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[实用新型]一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管-CN202022950804.1有效
发明人：李尧;潘淼;魏孔庭;吴蓉;刘春娟 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管，由栅极、栅介质、活性层、源极和漏极组成，还包括界面诱导层，界面诱导层设置于栅介质与活性层之间，本实用新型使用并五苯作为界面诱导层，能显著提高其上生长的活性层薄膜的质量。
一种具有界面诱导光敏有机场效应

[实用新型]一种生长单晶金刚石的生长结构-CN201820518712.6有效
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长单晶金刚石的生长结构，包括依次层叠设置的衬底、择优取向多晶金刚石层和单晶金刚石，解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。
生长单晶金刚石单晶金刚石生长多晶金刚石层本实用新型金刚石生长依次层叠择优取向衬底

[发明专利]一种交叉拼接生长大面积单晶金刚石的方法-CN201810993970.4在审
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;王若铮;刘璋成;赵丹;魏孔庭;邵国庆;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种交叉拼接生长大面积单晶金刚石的方法，n个单晶金刚石拼接，n为大于等于2的正整数；其中，两两相邻单晶金刚石的待生长面不平行，且在相邻的待生长面上形成交叉点；在n个单晶金刚石的待生长面上同时生长出完整的大单晶金刚石。从交叉点开始生长连接两块金刚石单晶微观结构，然后逐步扩展至整个拼接斜面，实现两块金刚石的牢固连接并在拼接斜面形成单晶，为拼接生长完整大面积单晶金刚石提供了一种新的方法。
拼接金刚石生长大面积单晶单晶金刚石金刚石单晶牢固连接微观结构斜面形成不平行大单晶生长面正整数单晶

[发明专利]一种拼接生长大面积单晶金刚石的方法-CN201810671783.4在审
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种拼接生长大面积单晶金刚石的方法，将两块单晶金刚石拼接面沿同一方向，从两单晶金刚石上表面到单晶金刚石下表面斜切，切割形成两个相互平行的拼接斜面，然后将两个拼接斜面拼接，最后在单晶金刚石上表面生长完整的大面积单晶金刚石。解决了现有技术中拼接金刚石过程中出现的拼接处裂痕大，导致拼接失败的问题。
拼接单晶金刚石金刚石大面积单晶上表面生长斜切同一方向拼接处拼接面下表面裂痕平行切割失败

[发明专利]一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法-CN201810671214.X在审
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法，将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接，在接缝处生长出桥状连接部分，并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层；其中，单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II在拼接处的厚度。解决了金刚石拼接生长过程中拼接缝明显，金刚石容易发生相对移动的问题，从而降低拼接处出现裂纹甚至裂开的风险。
单晶金刚石金刚石衬底拼接大面积单晶拼接处生长搭桥金刚石层生长过程外延生长相对移动接缝处拼接缝裂开桥状

[发明专利]一种生长单晶金刚石的方法及生长结构-CN201810327256.1在审
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长单晶金刚石的方法及生长结构。其中，一种生长单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤1、在清洗过的衬底表面生长一层具有择优取向多晶金刚石层；步骤2、在择优取向多晶金刚石层上继续生长单晶金刚石，得到单晶金刚石。解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。
生长单晶金刚石生长多晶金刚石层单晶金刚石择优取向金刚石生长衬底表面清洗

[发明专利]一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器-CN201510808628.9在审
发明人：吴胜利;魏强;魏孔庭;张劲涛;胡文波 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明公开了一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器，用于电子倍增器的金刚石薄膜打拿极包括基架盒体，弧形二次电子打拿极片，夹持底板，栅电极四个部分组成。基架盒体是为了装载和固定弧形二次电子打拿极片；弧形二次电子打拿极片是在弧形的金属衬底上用MPCVD方法在金属片弧形面内侧生长具有高二次电子发射效率的金刚石薄膜；夹持底板将二次电子打拿极片与基架盒体紧密固定在一起，栅电极具有加速入射电子的作用。本发明具有二次电子发射系数高，二次发射系数衰减性能优，薄膜结构稳定的特点，并且电子倍增器打拿极基架盒的安装也十分方便，不会破坏薄膜原有性质。具有制作成本低，结构简单，工作性能高的优点。
一种打拿极薄膜结构基于电子倍增器