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[发明专利]一种宽频带MEMS加速度计及其制备方法-CN202110820823.9有效
发明人：刘国文;刘宇;李兆涵;赵亭杰;马智康;张天祺;刘福民 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽频带MEMS加速度计及其制备方法，该方法包括如下步骤：从系统函数波特图得出宽频加速度计需要的带宽对应的谐振频率和Q值，通过梁结构控制谐振频率，在圆片级封装键合阶段控制腔内气体压力来控制Q值。结构的加工是在SOI片上进行活动腔体的加工，再干法加工出梳齿结构，电极片采用底层连线，中间绝缘层，上层键合金属区分布。本发明可以加工出一种宽频梳齿加速度计敏感芯片，实现宽带宽加速度计的应用，本发明能确保芯片的质量和成品率。
一种宽频 mems 加速度计及其制备方法

[发明专利]一种有冗余功能的MEMS加速度计检测模块及其制作方法-CN202110518255.7有效
发明人：刘国文;刘宇;孙伟龙;李兆涵;赵亭杰;刘福民;马智康 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种有冗余功能的MEMS加速度计检测模块及其制作方法，其中，该模块包括电路板、四个定位孔、金属底座、四个定位柱、三个固定块、垫片、MEMS芯片、ASIC芯片、电源管理芯片和盖板；其中，金属底座的四个角上分别设置有定位柱；电路板的四个角上开设有与每个定位柱相对应的定位孔，电路板通过定位孔套设于每个定位孔相对应的定位柱；电路板的一个对角线上设置有三个固定块；每个固定块的上表面设置有垫片，垫片的上表面设置有MEMS芯片，MEMS芯片的上表面设置有ASIC芯片；电源管理芯片设置在电路板上；盖板与金属底座的顶部相连接。本发明提高了单通道检测的可靠性，又隔离了来自金属外壳的应力，还提供了均匀的温度环境。
一种冗余功能 mems 加速度计检测模块及其制作方法

[发明专利]一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计-CN202011449418.2有效
发明人：刘国文;马智康;李兆涵;刘宇;赵亭杰;刘福民;杨静 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计，涉及MEMS惯性器件领域。所述加速度计包括结构层、衬底层以及硅盖板。加速度计的敏感结构包括四组正交分布的敏感质量单元以及一个不平衡质量块。每组敏感质量单元与中心质量块通过两条连接梁相连。每个检测质量块中心包括两个锚点，每个锚点由两条弹性扭转梁连接到检测质量块。本发明的低交叉轴灵敏度的Z轴MEMS加速度计，其优点是具有大质量块的敏感结构，通过多差分质量块降低共模干扰，通过正交分布的敏感质量单元实现较低的交叉轴灵敏度。
一种交叉灵敏度轴向检测 mems 电容加速度计

[发明专利]一种阵列式扭摆加速度计-CN202111402085.2在审
发明人：刘国文;马智康;李兆涵;刘宇;赵亭杰;刘福民;张天祺 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：一种阵列式扭摆加速度计，包含由4个或6个或8个敏感质量单元组成的阵列式敏感结构，其中，每两个相邻的敏感质量单元排布方向相反；每两个相间的敏感质量单元排布方向相同，且通过连接横梁形成刚性连接，连接横梁两端布置有应力释放结构。每个敏感质量单元中的敏感质量块采用三锚点四扭转梁结构，包含四条扭转梁和三个锚点，其中位于敏感质量块内部的锚点通过两条弹性扭转梁连接到敏感质量块，位于敏感质量块两侧的两块锚点分别通过一条弹性扭转梁连接到敏感质量块。敏感结构外侧布置有等电位锚点，在加速度计的阵列式敏感结构与电极间形成电学连接。
一种阵列扭摆加速度计

[发明专利]一种MEMS加速度计的多级抗过载封装结构及方法-CN202110547412.7在审
发明人：刘国文;高乃坤;刘宇;刘福民;马智康;徐杰;王学锋 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS加速度计的多级抗过载封装结构及方法，该加速度计包括封装管壳、封装盖板、被封装MEMS加速度计芯片、被封装ASIC芯片、外止档、侧面应力缓冲层、上表面应力缓冲层；所述被封装MEMS加速度计芯片固定在封装管壳基底上；被封装MEMS加速度计芯片粘贴在封装管壳上；外止档固化在封装管壳基底上，外止档罩在被封装MEMS加速度计芯片上方，使得被封装MEMS加速度计芯片位于外止档内部，且被封装MEMS加速度计芯片和外止档之间留有抗过载间隙，用于限制被封装MEMS加速度计芯片在高过载环境下的位移改变量；被封装ASIC芯片粘结在外止档上表面；被封装MEMS加速度计芯片的侧面和上表面涂覆有柔性聚合物作为应力缓冲层，在高过载情况下，利用应力缓冲层储存和耗散能量。
一种 mems 加速度计多级过载封装结构方法