“黎永健”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果71个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种电控盒及吸油烟机-CN202211115016.8在审
发明人：卢楚鹏;冼伟华;黎永健 -专利权人：广东万和电气有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本发明属于电器技术领域，具体公开了一种电控盒及吸油烟机。电控盒，包括第一组件与第二组件，第一组件和第二组件中的一个为盒体，另一个为盖体，第一组件的一侧通过转动连接组件与第二组件的一侧连接，转动连接组件包括一转轴，以及沿转轴的轴线方向间隔设置的两个轴套，转轴设置于第一组件上，转轴的两端分别转动插设于两个轴套中，两个轴套设置于第二组件上，其中一轴套为活动轴套，活动轴套沿轴线方向可拆卸安装于第二组件，第一组件的另一相对侧和第二组件的另一相对侧可拆卸连接。本发明公开的电控盒和吸油烟机，能够提高盖体打开和关闭便利性，提高电控盒内部电器件的维修及更换便利性。
一种电控盒吸油烟机

[发明专利]校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备-CN202311217493.X在审
发明人：李文菊;黎永健 -专利权人：上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备，其中，校验电流的设置方法包括以下步骤：获取第一电流信息和第二电流信息；获取第一数量和第二数量；根据第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流；该方法利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流，并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产生的漏电流总值，再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流，以使校验操作顺利且精确地进行，从而提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。
校验电流设置方法操作相关设备

[发明专利]燃烧器及燃气灶-CN202211719399.X在审
发明人：卢宇聪;黎永健;张煜圣 -专利权人：广东万和电气有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F23D14/58 文献下载
摘要：本发明属于燃烧技术领域，具体公开了燃烧器和燃气灶。燃烧器包括分气座和火盖，包括分气座和火盖，所述火盖和所述分气座的二者其一上设有若干凹槽，所述火盖扣设于所述分气座上并围形成有混气腔，且所述凹槽与所述火盖和所述分气座中另一个的壁面配合形成火孔，若干个所述火孔沿所述火盖的周向间隔设置并沿所述火盖的径向延伸，所述火孔与所述混气腔连通；所述火盖的下端面具有下凸的凸齿，相邻两个所述火孔之间均设置有所述凸齿，所述凸齿的下端低于相邻的所述火孔。燃气灶包括上述燃烧器。本发明公开的燃烧器和燃气灶，能够控制燃烧速度，降低燃烧温度，降低燃烧产生的氮氧化物。
燃烧燃气灶

[发明专利]操作时间仿真获取方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311145378.6在审
发明人：李文菊;黎永健 -专利权人：上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明涉及芯片验证技术领域，具体公开了一种操作时间仿真获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取操作命令的配置信息和操作对象的特性信息；根据配置信息获取操作命令的各个子操作的耗时信息；根据特性信息获取操作命令的各个子操作所需的执行次数信息；根据子操作的类型、对应的执行次数信息和耗时信息生成操作命令的总耗时信息；该方法以子操作耗时信息和执行次数信息为数据基础快速分析出不同操作对象执行不同操作命令的所用时间，能一目了然地仿真出对应芯片产品的时间性能，以便设计人员仿真获取芯片关于时间的运行参数以对芯片进行调试、修改和评估产品质量。
操作时间仿真获取方法装置电子设备存储介质

[发明专利]NOR FLASH的复位方法、装置、存储芯片及设备-CN202310863763.8有效
发明人：彭永林;黎永健;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种NOR FLASH的复位方法、装置、存储芯片及设备，其中，方法包括以下步骤：S1、在基于CS通信口发送时钟信号时，基于SI通信口采集脉冲序列，并统计时钟信号的周期个数；S2、在周期个数比复位序列值位数小一时，将周期个数打一拍后输出；S3、根据时钟信号的周期个数和脉冲序列生成复位信号；该方法能避开运算电路的组合逻辑竞争冒险以获取完美的脉冲序列值，从而有效避免了出现匹配序列毛刺，确保脉冲序列值为复位序列值时能对数字电路产生没有毛刺的复位操作，大大提高复位流程的可靠性。
nor flash 复位方法装置存储芯片设备

[发明专利]一种时钟输出方法、电路及芯片-CN202310881495.2在审
发明人：彭永林;黎永健;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K5/04 文献下载
摘要：本申请涉及时钟输出技术领域，具体提供了一种时钟输出方法、电路及芯片，该方法包括步骤：获取第一时钟周期数量，第一时钟周期数量为内部晶振时钟在满足第一条件时连续产生的时钟周期数量，第一条件包括内部晶振模块的使能开关打开；在第一时钟周期数量大于或等于预设的第二时钟周期数量时，释放内部晶振时钟；该方法能输出频率和占空比稳定的内部晶振时钟，从而有效地避免出现由于内部晶振时钟的频率和占空比发生变化而导致数字电路的运行时钟出现畸形情况的情况，进而有效地避免出现由于数字电路的运行时钟出现畸形情况而造成时序违例、数字电路中的触发器进入亚稳态和数字电路崩溃死机的情况。
一种时钟输出方法电路芯片

[发明专利]一种高速读取数据的SPI接口的FLASH存储器-CN202011604951.1有效
发明人：刘佳庆;黎永健;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速读取数据的SPI接口的FLASH存储器，在传输时钟信号的上升沿和下降沿分别对输入的数据信号采样，可以在不改变外部时钟信号频率情况下，实现输入数据传输速率加倍，而且同时接受4线输入数据，两者结合输入速率可达SCK频率的8倍，同时，在芯片内部将数据速率降低，降低功耗同时也便于后续处理；通过输出上升沿同步单元和输出下降沿同步单元将两路数据同步，输出选择单元在传输时钟信号SCK为高电平时，选择输出下降沿同步单元的数据输出，当传输时钟信号SCK为低电平时，选择输出上升沿同步单元的数据输出，在不改变时钟频率情况下，实现数据输出的双倍速率。
一种高速读取数据 spi 接口 flash 存储器

[发明专利]非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端-CN202011589882.1有效
发明人： 黎永健;刘佳庆;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端，接收单步测试配置；接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；获取操作测试中对应步骤的测试结果；对测试结果进行分析，最终得到Nor Flash芯片测试步骤组合；通过每一个基本的单步步骤和单步反馈结果搭建整个擦除或者编程的各个步骤，而且是根据需要随时可以调整；在工艺平台的升级换代时，通过不同的步骤的组合，能够快速找到一种可靠性高、执行速度快的步骤组合。
非易失型芯片内部测试方法装置存储介质终端

[发明专利]读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质-CN202211491412.0有效
发明人：彭永林;黎永健;王振彪 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，该方法根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域，本申请根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到NorFLASH芯片中正确的配置文件信息。
读取芯片配置文件信息方法装置设备存储介质

[实用新型]燃烧器及燃气灶-CN202223558496.3有效
发明人：卢宇聪;黎永健;张煜圣 -专利权人：广东万和电气有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： F23D14/58 文献下载
摘要：本实用新型属于燃烧技术领域，具体公开了燃烧器和燃气灶。燃烧器包括分气座和火盖，包括分气座和火盖，所述火盖和所述分气座的二者其一上设有若干凹槽，所述火盖扣设于所述分气座上并围形成有混气腔，且所述凹槽与所述火盖和所述分气座中另一个的壁面配合形成火孔，若干个所述火孔沿所述火盖的周向间隔设置并沿所述火盖的径向延伸，所述火孔与所述混气腔连通；所述火盖的下端面具有下凸的凸齿，相邻两个所述火孔之间均设置有所述凸齿，所述凸齿的下端低于相邻的所述火孔。燃气灶包括上述燃烧器。本实用新型公开的燃烧器和燃气灶，能够控制燃烧速度，降低燃烧温度，降低燃烧产生的氮氧化物。
燃烧燃气灶

[发明专利]无感扩容的Nor Flash、感知电路及电子设备-CN202310016992.6有效
发明人： 黎永健;彭永林;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种无感扩容的Nor Flash、感知电路及电子设备，其中，感知电路包括：多个分别与不同副芯片连接的开漏pad；上拉电阻，其第一端与所有开漏pad的输出端连接，其第二端连接供电电压；晶体管，其第一端与上拉电阻的第一端连接，其第二端接地，其第三端连接主芯片；非门，其输入端与上拉电阻的第一端连接；第一选择器，其选择控制端与非门输出端连接，其一输入端输入高电平信号；寄存器，其触发输入端与第一选择器的输出端连接，其输出端与第一选择器的另一输入端连接；该感知电路无需每个存储芯片主动返回状态便能实现对所有存储芯片的运行状态的在线监测。
扩容 nor flash 感知电路电子设备

[实用新型]上进风炉头和燃气灶-CN202223601246.3有效
发明人：卢楚鹏;胡永衡;胡锦桐;黎永健 -专利权人：广东万和电气有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： F24C3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种上进风炉头和燃气灶，其中，上进风炉头包括喷嘴、底座和引射管，引射管的外周设置有外螺纹，底座上贯穿设置有安装孔，安装孔的孔壁设置有内螺纹，引射管的一端旋拧入安装孔内，引射管的另一端凸出于底座靠近喷嘴的一侧面，且引射管与喷嘴间隔设置，引射管和喷嘴之间形成空气补充区，引射管与喷嘴之间的间距可调。本实用新型通过底座的安装孔孔壁设置内螺纹，在引射管的外周设置外螺纹，使得引射管与安装孔螺纹连接，可以采用转动引射管的方式来调整引射管的位置，从而调整空气补充区的大小，调整进入引射管的空气量。
上进风炉头燃气灶

[发明专利]片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器-CN202310016973.3有效
发明人： 黎永健;彭永林;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器，其中，该片选使能控制装置包括：第一地址接收端；第一累加器，与第一地址接收端连接；第一选择器，与第一地址接收端及第一累加器连接；第一判断模块，与第一选择器连接；该片选使能控制装置能根据外部输入的操作命令携带的地址信息判断该地址信息所在的存储芯片，并基于判断结果打开对应存储芯片的片选使能信号，使得对于同一个操作命令而言，同一时间有且仅有最多一个存储芯片能根据对应打开的片选使能信号来执行操作，避免多个存储芯片因识别地址错误同时进行读取而导致芯片损坏，以及因识别地址错误同时进行擦写而导致数据丢失。
片选使能控制装置读取擦写闪存

[发明专利]闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质-CN202211677531.5在审
发明人：李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差；根据第一阈值电压差和第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值；该方法基于第一阈值电压差和第二阈值电压差更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值能在存储单元的使用特性下降时及时更新合适的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值，以确保擦除操作能高效、顺利地完成执行。
闪存芯片擦除电压配置方法装置设备存储介质

[发明专利]nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质-CN202211229126.7有效
发明人：李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体公开了一种nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质，其中，该nor flash的全片擦除方法包括以下步骤：S1、对待擦除全片区域进行预编程；S2、利用阵列擦除模式对全片区域进行粗擦除操作；S3、基于块擦除模式或扇区擦除模式对全片区域进行精擦除操作；该nor flash的全片擦除方法集合了阵列擦除模式粗擦除效率高以及块擦除模式或扇区擦除模式的精擦除收敛效果好、收敛速度快的优势来对nor flash的全片区域进行擦除，从而节省了整个全片区域的擦除所需的时间，并能提高擦除成功率，尤其适用于不同存储区域因使用程度或工艺等原因导致擦除性能差异较大的nor flash。
nor flash 全片擦除方法装置设备介质

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 71 条