专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]弹性波元件及其制造方法-CN201880003452.1有效
  • 多井知义;滑川政彦;鹈野雄大;服部良祐;浅井圭一郎 - 日本碍子株式会社
  • 2018-09-04 - 2023-03-24 - H03H9/25
  • 针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件,提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备:压电性材料基板1A;中间层2,所述中间层2设置于压电性材料基板1A上,并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成;接合层3,所述接合层3设置于中间层2上,并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成;支撑基板5,所述支撑基板5由多晶陶瓷构成,并与接合层3直接接合;以及电极9,所述电极9设置于压电性材料基板1A上。
  • 弹性元件及其制造方法
  • [发明专利]振动板接合体-CN202080030783.1在审
  • 鹈野雄大;多井知义;浅井圭一郎;丹羽真人 - 日本碍子株式会社
  • 2020-12-07 - 2022-09-02 - H01L41/09
  • 在包含高刚性陶瓷的振动板与支撑基板的接合体的基础上,提供能够维持振动板的强度且防止振动板的剥离或开裂的结构。振动板接合体5具备:支撑基板3,其包含硅;振动板1A,其包含高刚性陶瓷且厚度为100μm以下;以及接合层2,其包含α-Si,位于支撑基板3与振动板1A之间,并与振动板1A的接合面1a接触。振动板1A的接合面1a的算术平均粗糙度Ra为0.01nm以上10.0nm以下,振动板1A的接合面1a的蚀坑密度为每100μm2具有10个以上。
  • 振动接合
  • [发明专利]接合体及弹性波元件-CN201980036450.7有效
  • 鹈野雄大;后藤万佐司;多井知义 - 日本碍子株式会社
  • 2019-04-23 - 2021-12-28 - H03H9/25
  • 在包含铌酸锂等的压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合体5、5A中,抑制加热时的接合体翘曲。接合体5、5A具备:压电性单晶基板4、4A;支撑基板1,其由多晶陶瓷材料或单晶材料形成;接合层2A,其设置于压电性单晶基板4、4A上,且组成为Si(1-x)Ox(0.008≤x≤0.408);以及非晶质层8,其设置于支撑基板1与接合层2A之间,且含有氧原子及氩原子。非晶质层8的中央部中的氧原子的浓度高于非晶质层8的周缘部中的氧原子的浓度。
  • 接合弹性元件
  • [发明专利]接合体及弹性波元件-CN201980034943.7有效
  • 鹈野雄大;后藤万佐司;多井知义 - 日本碍子株式会社
  • 2019-04-17 - 2021-11-16 - H03H9/25
  • 将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中,使用高电阻接合层,且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备:压电性单晶基板4、4A;支撑基板1,其包含单晶硅;接合层2A,其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间,且组成为Si(1-x)Ox(0.008≤x≤0.408);以及非晶质层8,其设置于支撑基板1与接合层2A之间,且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。
  • 接合弹性元件
  • [发明专利]接合体和弹性波元件-CN201980016922.2有效
  • 后藤万佐司;鹈野雄大;多井知义 - 日本碍子株式会社
  • 2019-03-14 - 2021-10-22 - H03H9/25
  • 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度,并且提高Q值。接合体(5、5A)具备:支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于:接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。
  • 接合弹性元件
  • [发明专利]接合体和弹性波元件-CN201980018675.X有效
  • 后藤万佐司;鹈野雄大;多井知义 - 日本碍子株式会社
  • 2019-03-14 - 2021-06-29 - H03H9/25
  • 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度,并且提高Q值。接合体(5、5A)具备:由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板与压电性单晶基板之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。氧比率从接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部向接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部增加或减少。接合层(2A)中的氧比率x的最大值为0.013以上0.666以下,氧比率x的最小值为0.001以上0.408以下。
  • 接合弹性元件
  • [发明专利]接合体及弹性波元件-CN201980067455.6在审
  • 鹈野雄大;后藤万佐司;多井知义 - 日本碍子株式会社
  • 2019-08-23 - 2021-05-28 - H03H9/25
  • 提供一种接合体,将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。接合体(5、5A)具备:支撑基板(1),其包含金属氧化物;压电性材料基板(4、4A);接合层(2B),其设置于支撑基板与压电性材料基板之间,且组成为Si(1-x)Ox(0.008≤x≤0.408);以及非晶质层(10),其设置于接合层与支撑基板之间。非晶质层(10)中的氧比率比支撑基板(1)中的氧比率高。
  • 接合弹性元件
  • [发明专利]接合体及弹性波元件-CN201980067483.8在审
  • 鹈野雄大;后藤万佐司;多井知义 - 日本碍子株式会社
  • 2019-08-23 - 2021-05-25 - H03H9/25
  • 提供一种接合体,将压电性材料基板(1A)经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于支撑基板(3)上。接合体(8A)具备:支撑基板(3);压电性材料基板(1A);第一接合层(4A),其设置于支撑基板(3)上,且组成为Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408);第二接合层(2A),其设置于压电性材料基板(1A)上,且组成为Si(1‑y)Oy(0.008≤y≤0.408);以及非晶质层(7),其设置于第一接合层(4A)与第二接合层(2A)之间。非晶质层(7)中的氧比率比第一接合层(4A)中的氧比率及第二接合层(2A)中的氧比率高。
  • 接合弹性元件

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