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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于航空器着陆监控的方法和系统-CN202310855704.6在审
发明人： 马双云;姚斌;汤荣山;张茂通 -专利权人：中国商用飞机有限责任公司;中国商用飞机有限责任公司上海飞机设计研究院
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B64D45/00 文献下载
摘要：本发明涉及分布式传感器对航空器在降落过程的监控并分别计算结构件垂直方向的载荷，并将结果反馈给机载系统设备，结合飞机实际的着陆姿态，以测算和检测航空器不同结构件是否发生硬着陆或重着陆。
一种用于航空器着陆监控方法系统

[发明专利]用于计算飞行器电子设备累计运行时间的方法和系统-CN202310287631.5在审
发明人： 马双云;姚斌;张茂通;黄佳琦;唐大鹏 -专利权人：中国商用飞机有限责任公司;中国商用飞机有限责任公司上海飞机设计研究院
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G07C1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于对飞行器电子设备的累计运行时间进行可配置且集中式计算的方法和系统。基于可更改的配置文件以及飞行器设备的周期性特征参数，可实现对已配置的所有电子设备计算累计运行时间，同时也可以对所配置的电子设备构型信息的改变发出预警信息，并对电子设备的串件进行识别和计算运行时间。这些电子设备的运行时间在机载显示终端显示，并具备I/O接口，可连接外部系统设备以将累计运行时间数据信息发送至外部系统。
用于计算飞行器电子设备累计运行时间方法系统

[实用新型]基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件-CN201320651445.7有效
发明人：胡明;闫文君;曾鹏;马双云;李明达 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件，其特征在于，在p型<100>晶向的单面抛光的单晶硅基片设置有铂叉指电极，铂叉指电极与硅基片的抛光表面的上面设置有三氧化钨气敏性薄膜，该气敏性薄膜厚度为300nm。本实用新型可在室温下探测低浓度（0.1ppm）二氧化氮气体，且具有高灵敏度、快速响应/恢复、选择性好、重复性好的气敏特性。
基于氧化钨薄膜室温气体传感器元件

[发明专利]一种低温制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法-CN201310497567.X无效
发明人：胡明;马双云;崔珍珍;李明达;曾鹏;武雅乔;闫文君 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：发明公开了一种低温（700℃）制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法：首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；然后，金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜，制备出钨薄膜与多孔硅复合结构；最后，在700℃条件下，在水平管式炉中，通入保护气体氩气，利用热退火钨薄膜的方法，得到氧化钨纳米线与多孔硅复合结构。本发明的制备工艺简单，能源消耗较小，对设备要求低，可操作性好，有效降低了纳米复合结构材料的生产成本，具有重要的价值和研究意义。
一种低温制备氧化钨纳米多孔复合结构材料方法

[发明专利]用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法-CN201310498459.4无效
发明人：胡明;马双云;崔珍珍;李明达;曾鹏;闫文君 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：发明公开了一种用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法，首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；再以金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜；最后，在水平管式炉中，以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，600～750℃条件下，制得多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的气敏材料。本发明降低了制备氧化钨纳米线生长温度，显著提高了复合结构气敏材料的比表面积，在150℃的条件下对2ppm NO2的灵敏度为4.76，具有制备工艺简单，易于控制，成本低廉以及对NO2高灵敏度探测等优点。
用于材料多孔氧化钨纳米复合结构制备方法

[发明专利]基于硅基多孔硅/氧化钨纳米线复合结构材料的制备方法-CN201310497569.9无效
发明人：胡明;马双云;崔珍珍;李明达;曾鹏;武雅乔 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基多孔硅/氧化钨纳米线复合结构材料的制备方法：采用p型单晶硅作为基底，利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；再采用化学气相沉积的方法，钨粉作为钨源，通入氧气和氩气的流量为分别0.5sccm和5sccm，源温度为1100℃，基底与钨粉之间的距离为15-17cm,制备硅基多孔硅/氧化钨纳米线复合结构材料。该发明制备方法简单、成本低廉；与此同时，该发明填补了基于多孔硅与氧化物纳米线复合结构材料的空白，使这种复合结构在生物传感、光学传感等诸多领域具有广阔的应用前景。
基于基多氧化钨纳米复合结构材料制备方法

[发明专利]一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件的制备方法-CN201310497062.3有效
发明人：胡明;闫文君;曾鹏;马双云;李明达 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件的制备方法，采用p型单晶硅作为基底，以金属铂作为靶材，在硅基片的抛光表面溅射形成铂叉指电极；再采用溶胶凝胶旋涂法在溅射有铂叉指电极的硅基片抛光表面沉积三氧化钨薄膜，所用前驱物为六氯化钨与无水乙醇按质量比0.8～1：10配制溶胶；再将制品置于马弗炉中进行热处理。本发明提供了一种可在室温下探测低浓度（0.1ppm）二氧化氮气体，且具有高灵敏度、快速响应/恢复、选择性好、重复性好的低功耗易集成硅基三氧化钨薄膜气敏传感器元件的制备方法。
一种基于氧化钨薄膜室温气体传感器元件制备方法

[发明专利]一种低温检测氮氧化物气敏元件的制备方法-CN201310498458.X无效
发明人：胡明;马双云;崔珍珍;李明达;曾鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温（150oC）检测氮氧化物气敏元件的制备方法：首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；其次以金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜；然后，在水平管式炉中采用热退火金属钨薄膜的方法制备多孔硅/氧化钨纳米线复合结构；最后，在多孔硅/氧化钨纳米线复合结构表面沉积铂电极，制得低温检测氮氧化物气敏元件，其在低温且对低浓度NOx气体具有高灵敏度、高选择性以及良好响应恢复特性。该方法具有设备简单、操作方便、工艺参数易于控制、成本低的优点，具有重要的实践与研究意义。
一种低温检测氧化物元件制备方法

[实用新型]一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件-CN201320255948.2有效
发明人：胡明;李明达;曾鹏;马双云;闫文君 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-05-11 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件，其特征在于，硅基片衬底(1)为n型单晶硅基片，硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅层(2)，多孔硅层(2)上表面设置有铂电极正极(3)和铂电极负极(4)。本实用新型克服了现有技术气敏传感器材料的金属氧化物工作温度过高及传统多孔硅孔道无序分布对气敏性能的不利影响，提供了一种体积小巧、结构简单、使用方便、价格低廉，具有室温下高灵敏度、高选择性与快速响应/恢复特性的多孔硅氨敏传感器元件。
一种用于室温探测多孔硅氨敏传感器元件

[实用新型]一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件-CN201320347744.1有效
发明人：胡明;李明达;曾鹏;马双云;闫文君 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，以p型单晶硅基片为衬底，硅基片衬底的抛光面上设置有多孔硅层，多孔硅层的平均孔径为68.8nm，厚度为18.1μm，多孔硅层的上面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型采用兼具高比表面积和孔道高度有序化的多孔硅作为气敏材料，可在室温工作，且对低浓度的氮氧化物气体实现了高选择性的超快探测；体积小巧、结构简单、工艺成熟、使用方便、价格低廉，有望在氮氧化物气体传感器领域获得推广和应用。
一种探测氧化物气体多孔硅气敏传感器元件

[实用新型]一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件-CN201320444473.1有效
发明人：胡明;李明达;曾鹏;马双云;闫文君 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，硅基片衬底为n型单面抛光的单晶硅基片，硅基片衬底的上面依次设置有多孔硅层、氧化钨薄膜和铜薄膜，铜薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型可在室温工作，且对超低浓度（ppb级）的氮氧化物气体具有很高的选择性，可以实现高灵敏度的可逆快速探测；其体积小巧、使用方便，重复性强，有望在氮氧化物气体传感器领域获得推广应用。
一种室温工作性能氧化物元件

[发明专利]多孔硅基二氧化碲纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法-CN201310365771.6无效
发明人：胡明;武雅乔;韦晓莹;马双云;杜明月 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔硅基二氧化碲纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法，采用双槽电化学腐蚀法在p型单面抛光的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层，再利用蒸发法在多孔硅上原位生长二氧化碲纳米棒，制得复合结构的多孔硅基二氧化碲纳米棒，再于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，利用磁控溅射法在其表面沉积形成两个铂点电极。提供了一种制备过程简单，易于控制、实现室温下对氮氧化物气体探测，具有高灵敏度等优异气敏特性的新型多孔硅基二氧化碲纳米棒复合结构的气敏传感器元件。
多孔硅基二氧化纳米复合结构传感器元件制备方法

[发明专利]多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法-CN201310365745.3无效
发明人：胡明;武雅乔;韦晓莹;马双云;杜明月 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法，采用双槽电化学腐蚀法在p型单面抛光的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层，利用水热法在多孔硅上原位生长氧化钨纳米棒，制得复合结构的多孔硅基三氧化钨纳米棒，再利用磁控溅射法在其表面沉积形成两个铂点电极。本发明提供了一种制备过程简单，易于控制、实现室温下对氮氧化物气体探测，具有高灵敏度等优异气敏特性的新型多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构的气敏传感器元件。
多孔硅基三氧化钨纳米复合结构传感器元件制备方法

[实用新型]一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件-CN201320253995.3有效
发明人：胡明;马双云;曾鹏;李明达;闫文君 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-05-11 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6），多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6）由多孔硅（3）和一维氧化钨纳米线（2）组成，一维氧化钨纳米线结构（2）的上面设置有正铂电极（4）和负铂电极（5）。本实用新型在低温下对低浓度氮氧化物气体具有较高的响应值和很好的选择性，响应/恢复时间短，体积小巧、结构简单、制作工艺成熟、使用方便、价格低廉，有望在气敏传感器领域推广和应用。
一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件

[发明专利]铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法-CN201310314006.1无效
发明人：胡明;李明达;曾鹏;闫文君;马双云 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法，是在多孔硅基氧化钨气敏材料中掺杂铜得到纳米复合气敏材料，采用直流反应磁控溅射法制备的铜薄膜厚度为4～16nm。本发明提供了一种可在室温工作，且对超低浓度（ppb级）的氮氧化物气体具有高选择性、高灵敏度探测的气敏元件；该气敏元件体积小，低成本，使用方便，制备方法简单，容易操作，易于实现工艺生产。
掺杂多孔氧化钨室温元件制备方法

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