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[发明专利]一种小尺寸Latch单元电路及Flash芯片-CN202011535598.6有效
发明人： 龙冬庆;刘梦;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种小尺寸Latch单元电路及Flash芯片，相较于传统Latch单元，本电路所使用的mos管数量极大减少，整个电路不但满足config配置模块的可配置信息位的基本的功能：上电有default值、可更新数据；同时还减小了整体Latch单元电路的尺寸，继而减小Flash芯片面积的消耗。
一种尺寸 latch 单元电路 flash 芯片

[发明专利]减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片-CN202011604743.1有效
发明人： 龙冬庆;刘梦;吴彤彤;温靖康 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片，在不改变灵敏放大器个数的前提下，减少数据编程单元，将128个数据编程单元改为32个数据编程单元，减小灵敏放大器和数据编程单元模块的总面积；对于16Mbit串行NOR Flash芯片来说，本技术方案可以减小1.2%～2.5%的芯片面积，如果对于8Mbit串行NOR Flash来说，本技术方案可以减小2%～4%的芯片面积，降低了芯片在晶圆制造端的成本，提升了芯片的成本优势。
减小非易失性闪存芯片面积电路

[实用新型]高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器-CN202023237578.9有效
发明人： 龙冬庆;吴彤彤;温靖康 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费NOR Flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的NOR Flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。
可靠非易失存储器存储单元阵列

[发明专利]一种带电压建立标志的负压电荷泵电路及flash芯片-CN202011614123.6在审
发明人： 龙冬庆;刘梦;吴彤彤 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种带电压建立标志的负压电荷泵电路及flash芯片，通过增加第二比较器作为电荷泵输出电压的动态监测模块，可以更加直观、准确且可靠地表征电荷泵输出电压是否已经建立，给其他电路提供了建立时间的准确坐标，优化了电路性能，并且给其他电路进行性能优化提供了依据和空间。
一种电压建立标志压电电路 flash 芯片

[发明专利]一种减小电荷泵输出电压纹波的电路-CN202011632922.6在审
发明人： 龙冬庆;刘梦;吴彤彤 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小电荷泵输出电压纹波的电路，在满足相同的驱动能力的条件下，将传统的一组电荷泵均分多组电荷泵组并行输出，同时控制电荷泵组的数量，在电荷泵输出电压需抬升时可采用多个电荷泵组一起并行工作，以减小电荷泵输出电压的上升时间，电荷泵输出电压到达目标值后，对每个电荷泵组的时钟信号进行分频处理，同时错开每个电荷泵组时钟的上升/下降沿，达到的效果是每个电荷泵组的工作时间错开，每次只有一个电荷泵组工作，以此减小电荷泵输出电压的波纹，本技术方案输出的电荷泵输出电压波纹理论上是传统电荷泵电路输出电压波纹的1/n左右，n为电荷泵组的分组数。
一种减小电荷输出电压电路

[发明专利]一种时钟振荡器电路、电荷泵电路及Flash芯片-CN202011594518.4在审
发明人：吴彤彤;王小光;龙冬庆 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟振荡器电路、电荷泵电路及Flash芯片，时钟振荡器OSC产生的第一时钟脉冲CLK，不直接输入至给电荷泵Charge pump，而是经过电平保持模块处理后得到第二时钟脉冲CLKm，再输入至电荷泵Charge pump，经处理后的第二时钟脉冲CLKm，在时钟使能EN=0后，可保持原电平，使电荷泵Charge pump接收到的时钟脉冲等于前一个接收到的时钟脉冲，防止电荷泵Charge pump的输出电压VPP因时钟引起过冲的问题。
一种时钟振荡器电路电荷 flash 芯片

[发明专利]基准电压自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端-CN202011594557.4在审
发明人：唐维强;龙冬庆;吴彤彤 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电压自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端，发送一个目标基准电压，通过比较器比较芯片的基准电压与目标基准电压的大小，若基准电压大于目标基准电压，则减小基准电压，直至基准电压与目标基准电压的差值落入误差范围内；若基准电压小于目标基准电压，则增大基准电压，直至基准电压与目标基准电压的差值落入误差范围内；通过将传统的直接测量芯片的基准电压的做法改为将基准电压与设定的目标基准电压进行比较，通过两者的差值对基准电压进行校准，目标基准电压通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉电压值的大小比较，测试程序简单，可操作性强。
基准电压自动校准测试方法装置存储介质终端

[发明专利]一种时钟频率校准的测试方法、装置、存储介质和终端-CN202011593361.3在审
发明人：唐维强;龙冬庆;吴彤彤 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟频率校准的测试方法、装置、存储介质和终端，发送固定宽度高电平，计数芯片内时钟走完该高电平所需要时钟个数，如果时钟个数在设定范围内，则校准通过，否则改变时钟的频率设置参数，然后重复计数时钟走完该高电平所需要的时钟个数并重复判断，直到时钟走完该高电平所需要的时钟个数落入设定范围内，即完成时钟频率的校准；通过将传统的直接测量芯片内时钟频率的做法改为测量芯片内时钟走完一定宽度高电平所需要的时钟个数，并判断时钟个数是否在设定范围内，固定宽度的高电平通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉及时钟个数的测量和判断，测试程序简单，可操作性强。
一种时钟频率校准测试方法装置存储介质终端

[发明专利]基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端-CN202011594549.X在审
发明人：唐维强;龙冬庆;吴彤彤 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电流自动校准的测试方法、装置、存储介质和终端，发送一个目标基准电流，通过比较器比较芯片的基准电流与目标基准电流的大小，若基准电流大于目标基准电流，则减小基准电流，直至基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；若基准电流小于目标基准电流，则增大基准电流，直至基准电流与目标基准电流的差值落入误差范围内；通过将传统的直接测量芯片的基准电流的做法改为将基准电流与设定的目标基准电流进行比较，通过两者的差值对基准电流进行校准，目标基准电流通过低阶测试机生成，整个过程无需使用高阶测试机，大大降低了测试的成本；而且整个过程只涉电流值的大小比较，测试程序简单，可操作性强。
基准电流自动校准测试方法装置存储介质终端

[发明专利]一种带隙基准电压高速上电防过冲电路-CN201910167082.1有效
发明人：王述前;龙冬庆 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G05F1/571 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电压高速上电防过冲电路，包括：主电路、启动模块、输出模块、滤波延时控制模块。本发明通过滤波延时控制模块滤除在启动阶段产生的过冲电流，并将其转换为延时后的电压信号，然后利用单级放大器检测该电压信号，最终控制输出模块，进而减弱或消除输出电压的过冲，使其保持稳定。此外，在滤波延时控制模块中采用单级放大器来做阈值检测电路，相比于采用反相器，单级放大器具有放大倍数高，检测精度高，动态功耗小等优点。另外由于第十一开关管为电流源连接，其栅极电压恒定，由工艺偏差引起的阈值电压的变化对其检测精度影响可以忽略不计。
一种基准电压高速上电防电路

[发明专利]一种上电复位电压稳定的上电复位电路-CN201910062248.3有效
发明人：温靖康;龙冬庆 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11C7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种上电复位电压稳定的上电复位电路，包括：上电复位模块，用于为非易失性存储器芯片提供上电复位所需的上电复位电压；负反馈模块，与上电复位模块连接，用于根据温度和工艺角向上电复位模块发送负反馈信号，该负反馈信号用于控制上电复位模块输出的上电复位电压在预设范围内。本发明通过在上电复位电路中添加负反馈模块，且该负反馈模块根据温度和工艺角向上电复位电路发送负反馈信号，该负反馈信号用于控制上电复位电路输出的上电复位电压在预设范围内，这样能够有效降低温度和工艺角对上电复位电压的影响，实现较准的上电复位电压检测，产生稳定的上电复位信号，实现准确的上电复位功能，从而保证芯片稳定正常工作。
一种复位电压稳定电路

[发明专利]一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置-CN201810637809.3在审
发明人： 龙冬庆;温靖康;张美洲 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置。所述方法包括：在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵，对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理。本发明提供的过擦除处理方法，将大量处于过擦除状态的存储单元依次经过至少一次预弱编程处理，使处于过擦除状态的存储单元电性特性尽量收敛，再执行完整弱编程操作，这样处理过程中弱编程电流将会明显降低，弱编程的效率也会大幅提高，能够节省弱编程时间，从而节省了芯片的擦除时间。
编程过擦除储存单元列阵非易失性存储器存储单元擦除次预方法和装置编程操作编程电流电性特性收敛芯片

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