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[外观设计]医用皮瓣和再植肢体血循环参数尺-CN202330315694.8有效
发明人：方永琴;蓝柳红;牟希红;魏桓 -专利权人：华中科技大学协和深圳医院
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 19-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：医用皮瓣和再植肢体血循环参数尺。2.本外观设计产品的用途：用于医用测量皮瓣和再植肢体血循环的参数尺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.本外观设计产品为薄型产品，省略左视图;本外观设计产品为薄型产品，省略右视图;本外观设计产品为薄型产品，省略俯视图;本外观设计产品为薄型产品，省略仰视图。
医用再植肢体血循环参数

[外观设计]防跌倒体重秤-CN202330321417.8有效
发明人：蓝柳红;魏桓;牟希红;方永琴;麦慧英;李莉 -专利权人：华中科技大学协和深圳医院
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：防跌倒体重秤。2.本外观设计产品的用途：用于称重，防止病人在称重时跌倒。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
跌倒体重

[发明专利]一种咖啡因分子的检测方法-CN202010758910.1有效
发明人：郭明;靳秀一;姜岚;马少敏;魏桓 -专利权人：大连大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种咖啡因分子的检测方法，属于光子晶体和分子印迹技术领域。本发明的技术方案主要包括：制备咖啡因分子印迹聚合物前驱液、制备基于一维光子晶体结构咖啡因分子印迹聚合物膜、制备咖啡因分子印迹膜、确定线性方程、测定样品中咖啡因含量。本发明所用的制备方法与传统的分子印迹制备方法相比，结合了一维光子晶体结构，且将分子印迹与光子晶体技术相结合制备的薄膜在进行实际应用时操作简单且重复性良好。
一种咖啡因分子检测方法

[实用新型]一种穿孔板及多层薄膜复合型隔声罩-CN202221367212.X有效
发明人：李青霞;韩宇超;魏桓;苏燊燊;胡世尧 -专利权人：电力规划总院有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G10K11/168 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种穿孔板及多层薄膜复合型隔声罩，隔声罩是由复合隔声板构成的罩体，复合隔声板包括由外至内叠加的背板、吸声填充层、至少两层薄膜层、框架板以及穿孔板，每层薄膜层上皆附着有均匀布置的质量块。本实用新型提出的隔声罩由于设置了多层薄膜，可以在保留单层薄膜结构原有的声学性能的同时，增加隔声峰的数量，不仅仅能够拓宽隔声频带，还能明显改善整体结构的隔声效果。此外，穿孔板的加入，增强了薄膜型声学结构的实用性，也引入了吸声机制，通过穿孔板及多层薄膜的复合隔声罩仿真发现，隔声量曲线变得平滑，改善了隔声性能，随着穿孔率的降低、穿孔直径的减小、穿孔板厚度的增加隔声性能提升，同时吸声效果也有显著的改善。
一种穿孔多层薄膜复合型隔声罩

[发明专利]穿孔板及膜腔复合型隔声罩及其隔声性能仿真计算方法-CN202210620713.2在审
发明人：李青霞;韩宇超;魏桓;苏燊燊;叶天贵;胡世尧 -专利权人：电力规划总院有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种穿孔板及膜腔复合型隔声罩及其隔声性能仿真计算方法，隔声罩是由复合隔声板构成的罩体，所述复合隔声板包括由外至内叠加的背板、吸声填充层、薄膜层、框架板以及穿孔板，所述薄膜上附着有均匀布置的质量块。并且基于COMSOL Multiphysics建立了穿孔板及膜腔复合型隔声罩的仿真模型，模拟隔声罩在实际声场中的隔声效果。对穿孔板及膜腔复合型声学结构仿真发现，隔声量曲线变得平滑，改善了隔声性能，特别是对中低频噪声有较好的控制效果。
穿孔复合型隔声罩及其性能仿真计算方法

[发明专利]一维光子晶体传感器膜的应用-CN202010757452.X有效
发明人：郭明;靳秀一;姜岚;马少敏;魏桓 -专利权人：大连大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C08F220/56 文献下载
摘要：本发明涉及一维光子晶体传感器膜的应用，属于光子晶体和分子印迹技术领域。主要技术方案如下：用光子晶体模板覆盖在前驱液上，置于紫外灯下引发聚合，待完全聚合后揭下膜，洗脱后即得具有一维光子晶体结构的分子印迹膜。根据一维光子晶体传感器膜制备的分子印迹膜的反射光谱变化可实现尼古丁的微量检测，根据不同浓度化学物质与分子印迹膜相互作用的反射光谱变化进行测定，可避免传统检测方法的繁琐步骤，并且所测的反射光谱变化明显，灵敏度较高便于观察。
光子晶体传感器应用

[发明专利]一种活塞液压缸式分子弹簧刚度测试装置及方法-CN202210621372.0在审
发明人：李青霞;魏桓;桂波;林祥东;郑韫哲;刘润加;滕汉东 -专利权人：电力规划总院有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01M5/00 文献下载
摘要：本发明涉及减隔振设备技术领域，具体涉及一种活塞液压缸式分子弹簧刚度测试装置及方法。该活塞液压缸式分子弹簧刚度测试装置中底座的顶部通过紧固件与封盖相连，形成容纳分子弹簧材料的缓冲腔。缓冲腔的顶部设置的密封板与封盖的底部相连。密封板的中部设置有供活塞杆穿过的密封腔。缓冲腔的底部设置有限制活塞杆轴向位移的限位结构。压块与封盖的顶部相连。封盖具有供活塞杆穿过的第一通孔。压块具有供活塞杆穿过的第二通孔。第一通孔和第二通孔相连，形成供活塞杆做轴向往复运动的滑动腔。利用电液伺服疲劳试验机对该刚度测试装置进行加压和卸载，满足了测试分子弹簧极限性能测试的需求，避免了活塞杆过度位移对隔振装置造成破坏。
一种活塞液压缸分子弹簧刚度测试装置方法

[发明专利]具有一维光子晶体结构的美沙酮分子印迹膜的制备方法-CN202010757445.X有效
发明人：郭明;靳秀一;姜岚;马少敏;魏桓 -专利权人：大连大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C08F220/56 文献下载
摘要：本发明涉及具有一维光子晶体结构的美沙酮分子印迹膜的制备方法，属于光子晶体和分子印迹技术领域。本发明的技术方案主要包括：制备美沙酮分子印迹聚合物前驱液、制备基于一维光子晶体结构的聚合物膜、制备美沙酮分子印迹膜。本发明将光子晶体与分子印迹技术相结合，根据传感器膜与模板分子相互作用产生的颜色变化作为检测信号，实现对分子印迹聚合物膜的快速可视化检测，检测方便快速，大大节省了时间成本。
具有光子晶体结构美沙酮分子印迹制备方法

[发明专利]一维光子晶体结构聚合物膜的制备方法-CN202010757486.9有效
发明人：郭明;靳秀一;姜岚;马少敏;魏桓 -专利权人：大连大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C08F220/56 文献下载
摘要：本发明涉及一维光子晶体结构聚合物膜的制备方法，涉及光子晶体和分子印迹技术领域。本发明的技术方案主要包括：包括如下步骤：将模板分子、功能单体、丙烯酰胺、交联剂与甲醇混合，过夜搅拌12小时；加入光引发剂，氮气除氧后即得到前驱液；在洁净的玻璃片上滴加前驱液，用一维光子晶体模板覆盖于溶液上，将其置于紫外灯下照射，引发聚合，聚合后揭下即得一维光子晶体结构聚合物膜。本发明将光子晶体与分子印迹技术相结合，与传统单一的分子印迹制备检测方法相比，实现了可视化检测，在检测中可通过聚合物膜颜色的变化来判断该分子印迹膜结构的变化。
光子晶体结构聚合物制备方法

[发明专利]利用一维光子晶体传感器快速检测紫外线强度的方法-CN202111031395.8在审
发明人：郭明;魏桓;郑吉祺;冯明瑞 -专利权人：大连大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G01J1/12 文献下载
摘要：本发明涉及检测紫外线强度的方法，具体为利用一维光子晶体传感器快速检测紫外线强度的方法，属于光学领域。本发明的技术方案主要包括：将邻硝基苯甲醛掺杂到二氧化钛溶胶中，作为一维光子晶体膜中的高折射率材料，以壳聚糖溶胶为低折射率材料，采用旋涂法制成一维光子晶体膜。紫外线照射光子晶体传感器时，邻硝基苯甲醛电离出氢离子，引起光子晶体中高折射率层结构发生改变，光子晶体膜的颜色变化与紫外线的强度呈现对应关系，从而达到检测紫外线强度的目的。
利用光子晶体传感器快速检测紫外线强度方法

[发明专利]一种快速检测紫外线强弱的光子晶体传感器的制备方法-CN202111032654.9在审
发明人：郭明;魏桓;郑吉祺;冯明瑞 -专利权人：大连大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G01J1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速检测紫外线强弱的光子晶体传感器的制备方法，属于光学领域。本发明的技术方案主要包括：本发明利用反式肉桂酸乙酯具有光控材料的性质，将其掺杂到二氧化钛溶胶中，与壳聚糖溶胶溶液交替旋涂，干燥挥发溶剂，制备一维光子晶体传感器，光子晶体膜颜色的变化与紫外线强度变化呈现对应关系，由此来进行紫外线强度的检测。将光子晶体传感器放在太阳光下，根据颜色变化即可得到紫外线强度的变化。制备方法简单、检测现象明显、材料成本低、便于携带，具有良好的应用性。
一种快速检测紫外线强弱光子晶体传感器制备方法

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