“黄小妍”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种具有抗癌活性的新型铜双核结构金属配合物、其制备方法及用途-CN202011007620.X有效
发明人：曾振芳;韦友欢;黄秋萍;蔡杰慧;郭洋洋;许丹妮;郑广进;黄丽青;黄小妍 -专利权人：广西民族师范学院
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有抗癌活性的新型铜双核结构金属配合物、其制备方法及用途，属于药物合成技术领域。该金属配合物的配位结构图见图1所示。该新型铜双核结构金属配合物的制备方法，包括以下步骤：在两个容器中分别放入间氯苯甲酸和三水硝酸铜，用DMF溶解间氯苯甲酸，得间氯苯甲酸溶液，用蒸馏水溶解三水硝酸铜，得硝酸铜水溶液；在搅拌条件下，将硝酸铜水溶液缓慢滴加到间氯苯甲酸溶液中，反应得混合液，将混合液倒入反应釜，在85‑95℃下反应4‑5h；取出常温放置5‑9d，析出绿色块状晶体，即得所述新型铜双核结构金属配合物。本发明提供的金属配合物具有较好的抗癌活性、制备方法简单。
一种具有抗癌活性新型铜双核结构金属配合制备方法用途

[实用新型]一种用于SOI射频前端芯片的增强型ESD保护电路-CN202221341098.3有效
发明人：刘刚;郭天生;黄小妍;潘浩;赵鹏 -专利权人：江苏乾合微电子有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及ESD保护电路领域，公开了一种用于SOI射频前端芯片的增强型ESD保护电路，包括电路本体，电路本体包括VDD电源轨、VSS电源轨，VDD电源轨和VSS电源轨之间依次并联有静电放电检测电路、NMOS晶体管电路，NMOS晶体管电路包括若干NMOS晶体管，NMOS晶体管的栅极与NMOS晶体管的源极之间连接有电阻。解决了现有增强型ESD电源钳位电路在实际使用时可靠性较低的问题。
一种用于 soi 射频前端芯片增强 esd 保护电路

[实用新型]电压转换器电路及射频开关-CN202221342936.9有效
发明人：刘刚;郭天生;黄小妍;李凤玲;郑理;赵鹏 -专利权人：江苏乾合微电子有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电压转换器电路及射频开关，其可提升射频开关芯片的耐压性，保证射频开关可靠工作，同时可满足射频开关的微型化要求,电压转换器电路包括带隙基准电压电路、第一LDO电路、第二LDO电路、第一分压单元、第二分压单元、第一开关单元、第二开关单元，第一开关单元输出端分别连接带隙基准电压电路输入端、第一LDO电路输入端，第二开关单元输出端连接第二LDO电路输入端，带隙基准电压电路输出端分别连接第一LDO电路、第二LDO电路，第一分压单元包括电阻R1，第二分压单元包括串联二极管，第一开关单元、第二开关单元均由MOS管构成，射频开关包括所述电压转换器电路。
电压转换器电路射频开关

[实用新型]一种用于射频前端芯片的接口装置-CN202220376801.8有效
发明人：刘刚;郭天生;黄小妍;潘浩;赵鹏 -专利权人：江苏乾合微电子有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型涉及移动通信技术领域,公开了一种用于射频前端芯片的接口装置，包括状态机子模块、MIPI接口、复位信号产生单元、输出信号转换单元和初始ID设置单元，MIPI接口包括电压输入端、时钟输入端和数据输入端，电压输入端分别与复位信号产生单元、输出信号转换单元、初始ID设置单元和状态机子模块电连接，复位信号产生单元与状态机子模块电连接，初始ID设置单元与状态机子模块电连接，在实际使用时，本实用新型的状态机子模块的ID信息设置管脚单独设置出来，由初始ID设置单元来配置状态机子模块的ID信息设置管脚的输入电平的高低状态，以此设置状态机子模块的ID信息，不用单独设置特定的数字电路来设置状态机子模块的ID信息，方便研发人员的开发。
一种用于射频前端芯片接口装置

[实用新型]一种射频前端芯片的偏置电压产生电路-CN202220372102.6有效
发明人：刘刚;郭天生;黄小妍;潘浩;赵鹏 -专利权人：上海乾合微电子有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及射频前端芯片技术领域,公开了一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端；在实际使用时，当电压输入端输入的电压是3.3V时，PMOS管MP1导通，PMOS管MP1输出的电流经第一电流镜单元和第二电流镜单元镜像后，在NMOS管MN1上产生压降，使PMOS管MP2关断，3.3V电压经降压单元输出；当电压输入端输入1.8V电压时，PMOS管MP1关断，不向第一电流镜单元输入电流，第一电流镜单元和第二电流镜单元不工作，1.8V电压经PMOS管MP2输出，因此本实用新型能够兼容两种电压规格的电源电压输入，且降低输入电压为1.8V时的工作电流和能耗。
一种射频前端芯片偏置电压产生电路

[实用新型]一种正压电荷泵-CN202123213316.3有效
发明人：刘刚;郭天生;黄小妍;潘浩;赵鹏 -专利权人：上海乾合微电子有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种正压电荷泵，其可避免正压电荷泵信号翻转时交叠产生弱导通，确保输出电压达到预期电压，可降低内耗，其包括开关单元、电容，开关单元包括至少四个：第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元，电容包括第一电容、第二电容、第三电容，第一开关单元一端、第三开关单元一端串联第一电容后连接时钟信号端，第二开关单元一端、第四开关单元一端串联第二电容后连接互补时钟信号端，第三开关单元、第四开关单元的另一端连接，第一开关单元另一端、第二开关单元另一端串联第三电容后连接电压输出端，第一开关单元另一端、第二开关单元另一端还连接电压输入端，第一开关单元、第二开关单元均由二极管组成。
一种正压电荷

[发明专利]一种射频前端芯片的偏置电压产生电路-CN202210167543.7在审
发明人：刘刚;郭天生;黄小妍;潘浩;赵鹏 -专利权人：上海乾合微电子有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明涉及射频前端芯片技术领域,公开了一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端；在实际使用时，当电压输入端输入的电压是3.3V时，PMOS管MP1导通，PMOS管MP1输出的电流经第一电流镜单元和第二电流镜单元镜像后，在NMOS管MN1上产生压降，使PMOS管MP2关断，3.3V电压经降压单元输出；当电压输入端输入1.8V电压时，PMOS管MP1关断，不向第一电流镜单元输入电流，第一电流镜单元和第二电流镜单元不工作，1.8V电压经PMOS管MP2输出，因此本发明能够兼容两种电压规格的电源电压输入，且降低输入电压为1.8V时的工作电流和能耗。
一种射频前端芯片偏置电压产生电路

1
共 7 条