|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 9个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]磁传感器及其制造方法-CN202180056711.9在审
-
山地勇一郎;原川修;龟野诚
-
TDK株式会社
-
2021-08-03
-
2023-05-05
-
G01R33/02
- 本发明的磁传感器控制间隙的大小，以提高组装时的作业效率，且尽可能缩小传感器芯片的元件形成面和集磁体的间隙，并且将产品间的偏差收敛于一定的范围内。磁传感器(10)具备以元件形成面(20a)相对于基板(2)的表面垂直的方式搭载于基板的传感器芯片(20)、和以表面(31)与元件形成面(20a)相对的方式搭载于基板的集磁体(30)。集磁体(30)具有位于表面(31)的相反侧的表面(32)，表面(31、32)两者被平坦化。由此，缩小元件形成面(20a)和集磁体(30)的间隙，并且产品间的偏差降低。而且，因为表面(32)也被平坦化，所以在向基板(2)搭载集磁体(30)时，相对于传感器芯片的方向性不存在，也提高组装时的作业效率。
- 传感器及其制造方法
- [发明专利]磁传感器及其制造方法-CN202180056999.X在审
-
山地勇一郞;原川修;龟野诚
-
TDK株式会社
-
2021-08-03
-
2023-05-05
-
G01R33/02
- 本发明的磁传感器以将产品间的偏差收敛于一定的范围内的方式，基于集磁体的表面性，控制产生于元件形成面和集磁体之间的间隙的大小。具备以元件形成面(20a)相对于基板(2)垂直的方式搭载的传感器芯片(20)和以表面(31)与基板(2)相对且表面(32)与元件形成面(20a)相对的方式搭载的集磁体(30)。集磁体(30)中，表面(32)的算术平均波度Wa为0.1μm以下。这样，如果与元件形成面(20a)相对的集磁体(30)的表面(32)的算术平均波度Wa被平坦化为0.1μm以下，则能够大幅降低元件形成面(20a)和集磁体(30)的间隙引起的检测灵敏度的降低，并且可以大幅抑制产品间的检测灵敏度的偏差。
- 传感器及其制造方法
- [发明专利]磁传感器-CN202210241929.8在审
-
山地勇一郎;原川修;龟野诚
-
TDK株式会社
-
2022-03-11
-
2022-09-27
-
G01R33/09
- 本发明的技术问题在于，在具有用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体的磁传感器中，提高磁场的检测灵敏度。本发明的磁传感器(10)具备：传感器芯片(20)，其具有磁性体层(M1～M3)以及磁敏元件(R1～R4)；聚磁体(30)，其覆盖磁性体层(M1)；以及聚磁体(40)，其包含覆盖传感器芯片(20)的背面(22)的主体部(A)、覆盖传感器芯片的侧面(23、24)的突出部(B1、B2)、和覆盖磁性体层(M2、M3)的突出部(C1、C2)。突出部(C1、C2)具有面向磁性体层(M2、M3)的内面(47)，内面(47)的平坦性高于聚磁体(40)的其他至少一个表面。如上所述，由于聚磁体(40)的内面(47)的平坦性提高，因此，能够减小聚磁体(40)的内面(47)与传感器芯片(20)的间隙，由此能够提高磁场的检测灵敏度。
- 传感器
- [发明专利]磁传感器-CN202080090670.0在审
-
黑木康二;小野寺郁人;原川修;龟野诚
-
TDK株式会社
-
2020-12-04
-
2022-08-12
-
G01R33/09
- 本发明要解决的技术问题是，在包括磁阻带和铁磁性膜的磁传感器中，通过使磁阻带与铁磁性膜磁耦合，提高施加至磁阻元件的磁偏置。解决手段是，磁传感器(1)具备：磁阻带(S)；覆盖磁阻带(S)的绝缘膜(13)；和铁磁性膜(M1、M2)，其设置在绝缘膜(13)上，隔着在y方向上延伸的磁隙(G)在x方向上排列。铁磁性膜(M1、M2)隔着绝缘膜(13)与多个硬磁性体(H)重叠。由此，因为相邻的2个硬磁性体(H)经铁磁性膜(M1、M2)磁耦合，所以，不使硬磁性体(H)大型化就能够提高施加至磁阻元件(R)的磁偏置。
- 传感器
- [发明专利]磁传感器-CN202080080483.4在审
-
恶七泰树;龟野诚;笠岛多闻
-
TDK株式会社
-
2020-07-30
-
2022-07-08
-
H01L43/08
- 本发明提供一种可进行闭环控制的小型的磁传感器。磁传感器(1)具备：传感器芯片(20)，其以元件形成面相对于基板(10)的表面垂直或者具有规定的倾斜度的方式搭载于基板(10)的表面(11)；外部磁性体(31)，其搭载于基板(10)的表面(11)并且将检测对象磁场聚磁于感磁元件；以及补偿线圈(41)，其被卷绕于外部磁性体(31)。这样，由于补偿线圈(41)卷绕于外部磁性体(31)，因此，能够取消施加于感磁元件的磁场，并且能够防止外部磁性体(31)的磁饱和。
- 传感器
- [发明专利]磁传感器及其制造方法-CN202080016410.9在审
-
龟野诚
-
TDK株式会社
-
2020-02-10
-
2021-10-01
-
G01R33/02
- 本发明一边抑制磁传感器的制造成本的增大，一边尽量减小传感器芯片的元件形成面与聚磁体的间隙，并且控制间隙的大小，以使产品间的偏差收敛于一定的范围内。本发明提供一种磁传感器，具备：以元件形成面(20a)相对于基板(2)垂直的方式搭载的传感器芯片(20)；以及以表面(31)与基板(2)相对且表面(32)与元件形成面(20a)相对的方式搭载的聚磁体(30)。聚磁体(30)的表面(31)、(32)的平坦性比其它表面的平坦性高。
- 传感器及其制造方法
- [发明专利]磁传感器-CN201780032067.5有效
-
潮田健太郎;龟野诚;林承彬;大川秀一
-
TDK株式会社
-
2017-05-22
-
2021-03-23
-
G01R33/09
- [技术问题]提高将四个磁敏元件桥接而成的磁传感器的检测精度。[解决方案]具备设置于传感器基板(20)的表面的磁性体层(41～43)和桥接的磁敏元件(R1～R4)。磁性体层(41)包含主区域(M1)和随着远离主区域(M1)而宽度变窄的收敛区域(S1)，磁性体层(42)包含主区域(M2)和随着远离主区域(M2)而宽度变窄的收敛区域(S5、S7)，磁性体层(43)包含主区域(M3)和随着远离主区域(M3)而宽度变窄的收敛区域(S6、S8)。收敛区域(S1～S4)的端部和收敛区域(S5～S8)的端部分别隔着间隙(G1～G4)而相对，磁敏元件(R1～R4)分别配置于由间隙(G1～G4)形成的磁路上。根据本发明，因为由在各磁敏元件中流通的电流而产生的磁通不对其它磁敏元件带来影响，所以检测精度得到了提高。
- 传感器
|
