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- [发明专利]半导体制程方法-CN201710063562.4有效
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黎俊霄;陈纬仁;孙文堂
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力旺电子股份有限公司
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2017-02-03
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2019-12-20
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H01L27/112
- 本发明公开了一种用以形成半导体结构及存储器单元的半导体制程方法，包括于基底布植第一深井区及第二深井区；于该第一深井区设置一组第一隔离区、一组第一井区及一组第三井区，以形成一组第一通道区及一组第四通道区，及于该第二深井区设置一组第二隔离区及第二井区，以形成第二通道区及第三通道区；使用第一光罩以使光阻遮盖该组第一通道区及该第二通道区，露出该组第四通道区的至少一第四通道区及该第三通道区；及执行屬於第一型半导体的掺杂以同步提升露出的该至少一第四通道区及该第三通道区的掺杂浓度。
- 半导体方法
- [发明专利]非易失性存储器元件及其制造方法-CN201110107959.1有效
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许正源;黎俊霄
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力晶科技股份有限公司
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2011-04-28
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2012-10-24
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H01L29/788
- 本发明公开一种非易失性存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括基底、栅极堆叠结构、选择栅、擦除栅、源极区、漏极区、第一介电层与第二介电层。位于基底上的栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构由下而上包括隧穿介电层、浮置栅、栅间介电层与控制栅，以及间隙壁，位于控制栅以及栅间介电层的侧壁且浮置栅与擦除栅相邻的一侧为具有尖角的包覆轮廓，凸出于间隙壁的纵表面。选择栅与擦除栅分别位于栅极堆叠结构的第一侧与第二侧的基底上。源极区位于擦除栅下方的基底中。漏极区位于选择栅的一侧的基底中。第一介电层位于栅极堆叠结构与擦除栅之间以及栅极堆叠结构与源极区之间。第二介电层位于选择栅与基底之间。
- 非易失性存储器元件及其制造方法
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