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[发明专利]一种氯硅烷废气生产纳米二氧化硅并副产盐酸的方法-CN201510467069.X有效
发明人：黄兵;宋东明;陈樑;罗平;李银光;沈宗喜;章江洪;马启坤;宋良杰;徐灵通;张雯雯;丁炳恒;梁景坤;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮;王岭;董森林;赵义 -专利权人：昆明理工大学;昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种氯硅烷废气生产纳米二氧化硅并副产盐酸的方法，属于多晶硅行业氯硅烷废气资源化领域。本发明所述方法以氯硅烷废气与水蒸汽发生反应，反应产物经气固分离获得纳米二氧化硅，气固分离出来的气体经过冷却，绝大部分水蒸汽冷凝下来，并吸收了部分氯化氢，经过气液分离后，剩余气体通过盐酸和工业水的淋洗，获得高浓度盐酸。本发明以水蒸汽与氯硅烷废气发生气汽水解反应，可以获得纳米二氧化硅，用工业水和盐酸淋洗气固分离尾气，获得浓盐酸。本发明主要以水蒸汽作为混合氯硅烷废气水解反应物，高浓度盐酸作为吸收剂，减少杂质元素带入，保证二氧化硅和浓盐酸的质量，本发明既实现了氯硅烷废气的无害化处置，又实现了废气中硅和氯元素的资源化。
一种硅烷废气生产纳米二氧化硅盐酸方法

[发明专利]一种利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的方法-CN201510467160.1有效
发明人：罗平;陈樑;宋东明;黄兵;马启坤;张雯雯;沈宗喜;章江洪;丁炳恒;徐灵通;李银光;宋良杰;梁景坤;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮;王云坤 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开一种利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的方法，属于氯硅烷残液处理并回收利用的技术领域。本发明所述方法氯硅烷残液经残液储罐缓冲和沉淀杂质之后，进入水解塔中由氮气作为雾化气源进行雾化，并利用配制的酸性吸收剂与已经雾化的氯硅烷残液接触反应，所得水解反应吸收的混合液进入密闭的中间收集槽中；将吸收混合液进行固液分离，分离后的盐酸进入盐酸储槽作为配制吸收剂的原料；分离出的二氧化硅经洗涤去除盐酸和部分金属杂质，洗涤产生的含酸水用于配制成吸收剂循环使用；洗涤后的二氧化硅经干燥为超细二氧化硅成品。本发明在密闭条件下用氮气雾化，安全可靠，能耗低，无污染，实现了将氯硅烷残液资源化。
一种利用硅烷制备二氧化硅方法

[发明专利]一种氯硅烷残液生产HCl气体的方法-CN201510467054.3有效
发明人：黄兵;罗平;陈樑;宋东明;张雯雯;沈宗喜;章江洪;马启坤;李银光;宋良杰;徐灵通;丁炳恒;梁景坤;郑慧文;赵义;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮;王岭 -专利权人：昆明理工大学;昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷残液生产HCl气体的方法，属于多晶硅行业氯硅烷残液资源化的领域。本发明采用搅拌反应釜和吸收塔连用的方式，氯硅烷残液在搅拌反应釜中水解，残液水解产生的H2、HCl气体和未反应完全的SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2挥发气，经过吸收塔充分吸收后，99%以上的氯以氯化氢的形式被吸收下来，尾气碱洗后达标排放，吸收塔吸收液进入搅拌反应釜作为残液水解反应吸收剂，浓盐酸经解析产生的HCl气体可回到三氯氢硅的合成工序，解析后的稀盐酸又作为本发明系统的吸收剂，实现了氯的资源循环利用。本发明实现了氯硅烷残液中氯的有效回收和资源化利用，减少进入后续污水处理装置的氯离子的量，降低工厂废水处理成本。
一种硅烷生产 hcl 气体方法

[发明专利]一种含超细硅粉废水的处理方法及装置-CN201510034498.8有效
发明人：陈樑;罗平;郑惠文;马启坤;李银光;宋东明;张雯雯;梁永坤 -专利权人：昆明理工大学;昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种含超细硅粉废水的处理方法及装置，属于多晶硅产业含硅粉废水的处理领域；本发明所述方法以20~32%NaOH溶液作为沉淀剂，加入含超细硅粉废水中，使废水中超细硅粉发生絮凝，在一个小时左右自然沉淀。本发明用高浓度的NaOH溶液作为沉淀剂，解决由于硅芯等切割过程产生的废水中硅粉颗粒太小，表面活性高，与水发生氢化，长时间（超过半年）悬浮于水中不沉淀、过滤困难的问题，可大大减轻现有的压滤过程的负荷，提高过滤效率，上清液碱性水和滤液碱性水用于氯硅烷废气淋洗工序的吸收剂实现资源化利用，同时，减轻后续废水处理系统的处理压力。本发明处理含超细硅粉废水工艺简单，絮凝沉淀时间短，处理效果好，成本低。
一种含超细硅粉废水处理方法装置

[实用新型]氯硅烷残余气液物的处理系统-CN201620021115.3有效
发明人：宋东明;丁丙恒;宋良杰;邓亮;梁景坤;罗平;马启坤;沈宗喜;彭德祥 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了氯硅烷残余气液物的处理系统。该系统包括：一级淋洗塔，所述一级淋洗塔具有本体、设置在所述本体上方的固气混合物出口和设置在所述本体下方的固液混合物出口，以及第一饱和盐酸溶液入口和第一饱和盐酸溶液喷淋口；二级淋洗塔，所述二级淋洗塔与所述固气混合物出口相连，所述二级淋洗塔具有第一饱和盐酸溶液入口、第一饱和盐酸溶液喷淋口、二氧化硅颗粒出口和混合气体出口；吸收装置，所述吸收装置与所述二级淋洗塔的所述混合气体出口相连；以及盐酸解析装置，所述盐酸解析装置与所述吸收装置相连。该系统的二氧化硅回收率高，得到的盐酸溶液和氯化氢气体中不含二氧化硅颗粒，便于工业应用。
硅烷残余气液物处理系统

[发明专利]氯硅烷残余气液物的处理方法及系统-CN201610014810.1在审
发明人：宋东明;丁丙恒;宋良杰;邓亮;梁景坤;罗平;马启坤;沈宗喜;彭德祥 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本发明公开了氯硅烷残余气液混合物的处理方法及系统。其中，氯硅烷残余气液混合物的处理方法包括：利用饱和盐酸溶液对所述氯硅烷残余气液混合物进行水解处理，以便得到含有二氧化硅颗粒的固气混合物和含有二氧化硅的固液混合物；对所述含有二氧化硅颗粒较少的固气混合物进行固气分离处理，以便得到二氧化硅颗粒和含有氯化氢的混合气体；对所述含有氯化氢的混合气体中的氯化氢进行吸收处理，以便得到盐酸；以及将所述盐酸进行解析处理，以便得到氯化氢气体。
硅烷残余气液物处理方法系统

[实用新型]制备多晶硅的系统-CN201521027032.7有效
发明人：宋东明;马启坤;韩小月;陈丽娟;耿志萍;王金;王岭;赵桂洁;任玖阳;周万礼 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种制备多晶硅的系统，包括：第一、二还原装置；第一、二尾气回收装置，其分别与第一、二还原装置相连；第一氯硅烷分离装置，其分别与第一尾气回收装置和第一还原装置相连；第二氯硅烷分离装置，其与第二尾气回收装置相连；氯硅烷混合物储罐一，其分别与第一氯硅烷分离装置和第二氯硅烷分离装置相连；四氯化硅转化装置，其分别与第一、二氯硅烷分离装置相连；二氯二氢硅分离装置，其与氯硅烷混合物储罐一相连；反歧化装置，其与二氯二氢硅分离装置相连；三氯氢硅合成装置；精馏提纯装置以及第二三氯氢硅储罐。本系统能更加高效、合理、科学地实现高品质电子级多晶硅产品和太阳能级以上多晶硅产品的专职区隔生产。
制备多晶系统

[发明专利]一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子级多晶硅的方法-CN201510916659.6在审
发明人：宋东明;韩小月;陈丽娟;耿志萍;王金;王岭;赵生艳;李俊朝;赵桂洁;蔡永明;陆大军;马启坤;任玖阳;周万礼 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备多晶硅的系统和方法。本发明提出的制备多晶硅的系统和制备多晶硅的方法是利用还原回收的三氯氢硅来生产高品质电子级多晶硅产品，高品质电子级多晶硅的产量大而稳定，同时也实现了高品质电子级多晶硅产品和太阳能级以上多晶硅产品的专职区隔生产，以保障不同品质多晶硅产品的生产，以此来满足不同品质多晶硅产品的需要。
一种利用还原提纯三氯氢硅制高品质电子多晶方法

[实用新型]一种利用氯硅烷废气生产纳米二氧化硅并副产盐酸的装置-CN201520573342.2有效
发明人：宋东明;陈樑;罗平;黄兵;沈宗喜;李银光;宋良杰;章江洪;马启坤;徐灵通;张雯雯;丁炳恒;梁景坤;董森林;赵义;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮;陈丽娟;王岭 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种利用氯硅烷废气生产纳米二氧化硅并副产盐酸的装置，属于多晶硅行业氯硅烷废气资源化领域。本实用新型所述装置包括气汽水解反应塔、气固分离器、换热器I、气液分离器、吸收液接收槽、搅拌机、喷淋塔、换热器II，工业水槽；气汽水解反应塔与气固分离器连通，气固分离器与换热器I连通，换热器I与气液分离器连通，气液分离器与吸收液接收槽和喷淋塔连通，喷淋塔与吸收液接收槽连通，吸收液接收槽通过泵与换热器II连通，换热器II与喷淋塔连通，工业水槽通过泵与喷淋塔连通。本实用新型既实现了氯硅烷废气无害化处置，又实现了废气中硅和氯元素的资源化利用。
一种利用硅烷废气生产纳米二氧化硅盐酸装置

[实用新型]一种氯硅烷残液生产HCl气体的装置-CN201520573436.X有效
发明人：罗平;陈樑;宋东明;黄兵;沈宗喜;李银光;宋良杰;张雯雯;马启坤;徐灵通;章江洪;丁炳恒;梁景坤;郑慧文;赵义;董森林;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开一种氯硅烷残液生产HCl气体的装置，属于多晶硅行业氯硅烷残液资源化领域。所述装置包括氯硅烷残液储罐、搅拌反应釜、吸收塔、过滤机、浓盐酸储槽、洗涤液中间槽、盐酸解析塔、稀盐酸储槽，吸收剂配制槽、换热器；残液储罐与搅拌反应釜连通，搅拌反应釜与吸收塔通过两条管路连通，搅拌反应釜通过泵与过滤机连通，过滤机与浓盐酸储槽连通，过滤机与洗涤液储槽连通；洗涤液储槽通过泵与吸收塔连通，浓盐酸储槽通过泵与盐酸解析塔连通，盐酸解析塔与稀盐酸储槽连通，浓盐酸储槽和稀盐酸储槽通过泵与吸收剂配制槽连通，吸收剂配制槽通过泵与换热器连通，换热器与吸收塔连通。本实用新型所述装置减轻后续污水处理压力，降低工厂环保成本。
一种硅烷生产 hcl 气体装置

[实用新型]一种利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的装置-CN201520573454.8有效
发明人：宋东明;陈樑;罗平;黄兵;沈宗喜;李银光;宋良杰;章江洪;马启坤;徐灵通;张雯雯;丁炳恒;梁景坤;赵义;董森林;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的装置，属于氯硅烷残液处理并回收利用的技术领域。本实用新型所述装置中残液储罐与管道过滤器连通，管道过滤器与水解塔连通，水解塔与中间收集槽连通，中间收集槽的下端与过滤器通过渣浆泵连通，过滤器与盐酸储槽连通，过滤器与洗涤液中间槽连通；盐酸储槽、洗涤液中间槽分别通过泵与静态混合器连通，静态混合器与热交换器连通，热交换器与水解塔连通，中间收集槽、水解塔与安全液封罐连通，过滤器的下端与干燥系统1连接。本实用新型所述装置减少了工业水的用量，没有废水的产生，减少了环境污染，降低了残液的处理成本。
一种利用硅烷制备二氧化硅装置

[实用新型]一种含超细硅粉废水的处理装置-CN201520047629.1有效
发明人：陈樑;罗平;郑惠文;马启坤;李银光;宋东明;张雯雯;梁永坤 -专利权人：昆明理工大学;昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种含超细硅粉废水的处理装置，属于多晶硅产业含硅粉废水的处理领域；本实用新型所述装置中废水收集池、碱液池分别通过泵与絮凝沉淀池相连通，絮凝沉淀池的下端通过泵与压滤机连通、上端与碱性水收集池连通；碱性水收集池通过泵与碱液池、工业水收集池连通，工业水收集池通过泵与氯硅烷废气淋洗设备相连；絮凝沉淀池、碱液池内部分别设有搅拌器Ⅰ和搅拌器Ⅱ，各个相连通的部件之间均设有阀门。本实用新型所述装置可减轻现有的压滤过程的负荷，提高过滤效率，上清液碱性水和滤液碱性水用于氯硅烷废气淋洗工序的吸收剂实现资源化利用，同时，减轻后续废水处理系统的处理压力。
一种含超细硅粉废水处理装置

[实用新型]一种多晶硅还原炉内壁电镀过程中的仿形阳极及固定装置-CN201420424092.1有效
发明人：亢若谷;曹梅;杨杰伟;朱晓云;马启坤;龙晋明 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C25D17/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅还原炉内壁电镀过程中的仿形阳极及固定装置，属于多晶硅生产工业中的辅助设备技术领域。本实用新型包括仿形阳极装置和十字形的固定装置；所述仿形阳极装置包括仿形阳极内胆、内胆顶部固定螺栓、内胆底部固定螺栓；所述十字形固定装置包括侧面固定螺栓、十字支架、固定三角铁以及顶部固定轴。本实用新型无需大量镀液和操作设备，无需将还原炉进行长距离运输，安全性高。此外，该装置机构简单，成本低，使用方便灵活，可操作性良好，减少了人力成本和能耗，有效地辅助电镀及其前处理操作，用后拆装方便，便于移动，减少庞大的还原炉的移动。
一种多晶还原内壁电镀过程中的阳极固定装置

[实用新型]一种多晶硅还原炉前处理过程中的转动固定装置-CN201420424061.6有效
发明人：亢若谷;曹梅;杨杰伟;朱晓云;马启坤;龙晋明 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅还原炉前处理过程中的转动固定装置，属于多晶硅生产工业中的辅助设备技术领域。本实用新型包括前转动固定装置、后十字形转动固定装置、前支架、后支架；前转动固定装置包括法兰盘、顶部固定轴、顶部固定螺栓；后十字形转动固定装置包括底部固定螺栓、十字支架、底部固定三角铁、底部固定轴；前支架与后支架的结构完全一样，前支架与后支架皆包括底座支架、小滚轮Ⅰ、小支架、小滚轮Ⅱ。本实用新型机构简单，成本低，使用方便灵活，可操作性良好，减少了人力成本和能耗，有效地辅助前处理工人的前处理操作，用后拆装方便，便于移动，减少庞大的还原炉的移动。
一种多晶还原处理过程中的转动固定装置

[实用新型]氢化炉尾气温度控制设备-CN201320673680.4有效
发明人：赵桂洁;马启坤;罗平;顾国宝;曾亚龙;杨丞杰;王世松;张新红;李鸿祥;何书玉;宋东明 -专利权人：昆明冶研新材料股份有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型提出了氢化炉尾气温度控制设备，该设备包括：尾气输送管以及温度监控器，尾气输送管与换热器的尾气进口相连；温度监控器设置在尾气输送管上。利用该氢化炉尾气温度控制设备可以对氢化炉尾气进行降温，同时监测尾气进入汽化器之前的温度，可以更好地控制氢化炉尾气与冷却水的换热效率，防止氢化炉尾气发生歧化反应，提高氢化转化率。
氢化尾气温度控制设备

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