专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]栅氧化层测试结构-CN202310219503.7有效
  • 鲍丙辉;曲厚任;项宁 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-09 - H01L23/544
  • 本发明提供了一种栅氧化层测试结构,包括:衬底,所述衬底包含器件区与虚拟区,所述虚拟区位于所述器件区的边缘,所述衬底内形成有多个隔离结构,和由所述隔离结构限定的有源区;位于所述衬底上的栅氧化层,以及位于所述栅氧化层上的栅极;其中,所述器件区与所述虚拟区内的所述栅氧化层相并联。本发明通过将器件区与虚拟区内的栅氧化层并联,以此提高所述栅氧化层的检测面积,从而更有效地监控所述栅氧化层的击穿电压,提高WAT的检测能力,能够更好地反应制程问题,减少客诉。
  • 氧化测试结构
  • [发明专利]互连结构的制备方法-CN202211129318.0在审
  • 刘扬;曲厚任;鲍丙辉 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-09-16 - 2022-11-22 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种互连结构的制备方法,提供衬底,在衬底上依次形成第一阻挡层、金属层和第二阻挡层,其中,第二阻挡层的厚度大于500埃;依次刻蚀第二阻挡层、金属层和第一阻挡层以形成显露衬底的若干沟槽,相邻两个沟槽之间剩余的金属层作为金属线;形成介电层填充沟槽且覆盖至第二阻挡层的上方;以及,刻蚀介电层和部分厚度的第二阻挡层以形成若干通孔,当通孔位于金属线上且通孔的底部具有一个或多个凹陷部时,凹陷部位于介电层中,且凹陷部和金属线之间间隔有介电层;本发明使得金属线不会被刻蚀工艺腐蚀,提高互连结构的稳定性。
  • 互连结构制备方法
  • [发明专利]套刻误差的补偿方法-CN202210158358.1在审
  • 项宁;曲厚任;鲍丙辉;索圣涛 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-02-21 - 2022-05-27 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种套刻误差的补偿方法,首先提供参考衬底,在所述参考衬底上依次形成第一图形层与第二层图形层,获取第二图形层与第一图形层之间的套刻误差参数,接着提供衬底,在衬底上依次形成第一图形层、第二图形材料层与第一光刻胶层,在对所述第一光刻胶层进行曝光之前,根据所述套刻误差参数,对所述第一光刻胶层进行衬底旋转量补偿与曝光场涨缩量补偿,之后再对第一光刻胶层进行曝光最终形成第二图形层,通过在曝光之前对第一光刻胶层进行补偿,以此降低第二图形层与第一图形层之间的套刻误差,提高产品良率。
  • 误差补偿方法
  • [发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202011106408.9有效
  • 鲍丙辉;曲厚任;李倩娣 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2020-10-16 - 2021-08-10 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,包括:提供一衬底,所述衬底上包括一层叠结构;刻蚀所述层叠结构,并以所述衬底作为停止层,用以在所述层叠结构中形成至少一个沟槽;形成钝化层于所述沟槽及所述层叠结构上,其中,所述第一氧化层至少包括第一部分,第二部分和第三部分,所述第一部分,所述第二部分和所述第三部分的厚度不同;形成第二氧化层于所述第一氧化层上,所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度;对所述第二氧化层进行平坦化处理,且在所述沟槽两侧的所述第一氧化层上保留预设高度的所述第二氧化层。本发明能够避免由于产生对不同氧化层的研磨率不同而产生应力造成裂纹,从而避免金属裂纹的产生,以提高产品的良率。
  • 一种半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]一种晶圆的退火方法-CN202010372489.0有效
  • 邵迎亚;曲厚任;鲍丙辉 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2020-05-06 - 2021-05-14 - H01L21/324
  • 本发明提出一种晶圆的退火方法,包括:提供一晶圆,所述晶圆包括多个区域,所述多个区域同心设置在所述晶圆上;对所述多个区域进行升温处理,所述升温处理具有多个升温阶段,每个所述升温阶段相应的升温速率不同,其中,所述多个区域在每个所述升温阶段中的温度不同;对所述多个区域进行保温处理;对所述多个区域采用氮气吹冷方式进行降温处理。本发明提出的晶圆的退火方法可以提高晶圆的电性均匀性。
  • 一种退火方法
  • [发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202011207284.3有效
  • 鲍丙辉;曲厚任;李倩娣 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2020-11-03 - 2021-02-19 - H01L21/768
  • 本发明公开一种半导体结构及其制备方法,所述制备方法至少包括以下步骤:提供一衬底;在所述衬底上形成金属层,所述金属层包括并排设置在所述衬底上的多个金属凸起,相邻所述金属凸起与所述衬底之间形成一间隙;在所述金属层上形成第一材料层,所述第一材料层填充所述间隙,所述第一材料层与金属层交界面的水平延长线最低点不低于所述金属层的水平最高点;在所述第一材料层上形成第二材料层;对所述第二材料层的表面进行平坦化处理,并暴露所述第一材料层;在暴露的所述第一材料层上形成第三材料层。本发明解决了晶圆钝化层在化学机械研磨过程中缺陷进一步扩展,产品良率底的问题。
  • 一种半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]低碳钢水终脱氧用镍镁合金包芯线-CN201210143587.2无效
  • 张宇;李小宝;潘鑫;鲍丙辉 - 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司
  • 2012-05-10 - 2012-08-15 - C21C7/06
  • 本发明公开了一种低碳钢水终脱氧用镍镁合金包芯线,采用镍镁合金颗粒为内芯材料,外皮采用钢带为包皮材料;内芯镍镁合金颗粒的尺寸在0.5~2.0mm之间,镍镁合金的重量比在2~5∶1之间,外皮钢带的厚度在0.2~0.8mm之间,包芯线的直径在10~15mm之间。本发明的镍镁合金包芯线用于夹杂物改性,加入到钢水中,可得到体积密度较大、尺寸较小的氧化镁类复合氧化物粒子,从而间接提高钢材的焊接性能。对于桥梁、船舶、海洋平台等行业用钢,冶炼过程中添加该包芯线,可显著提高钢材的焊接性能。
  • 低碳钢脱氧镁合金包芯线

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