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[发明专利]使用肋形波导的电光调制器-CN201580016125.6有效
发明人：唐纳德·亚当斯;普拉卡什·约托斯卡;威普库马·帕特尔;马克·韦伯斯特 -专利权人：思科技术公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种光调制器可包括下波导、上波导以及设置在这两者之间的电介质层。当在下波导和上波导之间产生电压电势时，这些层形成了硅‑绝缘体‑硅电容(也被称为SISCAP)导，该硅‑绝缘体‑硅电容导提供了对穿过调制器的光信号的高效、高速光学调制。在一个实施例中，至少一个波导包括各自在电荷调制区处对齐的脊部，脊部有助于将光学模式横向地(例如，在宽度方向上)限制在光学调制器中。在另一实施例中，脊部可在上波导和下波导二者上成形。这些脊部可在垂直方向(例如，厚度方向)上对齐以使脊部重叠，这样可通过将光学模式在电荷调制区中居中进一步提高光学效率。
使用波导电光调制器

[发明专利]光子集成平台-CN201480037731.1有效
发明人： 马克·韦伯斯特;拉维·谢卡尔·图米甸 -专利权人：思科技术公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：SOI设备可以包括波导适配器，该波导适配器在外部光源(例如，光纤光缆或激光器)和在SOI设备的硅表层上的硅波导之间耦合光。在一个实施例中，波导适配器被嵌入绝缘层中。这样做可以使波导适配器能够在表层组件被添加至SOI设备上之前被形成。因此，利用高温的制造技术可以被使用而不会损害SOI设备中的其它组件‑例如，波导适配器在热敏组件被加入硅表层之前被形成。通常，在绝缘层中形成第一波导和在被置于第一波导上的晶体半导体层中形成第二波导的方法被公开，其中，第二波导至少部分与第一波导交叠。光波导适配器被公开，其中，该适配器包括第一接头和多个第二接头，由此随着第二接头在远离波导适配器的耦合表面的方向上延伸，第二接头的尺寸减小，并且随着第一接头远离耦合表面延伸，第一接头的尺寸增大，并且在远离耦合表面而延伸的方向上，第一接头的长度大于各个第二接头的各自的长度。
光子集成平台

[发明专利]光功率分离器-CN201480056383.2在审
发明人：西恩·安德森;拉维·谢卡尔·图米甸;马克·韦伯斯特 -专利权人：思科技术公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开的实施例包括将光束分离到两个单独路径的设备，该设备具有对制造变型的弱化的敏感性。设备可以作为3-dB分离器进行操作，该3-dB分离器在两个输出波导之间平分输入光能量。类似地，设备还可以起到将两个光束组合到单一路径的作用(耦合器)。该设计利用绝热性模式演进并且不要求沿整个设备长度的物理对称。设备包括第一波导和第二波导，每个波导具有过渡部分，该过渡部分可以是锥形的，互相邻近安排的过渡限定了它们之间的间隙，以便光能量在波导之间耦合。
功率分离器

[发明专利]用于使用粘合剂粘结的微部件最优化放置的开槽配置-CN201510046559.2在审
发明人：玛丽·纳多;威普库马·帕特尔;普拉卡什·约托斯卡;约翰·芳曼;约翰·马修·芳曼;马克·韦伯斯特 -专利权人：思科技术公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及用于使用粘合剂粘结的微部件最优化放置的开槽配置。其中一种用来在组件中改善微部件的粘合剂附加的安排利用在用来支持微部件的衬底的顶面中形成的多个并置狭槽。狭槽用来控制一个粘合剂“点”的流动和“形状”以便迅速和精确附加一个微部件到一个衬底的表面。狭槽在衬底的表面中以给予其自身从一个衬底到另一个的可复制精度的方式形成(优选蚀刻)。其它狭槽(“沟道”)可连同粘结狭槽一起形成，从而使得外来粘合剂材料流入这些沟道并且不散布进入不希望的区域。
用于使用粘合剂粘结部件优化放置开槽配置

[发明专利]用于收发器的晶片级封装平台-CN201280033527.3有效
发明人：卡尔潘都·夏斯特里;威普库马·帕特尔;马克·韦伯斯特;普拉卡什·约托斯卡;拉文德·卡齐鲁;索哈姆·帕塔克;耀·V·叶拉玛提;托马斯·多尔蒂;拜平·达玛;考希克·帕特;基绍·德塞 -专利权人：思科技术公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：光电收发器组装过程的晶片级实现采用硅晶片作为在其上同时为多个独立的收发器模块组装所有必要的光组件和电组件的光参考平面和平台。具体而言，硅晶片被用作“平台”(中间件)，多个收发器模块的所有组件在该平台上被安装和集成，硅中间件的上表面用作用于定义多个独立的光组件之间的光信号路径的参考平面。实际上，通过将单个硅晶片用作大量独立的收发器模块的平台，人们能够实现晶片级组装过程以及这些模块的光对准和测试。
用于收发晶片封装平台

[发明专利]高速、高密度通信系统的光互连装置-CN201080025226.7有效
发明人：卡尔潘都·夏斯特里;拜平·达玛;马克·韦伯斯特 -专利权人：光导束公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H04B10/13 文献下载
摘要：提出了在高速数据应用中使用的光互连装置，它通过利用脉冲幅度调制(PAM)技术来表示光域中的数据，同时利用单独的通道用于传输光时钟信号，消除了在该装置的接收端上对时钟恢复电路的需要，来消除对大批串行化/并行化(SERDES)功能的需要。
高速高密度通信系统互连装置

[发明专利]利用PAM技术的HDMI TMDS光信号传输-CN201080026038.6有效
发明人：卡尔潘都·夏斯特里;拜平·达玛;威普库马·帕特尔;马克·韦伯斯特 -专利权人：光导束公司
申请日： 2010-06-14 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H04N7/22 文献下载
摘要：提出了一种HDMI互连装置，它对TMDS音频/视频信号实施脉冲幅度调制(PAM)转换以便在单一光纤上同步传输所有的三个通道。该组三个音频/视频TMDS通道被用作PAM-8光调制器的输入，所述PAM-8光调制器起到将该组三个通道编码到光调制的输出信号的作用。经调制的光信号此后被耦合到有源HDMI线缆内的光纤，并被传输到HDMI接收器(汇聚节点)。TMDS CLK信号没有包括在这个到光域的转换中，而是保留作为分开的电信号沿着有源HDMI线缆内的铜线传输。
利用 pam 技术 hdmi tmds 信号传输

[发明专利]高速的基于硅的光调制器的掺杂剂分布控制-CN201180012310.X有效
发明人： 马克·韦伯斯特;威普库马·帕特尔;普拉卡什·约托斯卡;大卫·派德 -专利权人：光导束有限责任公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：一种对装置的本体区和栅极区中的掺杂剂分布进行控制的高速的基于硅的光调制器减小了这种结构的串联电阻，而不引起大量的光功率损失。也就是说，在活性区外的区域中使用增大的掺杂剂值将允许该串联电阻得以减小（并且因此增加该装置的调制速度），而不会导致在信号损失方面的代价过大。该栅极区和该本体区内的掺杂剂分布被调整以显现一个中间值，这个中间值介于触点区域中的高掺杂剂浓度与载流子积分窗口区域中的低掺杂剂浓度之间。
高速基于调制器掺杂分布控制

[发明专利]具有可控制线性调频脉冲的光调制器-CN201180012488.4有效
发明人： 马克·韦伯斯特;卡尔潘都·夏斯特里 -专利权人：光导束有限责任公司
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：在此呈现了一种基于半导体的光调制器，该光调制器包括一个分离的相位控制部分来调节存在于调制输出信号中的线性调频脉冲量。至少一个部分被添加到该调制器配置中并且被驱动来创建一个纯“相位”信号，该信号将被添加到输出信号中并且更改调制函数中固有的eiφ项。该相位调制控制部分可以定位在该调制器本身内（其中每条支路上有一个片段，由相同的输入信号驱动），或者可以被安排在输入波导部分或者输出波导部分上的调制器的“外部”。该相位控制部分可以被形成为包括多个片段（具有不同长度），其中通过选择有待激发的不同片段以便给予一个相位延迟到一个通过这个（这些）被激发的部分传播的信号中来控制被添加到传播信号中的总相位。
具有控制线性调频脉冲调制器

[发明专利]具有改进响应度的基于硅的肖特基势垒探测器-CN201180012674.8有效
发明人：威普库马·帕特尔;普拉卡什·约托斯卡;马克·韦伯斯特;克里斯多佛·J·朗 -专利权人：光导束有限责任公司
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：一种平面的、基于波导的硅肖特基势垒光电探测器包括一个场板形式的第三端子，以便改进该探测器的响应度。优选的是，在一个处理步骤过程中形成用于探测区域的硅化物，在该处理步骤中正在形成其他硅化物接触区。该场板优选形成为CMOS金属化的第一或者第二层的一部分，并且由一个施加电压控制，以便更改在该探测器的硅化物层附近的电场。通过更改该电场，可以“调谐”该装置的响应度，从而相对于该装置的肖特基势垒调节“热”载流子（电子或者空穴，取决于硅的传导性）的动量。所施加的电势发挥作用来在优选的“正交”于该硅-硅化物界面的方向上与这些“热”载流子的动量的方向对准，允许增加的数量的“热”载流子在该肖特基势垒上运动并且添加到所产生的光电流中。
具有改进响应基于肖特基势垒探测器

[发明专利]用于使用粘合剂粘结的微部件最优化放置的开槽配置-CN201080053263.9有效
发明人：玛丽·纳多;威普库马·帕特尔;普拉卡什·约托斯卡;约翰·芳曼;约翰·马修·芳曼;马克·韦伯斯特 -专利权人：光导束有限责任公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种用来在组件中改善微部件的粘合剂附加的安排利用在用来支持微部件的衬底的顶面中形成的多个并置狭槽。狭槽用来控制一个粘合剂“点”的流动和“形状”以便迅速和精确附加一个微部件到一个衬底的表面。狭槽在衬底的表面中以给予其自身从一个衬底到另一个的可复制精度的方式形成（优选蚀刻）。其它狭槽（“沟道”）可连同粘结狭槽一起形成，从而使得外来粘合剂材料流入这些沟道并且不散布进入不希望的区域。
用于使用粘合剂粘结部件优化放置开槽配置

[发明专利]硅基光调制器的先进调制格式-CN201080036264.2有效
发明人： 马克·韦伯斯特;阿纽吉·夏斯特里;卡尔潘都·夏斯特里 -专利权人：光导束公司
申请日： 2010-08-14 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：一种被配置为多段装置的硅基光调制器，所述硅基光调制器利用修改的电数据输入信号格式解决与基于自由载流子色散的调制相关的相位调制非线性问题和衰减问题。所形成的调制器包括M个单独的段，并且数字信号编码器被用来将N位输入数据信号转换成用于M个调制器段的多个M个驱动信号，其中M≥2N/2。还可以调整调制器段的长度以解决非线性问题和衰减问题。可以在调制器的输出端(在组合波导以外)利用附加的相位调整。
硅基光调制器先进调制格式

[发明专利]具有改善的效率和啁啾控制的基于硅的光调制器-CN201080026024.4有效
发明人： 马克·韦伯斯特;拉塞尔·罗马诺;卡尔潘都·夏斯特里 -专利权人：光导束公司
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：通过分别地加偏压于调制装置的所选定的第一区域(例如，多晶硅区域，其被定义为共同节点)，提供了一种表现出改善的调制效率和“线性调频”(例如，时变光学相位)控制的基于硅的光调制器。具体地，该共同节点被偏置以将基于硅的光调制器的电压摆幅转移到其累积区内，这样表现出作为外加电压的函数的相位的较大改变(较大的OMA)和改善的消光比。在累积区中的响应也相对线性，这允许啁啾更加容易控制。电调制输入信号(以及它的反相信号)作为分开的输入被施加到调制器的每个支路的第二区域(例如，SOI区域)。
具有改善效率啁啾控制基于调制器

[发明专利]低折射率、大模场直径光耦合器-CN200980119394.X有效
发明人： 马克·韦伯斯特;威普库马·帕特尔 -专利权人：光导束公司
申请日： 2009-05-28 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光耦合器，其由低折射率材料形成并显示出适于提供(大模场直径的)自由空间光信号和在光基底上形成的单模高折射率波导之间的有效耦合的模场直径。一个实施方式包括与嵌入式(高折射率)纳米锥耦合波导相结合的反谐振反射光波导(ARROW)结构。另一个实施方式利用布置在与高折射率纳米锥耦合波导重叠的配置中的低折射率波导结构。低折射率波导本身包括覆盖在纳米锥耦合波导上的锥形区域，以促进光能量从低折射率波导到相关的单模高折射率波导之间的转移。
折射率大模场直径耦合器

[发明专利]用于评估药物反应的方法和组合物-CN200980109219.2有效
发明人：帕特里克·格拉丁;阿尔祖·古内斯;玛丽亚-莉萨·达尔;马克·韦伯斯特 -专利权人：诊疗实验室
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明提供了预测和确定受试者对抗血小板剂的反应的方法，且所述方法包括使用基因多态性分析确定受试者对血小板凝集相关疾病的治疗方案或介入的适合性。本发明还涉及基因多态性在评估受试者对抗血小板剂的反应上的用途。还提供了适用于这种评估的核苷酸探针和引物、试剂盒，以及微阵列。
用于评估药物反应方法组合

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