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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板和半导体装置-CN202211717713.0在审
发明人：汤汇祺;何劭淳;林轩仪;黄溥膳 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种基板，包括：角焊盘单元，设置在用于安装多排QFN封装的表面安装区域的拐角，该角焊盘单元包括至少一个L形焊盘，其中，该L形焊盘设置在靠近该表面安装区域的该拐角的顶点处。采用这种方式，可以利用L形焊盘来减少表面安装区域的边缘处的应力集中，提高摔落后接合的焊球被破坏或开裂的可能性，提高半导体结构的稳定性。
半导体装置

[发明专利]基板和半导体装置-CN202211714613.2在审
发明人：汤汇祺;何劭淳;林轩仪;黄溥膳 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种基板，包括：暴露焊盘区域，设置在该基底基板的表面安装区域内；焊球焊盘，具有多个并交错排列，并且设置在该表面安装区域内，围绕该暴露焊盘区域布置成环形，其中，该焊球焊盘包括排列在第一排中的第一焊球焊盘和排列在第二排中的第二焊球焊盘，其中，该第一排的该第一焊球焊盘以两个不同的间距排列，该第二排的该第二焊球焊盘以固定的间距排列；以及方形焊球焊盘，排列在该暴露焊盘区域与该焊球焊盘之间的第三排。本发明可以方便在第三排焊盘(例如方形焊盘)上形成通孔，或/和，方便连接到通孔；提高了IC封装安装到基板后连接的质量和可靠性。
半导体装置

[发明专利]基板和半导体装置-CN202211717728.7在审
发明人：汤汇祺;林轩仪;何劭淳;江翌妏;黄溥膳 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种基板，包括：焊球焊盘，具有多个并交错排列，并且设置在用于安装多排QFN封装的表面安装区域内，其中，该焊球焊盘包括排列在第一排中的第一焊球焊盘和排列在第二排中的第二焊球焊盘，其中，该第一排的该第一焊球焊盘以两个不同的间距排列，该第二排的该第二焊球焊盘以固定的间距排列。位于第一排的具有较大间距的相邻的两个焊球焊盘之间留出了足够的空间，以使对应的位于第二排的相邻的两个的焊球焊盘的走线可以同时穿过，从而容易形成差分对，这样布线或走线将更加容易布局，避免了先前技术中布线或走线容易出现的问题。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN202111393686.1在审
发明人： 黄溥膳 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括：基板；钝化层，在该基板上；后钝化互连结构，在该钝化层上；以及聚合物层，覆盖该后钝化互连结构和该钝化层，其中该后钝化互连结构包括设置在该钝化层上并围绕该后钝化互连结构的下边缘的阶梯结构。通过设计阶梯结构，使位于后钝化互连结构角落处之上的后钝化互连结构的厚度减小，从而大大减小了后钝化互连结构的下边缘的角落处所受的应力，这样就可以避免位于后钝化互连结构的下边缘的角落处的钝化层区域的破裂，保证半导体结构的结构稳定性以及正常工作运行。
半导体结构

[发明专利]微机电封装结构-CN201810057842.9有效
发明人：萧旭良;蔡育轩;黄溥膳;黄敬涵;赖律名 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明关于一种微机电封装结构，包含第一衬底、转换单元、芯片和第二衬底。所述第一衬底限定通孔。所述转换单元包含基底和振膜。所述转换单元电性连接所述第一衬底，且所述振膜位于所述通孔和所述基底之间。所述芯片电性连接所述第一衬底和所述转换单元。所述第二衬底限定容室，且附着于所述第一衬底。所述转换单元和所述芯片位于所述容室中，所述第二衬底通过所述第一衬底电性连接所述转换单元和所述芯片。
微机封装结构

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