着该分割预定线的轴线不线对称。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202110187300.5在审
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一宫佑希;筑地修一郎;小林贤史
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株式会社迪思科
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2021-02-18
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2021-08-24
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H01L21/268
- 本发明提供晶片的加工方法，容易地确认晶片是否在适当的条件下被加工。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从该晶片的背面侧照射第一激光束，在该晶片的内部形成改质层；观察用激光束照射步骤，将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面并照射该第二激光束；拍摄步骤，利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄；以及判定步骤，根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像，判定该晶片的加工状态，在该观察用激光束照射步骤中照射在该晶片上的该第二激光束成形为与该第二激光束的行进方向垂直的面中的截面形状隔着该改质层不对称。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN202110187368.3在审
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寺西俊辅;一宫佑希;筑地修一郎
-
株式会社迪思科
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2021-02-18
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2021-08-24
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H01L21/268
- 本发明提供晶片的加工方法，容易地确认形成于晶片的内部的裂纹的长度。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从该晶片的背面侧照射第一激光束，在该晶片的内部形成改质层；观察用激光束照射步骤，将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面，一边使该聚光点沿该晶片的厚度方向移动一边照射该第二激光束；拍摄步骤，利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄；以及判定步骤，根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像，判定该晶片的加工状态，该第二激光束成形为与该第二激光束的行进方向垂直的面中的截面形状隔着该改质层不对称。
- 晶片加工方法
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