专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种SGT器件的工艺方法及SGT器件-CN202310849595.7有效
  • 丁振峰;骆建辉 - 江西萨瑞半导体技术有限公司
  • 2023-07-12 - 2023-10-10 - H01L29/423
  • 本发明提供一种SGT器件的工艺方法及SGT器件,该方法通过提供一N型外延衬底,并在N型外延衬底上刻蚀出第一沟槽,后通过热氧化的方式,在第一沟槽内壁生长第一氧化层,然后填充N型掺杂的多晶硅,并采用CMP技术磨平后回刻,以在第一沟槽内形成屏蔽栅,采用湿法刻蚀技术,将第一沟槽内壁的第一氧化层刻蚀预设深度,随后通过热氧化的方式,在第二沟槽内壁生长预设厚度的第二氧化层,将P型掺杂的多晶硅和N型掺杂的多晶硅依次沉积于第二沟槽内,并采用CMP技术磨平,最终在阱掺杂后,进行高温退火,以得到具有高击穿电压的SGT器件。
  • 一种sgt器件工艺方法
  • [发明专利]一种SGT MOSFET生产工艺-CN202310564786.9在审
  • 谢龙;骆建辉 - 江西萨瑞半导体技术有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-10-03 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种SGT MOSFET生产工艺,该工艺包括:在外延衬底上蚀刻出沟槽;环绕沟槽的侧壁沉积出一介质层,并在介质层的内部填充第一多晶硅;分别对介质层以及第一多晶硅进行刻蚀,以使介质层的高度略高于第一多晶硅的高度,并通过热氧化同时在第一多晶硅的表面以及沟槽的侧壁形成栅氧化层;在栅氧化层内填充第二多晶硅,以使第二多晶硅和所述栅氧化层形成对应的栅极。本发明的有益效果是:通过上述方式能够减小栅极与外延衬底的交叠面积,又因为电容的大小与交叠面积成正比,从而能够有效的减小栅漏电容cgd的大小,另外,本申请还能够同时有效的减小栅极与多晶硅两者之间的交叠面积,同理,能够同时有效的减小栅源电容cgs的大小。
  • 一种sgtmosfet生产工艺
  • [发明专利]一种Trench MOS器件及其制备方法-CN202310934313.3在审
  • 丁振峰;骆建辉 - 江西萨瑞半导体技术有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-08-29 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种Trench MOS器件及其制备方法,涉及半导体电子器件技术领域,制备方法包括提供一P型外延衬底;在P型外延衬底的表面进行刻蚀,形成沟槽,并沉积第一氧化层;在沟槽的底部进行离子注入,形成N型注入区;去除第一氧化层,生长第二氧化层;在第二氧化层生长多晶硅,以将沟槽填满,并进行磨平回刻;在P型外延衬底内分别进行N型和P型掺杂,得到阱区和源极;在P型外延衬底上沉积第三氧化层,刻蚀成凹槽;对第三氧化层进行P型掺杂,并在凹槽内沉积金属,本发明能够解决Trench MOS器件的击穿点设置在沟槽的底部区域,电场集中于沟槽的底部,分布不均匀,降低击穿电压和栅氧耐压性能的可靠性的技术问题。
  • 一种trenchmos器件及其制备方法
  • [发明专利]一种SGT器件的工艺方法及SGT器件-CN202310849593.8在审
  • 丁振峰;骆建辉 - 江西萨瑞半导体技术有限公司
  • 2023-07-12 - 2023-08-08 - H01L29/423
  • 本发明提供一种SGT器件的工艺方法及SGT器件,通过热氧化的方式,在沟槽内壁生长第一氧化层;采用CVD设备在第一氧化层和掩膜层的表面沉积第二氧化层;在沟槽内填充多晶硅,并采用CMP技术磨平后回刻,以在沟槽内形成屏蔽栅;采用湿法刻蚀技术,将掩膜层表面的第二氧化层去除,同时,将沟槽内壁的第一氧化层和第二氧化层刻蚀预设深度;通过热氧化的方式,沉积预设厚度的第三氧化层;在第三氧化层上沉积多晶硅,以使多晶硅填满沟槽,并采用CMP技术磨平,以完成栅极的制作,具体的,通过热氧化方式和CVD方式制备氧化层,一方面可以控制氧化层的厚度,另一方面,可以在有效改善掩膜层翘曲的同时,杜绝剥离缺陷现象的发生。
  • 一种sgt器件工艺方法
  • [实用新型]一种防起火的ESD器件安全断开装置-CN202320435588.8有效
  • 骆建辉;陈聪 - 江西萨瑞微电子技术有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-07-18 - H02H3/20
  • 本实用新型涉及ESD器件技术领域,尤其涉及一种防起火的ESD器件安全断开装置。一种防起火的ESD器件安全断开装置,包括有负载电路、TVS二极管和可控开关;负载电路与电源端VCC相连;TVS二极管与负载电路并联,TVS二极管的第二端接地,用于为瞬态电流提供通路;可控开关与负载电路串联,用于导通或切断负载端的供电;比较器,TVS二极管的两端分别连接比较器的正负输入端,用于监测TVS二极管的电压。采用TVS二极管作为ESD防护器件,为瞬态电流提供通路,防止静电放电对负载电路造成损害。
  • 一种起火esd器件安全断开装置
  • [实用新型]一种平板式陶瓷膜端头胶装设备-CN202120575564.3有效
  • 骆建辉 - 湖南科一环保科技股份有限公司
  • 2021-03-22 - 2021-11-09 - B65G49/00
  • 本实用新型涉及陶瓷膜生产设备技术领域,公开了一种平板式陶瓷膜端头胶装设备,包括底座、立板、龙门架以及悬架,所述底座顶端的两侧皆竖直固定有所述立板,所述立板顶端的两侧皆等间距开设有沉槽,且相对两个所述沉槽之间皆轴向设置有辊轴;所述底座的正上方设置有所述龙门架,所述龙门架顶端的中心位置处安装有气缸,所述悬架的底部水平设置有螺纹丝杆,所述螺纹丝杆上套装有移动块。本实用新型不仅能够根据平板陶瓷膜的实际尺寸,滑动调节限位间距,然后通过两段间隔的自动输送结构,提高了输送效率及稳定性,而且采用皮带传动和丝杆传动相结合的方式来控制胶料的喷洒轨迹,从而提高了胶装效率及精确度。
  • 一种平板陶瓷膜端头装设
  • [实用新型]一种平板式陶瓷膜除尘设备-CN202120575588.9有效
  • 骆建辉 - 湖南科一环保科技股份有限公司
  • 2021-03-22 - 2021-11-09 - B01D46/54
  • 本实用新型涉及除尘设备技术领域,公开了一种平板式陶瓷膜除尘设备,所述外壳内壁的中间固接有所述隔板,所述隔板的顶端开设有所述连接孔,所述外壳的上表面固接有电机,所述外壳的内部设置有转动轴,所述转动轴的底端套接有搅拌杆,所述外壳内壁的左侧设置有除尘机构,相对传统的布袋除尘先把气体降温再进行除尘,用平板式陶瓷膜则可以直接进行除尘,平板式陶瓷膜不仅耐高温,且除尘效果更加的好,在除尘设备的内部设置电机和搅拌杆等结构,可以通过在设备内部加入氢氧化钠碱性溶液和气体进行反应,即可去除气体中的有害物质硫,相对传统的先进行去除颗粒物再使用另一设备进行去除有害物的操作,此设备的操作更加的便捷,提高了工作效率。
  • 一种平板陶瓷膜除尘设备
  • [实用新型]一种平板式陶瓷膜过滤器组件-CN202120576205.X有效
  • 骆建辉 - 湖南科一环保科技股份有限公司
  • 2021-03-22 - 2021-11-09 - B01D63/08
  • 本实用新型涉及陶瓷膜过滤技术领域,公开了一种平板式陶瓷膜过滤器组件,包括承压外壳、内槽、顶盖、进水管、陶瓷膜和出水管,所述承压外壳的上方安装有所述顶盖,所述顶盖的上方连接有所述进水管,所述承压外壳的下方连接有所述出水管,所述承压外壳的内部开设有所述内槽,所述内槽的内部安装有固定机构,所述固定机构的内部安装有所述陶瓷膜,所述承压外壳的内部安装有密封机构,通过设置的固定机构,能够将陶瓷膜紧紧地夹持住,提高了陶瓷膜的稳定性,通过设置的密封机构,支撑环起支撑作用,在固定机构本身的重力下,能压紧密封垫圈和延伸垫片,避免了未过滤的溶液从设备的缝隙中流下,保证了过滤的效果。
  • 一种平板陶瓷膜过滤器组件
  • [实用新型]一种净水机用高性能纳滤膜设备-CN202120576271.7有效
  • 骆建辉 - 湖南科一环保科技股份有限公司
  • 2021-03-22 - 2021-11-09 - C02F9/02
  • 本实用新型涉及净水设备技术领域,公开了一种净水机用高性能纳滤膜设备,包括集水管,所述集水管一端外周开设有两个泄压孔,所述集水管另一端外周套接有两个密封胶圈,所述集水管外周设置有滤膜组,所述滤膜组一端外周套接有密封胶套,所述密封胶套一侧的所述滤膜组外周套接有限位圈,所述滤膜组一侧设置有进水端。本实用新型不仅通过将市面上不同种类的过滤滤芯集成至单个过滤滤芯,提高净水机用过滤滤芯安装的便利性,并降低使用成本,而且通过在滤膜组内部添加纳滤膜,提高过滤效果,增加该设备的高效性,以及在滤膜组内部添加反渗透膜能够有效防止重金属等有害物质回流,提高该设备过滤的安全性。
  • 一种净水机用高性能滤膜设备
  • [实用新型]一种平板式陶瓷膜一体化污水处理设备-CN202120564122.9有效
  • 骆建辉 - 湖南科一环保科技股份有限公司
  • 2021-03-19 - 2021-11-09 - C02F1/44
  • 本实用新型涉及污水处理技术领域,公开了一种平板式陶瓷膜一体化污水处理设备,所述第一连接管的右表面安装有连接装置,所述连接装置的右表面固接有第二连接管,所述第二连接管的右表面安装有过滤箱,所述过滤箱的内部安装有调整装置,通过安装连接装置,可以方便对第一连接管和第二连接管进行连接,由于设置了橡胶条和橡胶垫,当转套转动连接在螺纹管的外表面时,增大了卡接环与滑动管之间的接触面积,增强了密封性,通过安装调整装置,可以调整板式陶瓷膜的密度,由于弹簧的弹性,使滚珠抵靠在卡孔的内部,滑动滑棒之后,通过弹簧的弹性,使滚珠可以紧紧抵靠在卡孔的内部,加强了实用性。
  • 一种平板陶瓷膜一体化污水处理设备
  • [实用新型]一种纳滤膜分离设备-CN202120564317.3有效
  • 骆建辉 - 湖南科一环保科技股份有限公司
  • 2021-03-19 - 2021-11-09 - B01D61/58
  • 本实用新型涉及分离设备技术领域,公开了一种纳滤膜分离设备,包括外壳、第一纳滤管以及第二纳滤管,所述外壳内部设置有相互平行的两个容置槽,两个所述容置槽的内部分别镶嵌有所述第一纳滤管、所述第二纳滤管,所述第一纳滤管的输入端接通有进液管,两个所述容置槽的一端皆设置有放置槽,所述放置槽内部的一侧皆设置有集流罩,且所述第一纳滤管与所述第二纳滤管的输出端皆镶嵌于对应的所述集流罩中。本实用新型不仅通过两组气缸控制集流罩水平伸缩,使得第一纳滤管和第二纳滤管的换装更加便捷,而且采用两级连续纳滤的结构获得高纯度的分离液,并能够对两次过滤后的废液进行循环过滤,节约资源。
  • 一种滤膜分离设备
  • [实用新型]一种纳滤膜浓缩设备-CN202120565719.5有效
  • 骆建辉 - 湖南科一环保科技股份有限公司
  • 2021-03-19 - 2021-11-09 - C02F9/08
  • 本实用新型涉及纳滤膜设备技术领域,公开了一种纳滤膜浓缩设备,包括第一过滤箱,所述第一过滤箱顶部一侧固定安装有一组进水管,所述第一过滤箱一侧固定安装有第一连接管道,所述第一连接管道一端固定连接有第二过滤箱,所述第二过滤箱顶部活动安装有三组过滤网箱。本实用新型通过设置的第一过滤箱和第二过滤箱,可以对原液进行两次过滤处理,使得进入纳滤膜浓缩处理箱的原液杂质大大减少,从而提高了纳滤膜浓缩处理后的液体质量,在纳滤膜浓缩处理块两侧设置紫外线杀菌灯,在进行浓缩处理的过程中同时进行杀菌处理,避免了原液中的微生物等杂质在纳滤膜浓缩处理块附着繁衍,从而延长了纳滤膜浓缩处理块的使用寿命。
  • 一种滤膜浓缩设备
  • [实用新型]一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片-CN202020816530.4有效
  • 宋锐;黄传传;吴宗杰;李运鹏;李小丽;骆建辉 - 江西萨瑞微电子技术有限公司
  • 2020-05-17 - 2020-10-27 - H01L29/74
  • 本实用新型属于硅芯片技术领域,尤其为一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片,包括长基区,所述长基区的上表面设置有正面短基区,所述长基区的下表面设置有背面P型区,所述正面短基区的上表面设置有正面发射区,所述正面短基区的上表面设置有保护膜,所述保护膜、正面短基区和长基区设置有正面沟槽,所述正面沟槽两侧表面设置有正面钝化区,所述保护膜靠近正面发射区的表面设置有正面阴极铝电极;结合铝扩工艺与硼扩工艺的优点,利用铝扩散系数比硼扩散系数大的特点,采取铝硼扩散工艺,对通隔离区与短基区可同步形成,合二为一,扩散时间为30h,极大地提高了生产效率,又可降低表面缺陷,获得良好的Veb特性。
  • 一种台面结构扩散工艺可控硅芯片

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