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[发明专利]薁异靛蓝衍生物、其制备方法和应用-CN202110094931.2有效
发明人： 高希珂;侯斌;李晶;葛从伍 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C07D209/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种薁异靛蓝衍生物、其制备方法和应用。本发明的薁异靛蓝衍生物具有大π共轭体系、可逆的氧化还原性质、可调节的促溶烷基链及可逆的质子响应性质，此外薁异靛蓝衍生物还能聚合形成新型有机功能材料；此外，本发明的薁异靛蓝衍生物具有多个化学活性位点，可进行不同位点修饰连接，且制备方法简单、原料廉价易得，目标化合物的纯度高。
靛蓝衍生物制备方法应用

[发明专利]薁类化合物、其中间体、其制备方法及其用途-CN202210600300.8在审
发明人： 高希珂;李蕾;葛从伍 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所;上海阿如林化学科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C07D209/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薁类化合物、其中间体、其制备方法及其用途。具体地，本发明公开了一种如式I所示的化合物或其药学上可接受的盐。本发明的化合物对Hela、MCF‑7、MDA‑MB‑231和A549癌细胞表现出了良好的抑制作用，且效果优于组成该化合物的任一药效基团。
化合物中间体制备方法及其用途

[发明专利]联薁二酰亚胺衍生物、其制备方法和应用-CN201610554416.7有效
发明人： 高希珂;辛涵申;葛从伍;杨晓春 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种联薁二酰亚胺衍生物、其制备方法和应用。本发明的联薁二酰亚胺衍生物具有不同的能级、大π共轭体系和柔性促溶的烷基链，可以用溶液加工的方法低成本制备有机电子器件；同时本发明的联薁二酰亚胺衍生物制备方法简单，原料易于合成，成本低，得到的目标化合物的纯度高。
联薁二酰亚胺衍生物制备方法应用

[发明专利]含硒π扩展萘四羧酸二酰亚胺化合物、制法和应用-CN201410040758.8有效
发明人： 高希珂;韩文杰;王中丽;朱道本 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C07D517/22 文献下载
摘要：本发明公开了含硒π扩展萘四羧酸二酰亚胺化合物、制法和应用。该萘四羧酸二酰亚胺衍生物的结构如说明书和权利要求书所示，由2,3,6,7‑四卤代萘四羧酸二酰亚胺与1,1‑二氰基乙烯‑2,2‑二硒醇盐或1,1‑二氰基乙烯‑2,2‑二硒醇盐和1,1‑二氰基乙烯‑2,2‑二硫醇盐在有机溶剂中反应制得。采用本发明的萘四羧酸二酰亚胺衍生物作为半导体层的有机薄膜场效应晶体管，无需对半导体薄膜进行热处理，电子迁移率可达1.0cm2V‑1s‑1，开关比大于106，其单晶场效应晶体管器件电子迁移率可达2.0cm2V‑1s‑1，开关比大于105。
扩展羧酸亚胺化合物制法应用

[发明专利]二噻吩并*酰二亚胺衍生物、其中间体、制备方法和应用-CN201710244321.X在审
发明人： 高希珂;赵学千;葛从伍 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种二噻吩并酰二亚胺衍生物、其中间体、制备方法和应用。本发明公开的二噻吩并酰二亚胺衍生物基于1,2,5,6‑萘酰亚胺(1,2,5,6‑NDI)的新型π分子骨架二噻吩并[3,2‑a:3’,2’‑j][5,6,11,12]酰二亚胺(DTCDI)，通过N‑烷基链增加溶解性可实现溶液加工，苯并噻吩稠合增加分子的共轭程度，增加分子间的相互作用可提高迁移率，其中四氰基取代衍生物作为OFET的活性层显示了优异的器件性能，氮气下测得其电子迁移率达0.25cm2V‑1s‑1以上。
噻吩亚胺衍生物中间体制备方法应用

[发明专利]含2-(1,3-二硫/硒-2-亚基)乙氰共轭结构单元的萘二酰亚胺及其衍生物-CN201410422289.6有效
发明人： 高希珂;赵征;胡云宾;王中丽 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种含2-(1,3-二硫/硒-2-亚基)乙氰共轭结构单元的萘二酰亚胺及其衍生物。具体地，本发明提供了一种如下式(A)所示的化合物，其中，各基团的定义如说明书中所述。本发明的单体可以制备一系列拥有优良器件性能的聚合物(二聚物或多聚物)，所述聚合物可用于制备性能良好的有机光电器件。
共轭结构单元萘二酰亚胺及其衍生物

[发明专利]含有1,3-二硫-2-叶立德烯共轭单元的萘二酰亚胺衍生物、制备方法和应用-CN201310322972.8有效
发明人： 高希珂;胡云宾;元伟;朱道本 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所;默克化工有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明涉及含有1,3-二硫-2-叶立德烯共轭单元的萘二酰亚胺衍生物、制备方法和应用，化学结构如下所示：其中，π-1或π-2=和R¹或R²=C1～30的烷基，或R³=H或C1～4的烷基；当π-1=π-2=时，R¹和R²不能同时为烷基；当R¹=R²时，二者均为烷基。们用于制备有机薄膜晶体管器件，均为n-型有机半导体材料，空气中测试，电子迁移率可达0.2cm²V^-1s^-1。
含有叶立德烯共轭单元萘二酰亚胺衍生物制备方法应用

[发明专利]一种2,3,6,7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺化合物、制备及用途-CN201210019769.9有效
发明人： 高希珂;狄重安;朱道本;刘云圻;李洪祥;姜标 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院化学研究所
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种该化合物2，3，6，7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺化合物、制备方法和应用，该化合物具有如下的结构式：可以用于制备n-型有机半导体材料硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物。
一种四溴代萘四羧酸亚胺化合物制备用途

[发明专利]一类并噻吩醌式化合物、其制备方法、中间体及其应用-CN201010566303.1无效
发明人：李洪祥;武庆贺;李荣金;高希珂;朱道本 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明公开了一类如式I所示的并噻吩醌式化合物、其制备方法、中间体及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管中的应用；该化合物具有较低的LUMO能级、共轭体系范围大且具有很好的平面性、自组装能力强、溶解性好、有利于溶液加工，用其制备的有机薄膜场效应晶体管器件不仅迁移率高而且空气稳定性强；其中，R为H、C₁～C₃₀的正烷基或C₃～C₃₀的支链烷基。
一类噻吩化合物制备方法中间体及其应用

[发明专利]硫杂环稠合的萘二酰亚胺类化合物、制备方法和应用-CN201110225678.6有效
发明人： 高希珂;狄重安;胡云宾;朱道本;秦云科 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院化学研究所
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明涉及双[2-(1，3-二噻环戊烯-2-亚基)丙二腈]稠合的萘二酰亚胺类化合物、制备方法和应用，其结构如下所示：系由四溴代萘二酐与2，2-二氰基-乙烯-1，1-二硫醇盐和有机胺在有机溶剂中反应，一锅法制备得双[2-(1，3-二噻环戊烯-2-亚基)丙二腈]稠合的萘二酰亚胺类化合物，它们可以为对称N-取代和非对称N-取代的化合物。能作为n-型有机半导体材料，其溶液法成膜的晶体管的迁移率高达0.65cm²/Vs，且具有较好的环境稳定性，在有机电子学领域具有广阔的应用前景。
硫杂环稠合萘二酰亚胺化合物制备方法应用

[发明专利]一锅法制备硫杂环稠合的萘二酰亚胺衍生物的方法-CN201110224812.0有效
发明人： 高希珂;狄重安;胡云宾;朱道本;秦云科 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院化学研究所
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明涉及一锅法制备硫杂环稠合的萘二酰亚胺衍生物的方法，由四溴代萘二酐与2，2-二氰基-乙烯-1，1-二硫醇盐和有机胺在有机溶剂中，于室温～80℃温度下反应，一锅法制得硫杂环稠合的萘二酰亚胺类衍生物，它们可以为对称N-取代和非对称N-取代的化合物。本发明所述制备方法操作简单、反应条件温和、普适性强，可高效、低成本制备具有不同N-取代基的硫杂环稠合的萘二酰亚胺类高性能n-型有机半导体材料。
一锅法制备硫杂环稠合萘二酰亚胺衍生物方法

[发明专利]材料的图案化方法-CN201110154332.1有效
发明人：刘云圻;张磊;刘洪涛;赵岩;孙向南;温雨耕;郭云龙;高希珂;狄重安;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料的图案化方法。该方法，包括如下步骤：1)在基底上制备一层高分子薄膜；2)在所得高分子薄膜表面利用喷墨打印的方法涂布所述高分子薄膜的良溶剂，得到图案化后的高分子薄膜；3)在所得图案化后的高分子薄膜上及暴露出的所述基底表面依次制备一层目标材料的薄膜和一层聚苯乙烯薄膜后，于水中浸泡后剥掉所述聚苯乙烯薄膜和除图案外所有的目标材料的薄膜和所述高分子薄膜，完成所述材料的图案化。该石墨烯电极的沟道长度最小可达到2微米，在二氧化硅基底上得到的该石墨烯电极可以直接应用于有机场效应晶体管，作为有效的载流子注入电极，而不需要其他的转移或者后处理手段。
材料图案方法

[发明专利]硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、及制法和应用-CN201010207565.9有效
发明人： 高希珂;狄重安;胡云宾;朱道本;刘云圻;李洪祥;姜标 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院化学研究所
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明涉及硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物及制法和应用，由2，3，6，7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺与2-氰基乙酸烷基酯-乙烯-1，1-二硫醇钠盐或2-苯乙氰-乙烯-1，1-二硫醇钠盐或2-(4-溴苯乙氰)-乙烯-1，1-二硫醇钠盐反应得1，3-二硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物；2，3，6，7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺与1，2-二氰基乙烯-1，2-二硫醇钠盐反应得1，4-二噻环己二烯-2，3-二腈稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物，进一步反应得α，β-二氰基噻吩稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物。这些化合物均为n-型有机半导体材料，在有机电子学领域(有机场效应晶体管和有机太阳能电池等)具有广阔的应用前景。
硫杂环稠合羧酸亚胺衍生物制法应用

[发明专利]以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用-CN200910197611.9有效
发明人： 高希珂;狄重安;朱道本;刘云圻;李洪祥;姜标 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院化学研究所
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物及制法和应用，结构如下式所示：式中R为C₁～C₃₀正烷基或分支烷基。系在惰性气体保护下，2，3，6，7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺与1，1-二氰基-2，2-二硫醇二钠盐在四氢呋喃中，于室温和40～60C分别反应0.5～2小时和0.5～1小时，硅胶柱层析得目标化合物，产率在50％～62％；用溶液法制备的以该类化合物为有机半导体层的有机薄膜场效应晶体管，最高电子迁移率可达0.15cm²/Vs，开关比大于10⁷，阈值电压低于15伏，其性能和环境稳定性均优于一般n-型有机半导体。
羧酸亚胺共轭化合物制法应用

[发明专利]一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法-CN200610113721.9无效
发明人：刘云圻;吴卫平;高希珂;王鹰;狄重安;孙艳明;于贵;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种低操作电压有机场效应晶体管，包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极，由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道，有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层，上面是有机主体半导体层。制备方法为：沉积栅极金属；在栅电极之上采用绝缘层成膜方式沉积至少一层绝缘层；在沉积有绝缘层的衬底上，沉积一层修饰半导体层，然后采用有机物成膜方法得到主体有机半导体层，最后沉积源、漏电极得成品。本发明提供的器件结构可以实现有机场效应晶体管在较低的电压下饱和，通过低电压饱和降低有机场效应晶体管的操作电压。
一种实现电压操作有机场效应晶体管方法

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